【課題】ＴＦＴで使用される半導体膜に含まれる、個々の結晶粒の結晶方位にバラツキがあると、トランジスタの特性バラツキが引き起こされる。トランジスタの特性にバラツキが生じると、大きな余裕を持って回路設計を行う必要が生じ回路特性を向上させることが困難となる。
【解決手段】第１シリコン膜を、結晶方位が揃えられた第１多結晶シリコン膜３００に改質した後、平面視にて電気的に分離し、多結晶シリコン島３０２を形成する。次に、多結晶シリコン島３０２の一部を露出させる微細貫通孔１２６が開口されたバッファ絶縁膜を形成し、その上に非晶質シリコン膜１３を形成する。そして、レーザアニールにより多結晶シリコン島３０２と同じ面方位に揃えられたシリコン結晶膜１５５を形成することで特性が揃えられたＴＦＴを提供する。 （もっと読む）

【課題】被照射物の位置合わせを行い、精度良くレーザビームを照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。また、レーザビームの所望の照射位置に精密に照準を合わせる方法を用いて、信頼性の高いＴＦＴを作製する方法を提供する。
【解決手段】マーカー付き基板を、赤外光透過材料で形成されたステージ上に載置し、ステージ上に載置されたマーカー付き基板に設けられたマーカーを、赤外光を検知可能なカメラによって検出して、ステージの位置を制御し、レーザ発振器からレーザビームを射出し、レーザ発振器から射出されたレーザビームを光学系によって線状に加工し、ステージに載置されたマーカー付き基板に照射する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）

【課題】軽量で薄く、好ましくは可撓性を有する光センサ、光電変換素子、光電変換装置、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】第１の絶縁膜上に、フォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を増幅する増幅回路とを有する第１の素子と、第２の絶縁膜上に、カラーフィルタと、前記カラーフィルタ上にオーバーコート層とを有する第２の素子とを有し、前記第１の素子と前記第２の素子は、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜を接着材で接着することにより、貼り合わされている半導体装置に関する。また前記増幅回路は、薄膜トランジスタを有するカレントミラー回路である。またカラーフィルタに代えて、カラーフィルムを用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射を行う際に、レーザ光の長軸方向の端部領域におけるエネルギー強度分布の低い領域の、エネルギー強度分布を高くするレーザ照射装置およびレーザ照射方法の提供を目的とする。
【解決手段】レーザ光を照射面に照射させる際に、レーザ発振器から発振されたレーザ光を、光学素子を介して一方向に集光する。光学素子を通過し、一方向に集光されたレーザ光を、レーザ光の長軸方向における端部領域を遮光する手段を通過させることにより、照射面においてレーザの長軸方向の端部領域にエネルギー強度分布が急峻に高くなる領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】バルクシリコン基板の高周波特性の悪さ、ＳＯＩ基板製造プロセスの複雑さ、そしてゲッタリング特性を改善した擬似的なＳＯＩ基板ウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質シリコン層を、高抵抗層とみなし、更にはゲッタリング層として機能させたシリコン薄膜／多孔質シリコン／シリコン基板からなる３層構造体を、擬似的なＳＯＩ基板として利用する。前記多孔質シリコン層が、少なくとも異なる２つの多孔度を有する多孔質シリコン層であり、前記シリコン基板側に形成された多孔質シリコン層が高多孔性であり、シリコン薄膜側が低多孔性であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フィン構造体及びこれを適用したフィントランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】側面を持つメサ構造体を基板に複数形成した後、この上に半導体層を形成するフィン構造体の製造方法を提供する。半導体層上にはキャッピング層が形成され、したがって、半導体層は、キャッピング層により保護され、フィン構造体で製造される部分を持つ。キャッピング層は、平坦化によりその上部が一部除去され、これを通じてメサ構造体の上面に位置する半導体層が除去され、したがって、メサ構造体の側面に相互隔離されたフィン構造体が形成される。これにより、非常に狭い幅のフィン構造体を形成でき、フィン構造体の厚さ及び位置の制御が非常に容易になる。 （もっと読む）

【課題】基板としてプラスチック基板を用いた薄膜トランジスタ基板の製造工程中で用いられるレジスト膜を除去する際に、プラスチック基板に化学的なダメージを与えない層構成を有した薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマ耐性のある無機層１１が全面に形成されたプラスチック基板１０を準備する工程と、無機層１１上に半導体膜を形成する工程と、半導体膜上にレジスト膜をパターニングする工程とを有し、レジスト膜の除去工程がプラズマアッシング法により行われる方法により薄膜トランジスタ基板を製造する。このとき、無機層が、クロム、チタン、アルミニウム、シリコン、酸化クロム、酸化チタン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの群から選択されるいずれかからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】液状シリコンを利用して薄膜トランジスタのポリシリコンチャネル層を形成することによって、製造工程を単純化した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたソース／ドレイン電極と、ソース／ドレイン電極上の全面に形成されたドーピング層と、ソース／ドレイン電極間にゲート絶縁膜とドーピング層上に形成されたポリシリコンチャネル層とを含み、ドーピング層は、チャネル層とオーバーラップする領域に形成された。 （もっと読む）

【課題】下部半導体層の結晶化を防止できる薄膜トランジスタの転写方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板41を化学エッチングするときの活性層へのダメージを防止する下部半導体層42を、フッ酸に対するエッチング選択比が大きなアモルファスシリコンで構成する。下部半導体層42と上部半導体層６との間にエキシマレーザビームを反射する反射層４を積層させる。エキシマレーザビームの照射による下部半導体層42の多結晶化を防止できる。下部半導体層42の多結晶化によるエッチングストッパ層としての機能の劣化を防止できる。転写歩留まりを大幅に向上できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＢＳＩ法において第１半導体層及び第２半導体層の膜形成の所要時間を短縮で
きるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の半導体基板１の表面領域２上にアモルファス又は多結晶構造の第１
半導体層１１を形成する工程と、第１半導体層１１上にアモルファス又は多結晶構造の第
２半導体層１２を形成する工程と、第２半導体層１２上から半導体基板１の表面領域２に
向けてＳｉ又はＡｒをイオン注入して、半導体基板１の表面領域２と、第１半導体層１１
及び第２半導体層１２をアモルファス化する工程と、イオン注入によるアモルファス化を
行った後で半導体基板１に熱処理を施して、半導体基板１の表面領域２と、第１半導体層
１１及び第２半導体層１２を単結晶化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に形成したマイクロマシンおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】電気回路の半導体素子はゲート電極上に半導体層を有する。半導体素子の半導体層は、基板１０１上で、非晶質シリコンを加熱処理またはレーザ照射により結晶化した多結晶シリコンを含む層でなる。得られた多結晶シリコンを含む層を構造体１１９の可動電極などの構造層１０８にも用いられる。そのため、構造体１１９と構造体１０８を制御する電気回路を同一基板上に同時に形成することができる。その結果、マイクロマシンを小型化することができる。また、組み立てやパッケージが不要となり、製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームの利用効率を向上させると共に、ＤＭＤにおける迷光の影響を排除し、均一なビームスポットで照射パターンを形成することのできるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置は少なくともレーザ発振器と回折光学素子と微少なミラーが二次元的に多数並べられた光学素子とを有し、該レーザ発振器から射出したレーザビームは回折光学素子によって複数のレーザビームに分割され、該レーザビームは複数のマイクロミラーにおいて偏向される。また、該前記複数に分割されたレーザビームのそれぞれは互いに等しいエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】グリーンレーザーのような半導体レーザーを用いて半導体薄膜の結晶化を実現する方法を提案する。
【解決手段】基板上に下地層と半導体層が順に二層以上形成させることによって、上層の半導体層に照射されたレーザーエネルギーを、上層の半導体層だけでなく、下層の半導体層にも、エネルギーを与えることによって、多層構造の半導体薄膜を１度に得る。
上層の多結晶Ｓｉ膜を透過したレーザーエネルギーを下層の非結晶Ｓｉ膜が吸収することによって生じる熱によって、下層が熱浴として働くために、上層の多結晶Ｓｉ膜に対して緩やかなアニール効果が生じて、高品質の結晶化薄膜が得られると同時に、必要なレーザーエネルギーを低減できる。メンテ、コスト、容量などの点で有利なグリーンレーザーにより高品質な薄膜を実現するものである。 （もっと読む）

【課題】高精度の抵抗値を有する抵抗素子を得ることを目的とする。
【解決手段】シリコン基板１１上に０．１〜０．５μｍの間隔を設けて島状に酸化膜１２を形成する工程と、フッ化水素酸溶液を用いたウェット処理を行なう工程と、酸化膜１２を備えたシリコン基板１１上にシランガスを用いた成膜温度５２０〜５６０℃の減圧ＣＶＤ法によりアモルファスシリコン層１４ａを形成する工程と、温度８９０〜９６０℃、１０〜１５秒での熱処理を施す工程を含み、アモルファスシリコン層１４ａを単結晶シリコン層１４ｂに構造変換し、単結晶シリコン層１４ｂで抵抗素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニール処理によって半導体層の結晶化を行う場合において、閾値の安定性を向上する。
【解決手段】レーザアニール処理により結晶化された半導体層を有する半導体装置であって、前記半導体層の接する下層に、酸素含有量が１０％以下である酸素非含有膜を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】良質の単結晶基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、前記基板の一部が露出されるウィンドウを有する絶縁層と、前記ウィンドウに露出された前記基板の部分に形成される選択的結晶成長層と、前記絶縁層上で前記結晶成長層上に形成され、前記結晶成長層を結晶化シード層として用いて結晶化された単結晶層とを備える単結晶ウェーハである。これにより、ストッパによって結晶層の研磨深さを制御でき、従って良質の単結晶基板を製造できる。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、Ｓｉ基板上に結晶性と表面モフォロジーの良い単結晶ＳｉＣ層を形成することにある。
【解決手段】本願の骨子は、Ｓｉ層上にＳｉやＳｉＣよりも融点の低いＳｉＧｅ層と非晶質ＳｉＣを形成し、これら積層構造をＳｉＧｅの融点以上に加熱することにより、ＳｉＣとＳｉ基板の間の歪みを緩和し、同時に非晶質ＳｉＣからの結晶化を行うことで、結晶性と表面諸フォジーが良好な単結晶ＳｉＣ層を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体多結晶の低温成長において、結晶性に優れ、かつ結晶粒径や配向性を制御した高品質のＩＶ族半導体多結晶の成長を可能にする半導体基材の製造方法及び得られた半導体基材を提供する。
【解決手段】５５０℃以下の温度でハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法を用いて、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材上にＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核を形成し、該結晶核上に気相堆積法でＳｉ多結晶膜を形成する半導体基材の製造方法により、上記課題を解決する。また、本発明の半導体基材は、非晶質、多結晶あるいは金属などの基材と、該基材上にハロゲン化ゲルマニウムとシラン類を原料とする熱ＣＶＤ法で形成されたＳｉＧｅあるいはＧｅの結晶核と、該結晶核上に気相堆積法で形成されたＳｉ多結晶膜とを有する。 （もっと読む）