本発明は、少なくとも１つの主光束パルスによって少なくとも局所的に加熱すべき少なくとも１つの層（２）を含み、前記加熱すべき層の前表面に比べて深く位置する少なくとも１つのプライミング領域（４）を含む板状体を、少なくとも局所的に加熱する方法および装置に関し、主光束（７）は、前記加熱すべき層（２）の温度が高温範囲（ＰＨＴ）にあるときに前記加熱すべき層を加熱することができ、プライミング二次加熱手段（９）は、前記プライミング領域を低温範囲（ＰＢＴ）内の温度から前記高温範囲（ＰＨＴ）内の温度まで加熱することができる。
（もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなくポリシリコン半導体薄膜のレーザー活性化を均一に行うことができ且つレーザー活性化時の汚染が防止されたポリシリコン半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１０上にポリシリコン半導体薄膜１３を形成する工程と、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にチャネル領域１３ｃ、ソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成するために、ポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にマスク２３を形成する工程と、マスク２３の上方からイオン注入２４してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）にソース側拡散領域１３ｓ及びドレイン側拡散領域１３ｄを形成する工程と、マスク２３を除去する工程と、マスク２３を除去したポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）上にシリコン薄膜２５を形成する工程と、シリコン薄膜２５の上方からレーザー２６を照射してポリシリコン半導体薄膜１３（２１ｐ）を活性化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】形成される炭化シリコン層の結晶性を悪化させることなく、従来に比べて生産性を向上させることができる炭化シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１の表面にシリコン酸化層２を形成し、シリコン基板１内にシリコン酸化層２を通して炭素イオンを注入することによりシリコンと炭素の混在した炭素含有層３を形成し、シリコン基板１からシリコン酸化層２を選択的に除去することにより炭素含有層３を露出させ、シリコン基板１を熱処理して炭素含有層３を単結晶化させることにより単結晶炭化シリコン層４を形成し、熱処理の過程で単結晶炭化シリコン層４の表面に形成された酸化層５を除去することにより単結晶炭化シリコン層４を露出させて、ＳｉＣウエハ１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】 新規な歪シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）基板表面の一部に、複数の凹部を形成する。（ｂ）複数の凹部の各々に、シリコンとは熱膨張係数の異なる絶縁性の膜を埋め込む。（ｃ）絶縁性の膜、及び基板の表面にシリコン膜を形成する。（ｄ）シリコン膜にレーザビームを照射して、シリコン膜をラテラルエピタキシャル成長させるとともに、ラテラルエピタキシャル成長させたシリコン膜に歪を導入する。 （もっと読む）

【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第１半導体膜（９）上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極（１５）を形成する工程、形成されたプラグ電極（１５）の周囲に層間絶縁膜（１６，１８）を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極（１５）の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第２半導体膜を形成する工程、非晶質の第２半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極（１５）を触媒として機能させて非晶質の第２半導体膜を結晶化させ結晶化した第２半導体膜（２３）とする工程を備える。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、多結晶領域を形成する単結晶群の大きさは０．５μｍ程度であり、トランジスタを形成した場合複数の結晶粒界がチャネルに配置されてしまい、同様に電気的特性が低下するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行う。これにより、面方位が（１１１）に揃えられ、且つ１０μｍ程度の大粒径単結晶が得られる。この結晶上にトランジスタを形成することで、電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを（１１１）配向を選択的に形成する場合、結晶粒界の位置はランダムに形成されるため、トランジスタのチャネル部分に結晶粒が配置された場合、結晶粒界に存在するトラップ準位の影響により、電気的特性が低下する。また、チャネル部分に発生したホットキャリアを吸収する領域がなく、キンク特性が発生するという課題がある。
【解決手段】（１１１）配向を含む不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４上に貫通孔２０６を含む絶縁層２０５を形成した後、第２シリコン層前駆体２０７ａを積層し、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて第１シリコン層２０４を種結晶として再結晶工程を行い、面方位が（１１１）に揃えられた第２シリコン層２０７を形成する。そして不純物がドーピングされた第１シリコン層２０４からホットキャリアを引き抜くことで、キンクの発生が抑えられ、且つ電気的特性に優れたトランジスタを提供できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ駆動に適した比抵抗をもつ良質な無機膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｎ_aＭ_bＱ_cＯ_d（式中ＮはＺｎまたはＭｇ、ＭはＴｉ、ＷまたはＭｏ、ＱはＩｎまたはＦｅであり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは正の実数である）で表される無機膜を、Ｎの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｍの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、Ｑの酸化物、アルコキシドまたは有機金属化合物の少なくとも１つと、有機溶媒と、を含む原料液を基板上に塗布成膜し、加熱処理により製造する。 （もっと読む）

【課題】温度係数とそのシート抵抗値とを独立に調整することができる抵抗素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その表面から膜厚の途中までの領域に不活性元素をイオン注入することにより、該領域をアモルファス半導体膜３Ａに変化させる。次に、アモルファス半導体膜３Ａの中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜３Ａを多結晶化することにより、第２の多結晶半導体膜４を形成する。これにより、第２の多結晶半導体膜４の平均的なグレインサイズは、第１の多結晶半導体膜３の平均的なグレインサイズよりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】温度係数とそのシート抵抗値とを独立に調整することができる抵抗素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１の多結晶半導体膜３を形成し、その上層にアモルファス半導体膜４を形成する。アモルファス半導体膜４の中にキャリア不純物をイオン注入し、その後に熱処理を行うことにより、アモルファス半導体膜４を多結晶化して、第２の多結晶半導体膜５を形成する。これにより、第２の多結晶半導体膜５の平均的なグレインサイズは、第１の多結晶半導体膜３の平均的なグレインサイズよりも大きくなる。 （もっと読む）

【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ不良を低減し、且つ大面積の単結晶半導体膜を形成することを可能とするＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】複数の第１の単結晶半導体膜が形成された第１の基板上に、接合層として機能する第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜を平坦化した後、第１の絶縁膜上に単結晶半導体基板を貼り合わせて熱処理を行い、第２の単結晶半導体膜を形成する。次いで、第１及び第２の単結晶半導体膜をシード層として第３の単結晶半導体膜を形成し、第３の単結晶半導体膜にイオンを導入して脆化層を形成した後、第３の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、第２の基板を第２の絶縁膜上に重ね合わせて熱処理を行い、第２の絶縁膜を介して第２の基板上に、第３の単結晶半導体膜の一部を固定されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性が低く、かつ撓みやすい基板をベース基板に用いても、単結晶半導体層を精度良くベース基板に固定することを可能とする半導体基板製造装置を提供する。
【解決手段】接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ表面から所定の深さの領域に脆化領域が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板と、の接合面を洗浄する洗浄部と、ベース基板及び単結晶半導体基板を貼り合わせ、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して単結晶半導体基板を加熱し、損傷領域を劈開面として単結晶半導体基板を分離する電磁波照射部と、ベース基板に固定された単結晶半導体層を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板製造装置を用いて、ベース基板上に単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料層１１を設け、前記第１の材料層１１に接して第２の材料層１２を設け、さらに積層成膜または５００℃以上の熱処理やレーザー光の照射処理を行っても、剥離前の第１の材料層が引張応力を有し、且つ第２の材料層が圧縮応力であれば、物理的手段で容易に第２の材料層１２の層内または界面において、きれいに分離することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域として用いるエピタキシャル成長結晶からゲート絶縁膜への不純物拡散による信頼性の低下を抑えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、第１の面と、前記第１の面に対して傾斜した第２の面とを有するＳｉＧｅ結晶層を形成する工程と、前記ＳｉＧｅ結晶層上に非晶質Ｓｉ膜を形成する工程と、加熱処理を施すことにより、前記ＳｉＧｅ結晶層の前記第１および第２の面をシードとして、前記非晶質Ｓｉ膜の前記第１および第２の面の近傍に位置する部分を結晶化させてＳｉ結晶層を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ膜の加熱処理により結晶化しなかった部分を選択的に除去、または薄くする工程と、前記Ｓｉ結晶層の表面に酸化処理を施すことにより、前記Ｓｉ結晶層の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ技術を用いて半導体装置を作製する上で、パンチスルー電流を抑えるだけでなく、貼り合わせに用いるシリコンウエハーの再利用を実現できる構造を有する半導体装置、およびその作製方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハー１０１から分離された基板１０６に貼り合わせた半導体膜１０７に、ソース領域およびドレイン領域とは逆の導電型の不純物１０９、１１２を注入し、その上に単結晶半導体膜１１４を接合して得られる積層の半導体膜を用いてチャネル領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】配向性を有さない基板上に複合酸化物等の無機結晶性配向膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の非晶質基板１１上に、層状結晶構造を有する無機結晶粒子２０を含む原料と有機溶媒とを含む原料液を用いて、液相法により無機結晶粒子２０を含む非単結晶膜１２を成膜し、この非単結晶膜１２が結晶化する温度以上の条件で非単結晶膜１２を加熱し、無機結晶粒子２０の一部を結晶核として非単結晶膜１２を結晶化させることにより、無機結晶性配向膜１を製造する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体でなる基板から構成されるＳＯＩ基板を作製するに際し、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁体でなる第１の基板上に第１の絶縁膜を介して第１の単結晶半導体膜が設けられた第１のＳＯＩ基板と、第１の基板と同じ材料で形成された第２の基板とを用意し、第１の単結晶半導体膜上に第２の単結晶半導体膜を形成し、第２の単結晶半導体膜にイオンを添加して剥離層を形成し、第２の単結晶半導体膜上に接合層として機能する第２の絶縁膜を形成し、第１のＳＯＩ基板の表面と第２の基板の表面とを対向させ、第２の絶縁膜の表面と第２の基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、剥離層を境として劈開することにより、第２の基板上に第２の絶縁膜を介して第２の単結晶半導体膜の一部が設けられた第２のＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

開示される内容は、エピタキシャルに配向された結晶性厚膜を生成するための、薄膜のレーザー結晶化の利用に関する。１つ以上の実施形態において、厚い結晶性膜を調製する方法は、結晶化のための膜を基板上に提供する工程であって、前記基板の少なくとも一部はレーザー照射に対して実質的に透過性であり、前記膜は、支配的な表面結晶配向性を有するシード層と、前記シード層の上方に配置された最上層とを含む、工程と、パルス状レーザーを用いて前記膜を前記基板の後側から照射して、前記最上層の第２の部位が固形のままの状態で、前記最上層の第１の部位を前記シード層との界面において溶融させる工程と、前記最上層の前記第１の部位を再度固化させて、前記シード層とエピタキシャルな結晶性レーザーを形成して、これにより、熱を解放して前記最上層の隣接部位を溶融する工程とを含む。
（もっと読む）