【課題】同一基板上に、同一工程で設けられた微小構造体と半導体素子とを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる領域に第１の犠牲層１０３、その上に構造層１０５が設けられる。また半導体素子となる領域には半導体層１０４を成膜する。構造層には金属を用いて結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で、微小構造体と半導体素子を同一基板上に設けることができる。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８が設けられ、半導体層の上には導電層等が設けられる。最終的には第１と第２の犠牲層は除去され、構造層の下方と上方に空間を有する微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】回路機能に応じて適切な構造のＴＦＴを配置し、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に設けられた第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタを有し、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む半導体膜と、半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート配線と、をそれぞれ有する半導体装置において、第１の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を、第２の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く設計する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る微結晶シリコン膜は、５×１０^１６ｃｍ^−３以上、５×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の金属元素を含み、かつ、ラマン分光法により５２０ｃｍ^−１と４８０ｃｍ^−１の２つのピークを示すことを特徴とする。ここで、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種又は複数種類の元素が望ましい。また、前記２つのピーク強度比は、１０：１程度であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】例えば液晶装置等の電気光学装置において、表示領域ではポリシリコンからなる半導体層を形成すると共に周辺領域では平坦な単結晶シリコン膜からなる半導体層を形成する。
【解決手段】電気光学装置は、基板上に、表示領域に配列された複数の画素部と、表示領域の周辺に位置する周辺領域に配置されており、複数の画素部を駆動するための、第１単結晶シリコン膜からなるＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造をなす第１半導体層及び該第１半導体層上にエピタキシャル成長により形成された第２単結晶シリコン膜からなる第２半導体層を有する半導体素子を含む駆動回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの３次元形成において、特性バラツキの小さな高性能薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも一方の表面が単結晶性または略単結晶性を有する基板（１１）上に半導体膜の結晶化の際の起点となる凹部（１２３）を形成する凹部形成工程と、前記凹部が形成された前記基板上に半導体膜（１３０）を形成する半導体膜形成工程と、前記半導体膜に熱処理を行い、前記起点部を略中心とする略単結晶粒（１３）を形成する熱処理工程と、前記半導体膜をパターニングし、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域となるべきトランジスタ領域（１３３）を形成するパターニング工程と、前記トランジスタ領域上にゲート絶縁膜（１４）及びゲート電極（１５）を形成して薄膜トランジスタを形成する素子形成工程と、を含み、前記素子形成工程では、前記基板が有する単結晶または略単結晶の結晶面[１１１]以外の方向に薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン層の製造方法、及びこれを利用した薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にシリコン窒化物層を形成する段階と；前記シリコン窒化物層上に絶縁層を形成する段階と；前記絶縁層中にホールを形成する段階と；選択的堆積過程により、前記ホール内の前記シリコン窒化物層の露出部上に第１シリコン層を堆積する段階と；前記絶縁層と前記ホール内に形成される第１シリコン層との上に第２シリコン層を堆積する段階と；前記第２シリコン層を熱処理により結晶化して単結晶シリコン層とする段階と、を含むことを特徴とする単結晶シリコン層の形成方法である。前記方法により、高品質の単結晶シリコン層を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒径が大きく表面粗さが小さい多結晶シリコン膜を形成可能な多結晶シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に膜厚６０ｎｍ以上の非晶質シリコン膜を形成し、それに波長３９０ｎｍ〜６４０ｎｍのレーザを照射して多結晶シリコン膜を形成する。このときレーザ照射を、酸素分圧が２Ｐａ以下の雰囲気で行う。それにより多結晶シリコン膜の表面粗さを抑えつつ、その結晶粒径をサブミクロンオーダーにまで大きくできる。また２μｍ以下のスキャンピッチでレーザを走査することによって、多結晶シリコン膜の結晶粒径の均一性が向上する。このような多結晶シリコン膜に形成したＴＦＴは、電気的特性に優れ信頼性の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体多結晶の低温成長において、結晶性に優れ、かつ結晶粒径や配向性を制御した高品質のＩＶ族半導体多結晶の成長を可能にする半導体基材の製造方法及び得られた半導体基材を提供する。
【解決手段】ＩＶ族半導体の基材上への多結晶の低温成長において、ハロゲン化ゲルマニウムとシラン類との熱ＣＶＤ法を用いて、５５０℃以下の温度と１５ｔｏｒｒ以上の圧力で予め基材上にＩＶ族元素より成る結晶核を生成した後、これを核として利用し、従来のＩＶ族半導体の低温結晶成長技術により結晶成長を行うことにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】マイクロマシンを構成する微小構造体および半導体素子において、同一基板上に、同一工程で微小構造体と半導体素子を形成する作製方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上の微小構造体となる箇所に第１の犠牲層１０３を、その上に構造層１０５を成膜する。また半導体素子となる箇所には半導体層１０４を成膜する。構造層は結晶化を促進する金属を用いて熱結晶化またはレーザ結晶化された多結晶シリコンを用いる。この多結晶シリコンは一般的な多結晶シリコンと異なり結晶粒界で共有結合が途切れず破壊応力が高く構造層に好適となる。またこの多結晶シリコンは半導体層１０４としても使うことが可能で微小構造体と半導体素子を同一基板上に形成可能である。続けて構造層の上には第２の犠牲層１０８を成膜し、半導体層の上には半導体素子を形成する。最終的には第１と第２の犠牲層を除去し、構造層の下方と上方に空間を作り微小構造体とする。 （もっと読む）

【課題】作製費用を削減することができる半導体装置の作製方法、また、作製時間を短縮し、生産性を向上させることができる半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に無機材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に薄膜トランジスタを含む第３の層を形成する工程と、第１の層、第２の層及び第３の層にレーザー光を照射して少なくとも第２の層と第３の層を除去する開口部を形成する工程と、第３の層の表面にフィルムを接着させる工程と、フィルムを用いて第１の層の内部又は第１の層と第２の層の間を境界として基板から第３の層を分離する工程とを含む半導体装置の作製方法を提供する。 （もっと読む）

ディスプレイ装置は、単結晶または多結晶の半導体材料の層が基板を覆って配置された基板を有し、基板は層の形成温度より低い歪点を有する。単結晶または多結晶材料は、基板を覆う自己組織化単分子層（ＳＡＭ）を提供する工程、ＳＡＭを覆う材料の層を被着する工程及び層を実質的に結晶化させる工程を含む方法によって作成される。

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【課題】照射面上にレーザの干渉縞を生じさせることがなく、強度分布を均一にしてレーザビームを照射する。
【解決手段】レーザ発振器から出射したレーザビームはを回折光学素子により、強度分布が均一にされる。回折光学素子を通過したビームをスリットを通過させて、ビームの長軸方向の強度の弱い端部を遮断する。ビームを、投影レンズ及び集光レンズを通し、スリットの像を照射面に投影する。投影レンズは、スリットと照射面とが共役の関係になるように配置される。スリットによる回折を防ぎ、強度が均一なレーザを照射面に照射することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】小型のレーザ照射装置で光干渉がなく、連続した結晶成長を実現することを課題とする。
【解決手段】メガヘルツレーザビームを用い、分割したレーザビームを半導体膜に照射して、半導体膜を結晶化する。その際に分割ビームに光路差を設けて光干渉を抑える発明である。光路差はメガヘルツレーザビームのパルス幅に相当する長さ以上、パルス発振間隔に相当する長さ未満に設定され、非常に短い光路差で光干渉を抑えることができる。そのためレーザのエネルギー劣化がなく効率的に且つ連続的にレーザビームを照射することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を容易に製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、実質的に非晶質シリコンからなる第１非晶質シリコン層と、第１非晶質シリコン層の結晶化を促進するための触媒を含み、第１非晶質シリコン層に積層された触媒層とを有する積層を形成する工程Ｓ１と、第１非晶質シリコン層を触媒を用いて結晶化させることにより第１結晶化シリコン層を形成する第１結晶化工程Ｓ２と、第１結晶化シリコン層の上に、実質的に非晶質シリコンからなる第２非晶質シリコン層を形成する工程Ｓ４と、第２非晶質シリコン層を結晶化させることにより第２結晶化シリコン層を形成する第２結晶化工程Ｓ５とを含む。 （もっと読む）

【課題】それぞれのレーザ発振器から射出したレーザ光のビームスポットの位置及び隣り合うビームスポットの間隔を正確に制御することを可能とするレーザ照射装置の提供。
【解決手段】被照射体が設置された移動可能な第１のステージと、少なくとも２台以上のレーザ光を射出するレーザ発振器と、前記レーザ発振器と光学系が設置された移動可能な複数の第２のステージと、レーザ光の照射位置を検出する手段とを有する。第１のステージ及び第２のステージは、一方向だけでなく複数方向に移動可能なものであってもよい。また、前記光学系は、レーザ発振器から射出したレーザビームを被照射面において線状ビームになるように形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 単結晶半導体層の結晶品質を向上させつつ、単結晶半導体層を絶縁体上に安価に形成する。
【解決手段】 選択エピタキシャル成長を行うことにより、非晶質半導体層３と接触するように開口部５内に埋め込まれた単結晶半導体層６を形成した後、エッチングガスまたはエッチング液をシリコン酸化膜２、４に接触させることにより、シリコン酸化膜２、４をエッチング除去して、単結晶半導体基板１と非晶質半導体層３との間に空隙７を形成し、単結晶半導体層６を種として非晶質半導体層３の熱処理を行うことにより、非晶質半導体層３が単結晶化された単結晶化半導体層８を形成してから、単結晶半導体基板１と単結晶半導体層８との間の空隙７に埋め込み絶縁層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射の重なり部が人間の目によって認識されないようにできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 絶縁体上に形成された非晶質半導体膜に、照射面が矩形のパルス状発振のレーザ光を照射面の長手方向に交差する方向にスキャンしながら照射し第１の多結晶半導体膜を形成する第１スキャン工程と、第１の多結晶半導体膜に照射面の一部を重畳し、かつ第１の多結晶半導体膜に隣接する非晶質半導体膜にレーザ光を前記照射面の長手方向に交差する方向にスキャンしながら照射し第２の多結晶半導体膜形成する第２スキャン工程を有する半導体装置の製造方法であって、レーザ光の波長範囲が３９０ｎｍから６４０ｎｍであり、前記非晶質半導体膜の膜厚が６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

半導体デバイスは、第１フィン構造（８１０）、第２フィン構造（８１０）、および第３フィン構造（２１０）を含む。この第１フィン構造（８１０）と第２フィン構造（８１０）は、単結晶シリコン材料を含む。第３フィン構造（２１０）は、第１フィン構造（８１０）と第２フィン構造（８１０）の間に位置する。この第３フィン構造（２１０）は、第１フィン構造（８１０）および第２フィン構造（８１０）の単結晶シリコン材料に応力を誘起する。
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【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。第２の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。 （もっと読む）

第１の態様において、本発明は、基板と、基板上に直接堆積させた多孔質シリカ（ＳｉＯ_２）の障壁層と、障壁層上に直接堆積する多結晶シリコンの薄膜とを備えるシリコン薄膜トランジスタを提供する。本発明は、そのようなトランジスタを製造する方法、そのようなトランジスタを含むディスプレイスクリーン、およびそのようなディスプレイスクリーンを製造する方法も提供する。
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