【課題】 シリコンウェハから形成されるＩＣチップは利用形態の増大、需要の増大が予想され、さらなる低コスト化が要求される。
そこで本発明は、さらなる低コストでの生産が可能なＩＣチップの構造、プロセスの提供を課題とする。
【解決手段】 本発明において、剥離層に金属膜と、該金属膜を有する反応物を用いることを特徴とする。金属膜、又は金属を有する反応物はエッチング速度が高く好ましく、さらに、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることができ、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 パネル内のトランジスタの均一度を向上させて画質を改善した画素回路及びこれを用いた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明による画素回路は，選択信号に応答してデータ信号を伝達するスイッチング素子４４０と，伝達されたデータ信号に相応する電圧を保存するキャパシタ４５０と，また，キャパシタに保存された電圧に相応する電流を有機発光素子に供給する駆動トランジスタ４６０を含み，駆動トランジスタは，少なくとも一つの絶縁島を有することにより複数の電流経路が形成されるチャネル４６２とこのチャネル部分に各々接続されるソース４６６及びドレイン４６８を持つ半導体層と，絶縁層を挟んでチャネルと対向するゲート４６２と，を備えた。 （もっと読む）

【課題】 光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】 その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】 良質のｐｏｌｙ−Ｓｉの製造及びそれを利用する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１に形成されたａ−Ｓｉ膜３に中性イオンを注入した後、熱処理による多結晶化を行うｐｏｌｙ−Ｓｉ（多結晶シリコン）、多結晶シリコン層を含んだ半導体素子、及び多結晶シリコン活性層上に形成されたゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＴＦＴの製造方法であって、熱処理時に高エネルギーであるａ−Ｓｉを多結晶化でき、一方では、熱に弱いプラスチック等にも良質のｐｏｌｙ−Ｓｉを形成でき、シリコン及びガラスのように熱に強い基板、またはプラスチックのように熱に弱い基板に良質の多結晶を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 レンズアレイを用いて結晶化等を行う際に照射体において反射した戻り光による悪影響を回避した、レーザ発振器の安定性を高く保ち、かつ均一なレーザ処理をすることができるレーザ照射技術、並びにそれを用いる結晶化方法及び半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されたレーザ光をシリンドリカルレンズアレイ等のレンズアレイを通過させて複数に分割し、分割後のレーザ光を焦点を結ぶ位置でスリットの開口を通過させ、その後更に集光レンズを通過させて照射面上に照射する。
このようにして、スリットを用いることにより照射体で反射した戻り光をカットし、レーザの出力又は周波数の変動や、ロッドの破壊を防ぐものであり、その結果レーザ光の出力を安定化させ、これによって、安定して強度分布の均一なレーザ光を照射面において照射することができ、均一なアニールを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体層のソース／ドレイン領域の全部または一部分とキャパシターの第１電極をＭＩＣ結晶化法で結晶化して、半導体層のチャネル領域全部をＭＩＬＣ結晶化法で結晶化された薄膜トランジスタ及びキャパシターの半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】その製造方法は、薄膜トランジスタの半導体層とキャパシターの第１電極を非晶質シリコンで形成した後、ＭＩＣおよびＭＩＬＣ結晶化法で結晶化して、薄膜トランジスタのゲート電極及びキャパシターの第２電極を同じ物質で形成することによって簡単な工程で薄膜トランジスタとキャパシターを同時に形成することができるだけでなく、各素子に適合な結晶化法で結晶化することによって、低い温度及び短い時間に結晶化を進行して基板が収縮したり曲がる現象が発生しないだけでなく、薄膜トランジスタの半導体層の特性とキャパシターの特性が優秀であるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置の製造方法であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上にチャネル形成領域を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上層に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層の上方にコントロールゲートを形成する工程と、前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

半導体素子の熱処理システムに関する。本発明は、ＬＣＤまたはＯＬＥＤのような平板ディスプレイパネルに用いられるガラス基板の表面に形成される非晶質シリコン薄膜の結晶化または多結晶シリコン薄膜のドーパント活性化工程を含む半導体素子の熱処理工程において、熱処理温度で半導体素子が変形されないように予め所定の予熱温度まで半導体素子を均一に予熱して移送し、熱処理温度までランプヒータによる加熱と誘導起電力による誘導加熱によってさらに高い温度で早く熱処理を行い、熱処理工程が終わってから移送される半導体素子が変形されない所定温度まで均一に冷却させて排出することで、半導体素子の変形を防止しながら熱処理温度まで段階的に加熱温度を昇温及び冷却させて熱処理が迅速に行われるようにすることを特徴とする半導体素子の熱処理システム。
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本発明に係る半導体装置の製造方法および半導体検査装置により、図２のフローに示すように、レーザ処理工程１３で、ＳＰＣ工程１２処理後の基板の中から抜き取られたモニタ基板に、異なるレーザパワーで、異なる場所にレーザ処理を行い、基板全領域に多結晶シリコン膜を形成した後、最適パワー検査抽出工程１４でモニタ基板上に形成された膜質の異なる多結晶シリコン膜を検査装置で測定し、レーザパワーの最適値が求められ、レーザ処理工程１３で後続のＳＰＣ工程処理後の基板表面に、最適なレーザパワーに設定されたレーザが照射され、基板全領域で高品質な多結晶シリコン膜が製造される。
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半導体回路基板としての一次元半導体基板とその製造方法、および該一次元半導体基板を用いた素子、素子アレー、モジュール、ディスプレイ、太陽電池及び太陽電池モジュールとその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、幅又は厚さ、あるいは径に対して１０倍以上の長さを持つ線状の基材３に所望の薄膜４を１層以上形成している。薄膜４に半導体を適用ことで一次元半導体薄膜が形成される。本発明の一次元半導体基板１あるいは２は、光ファイバの製造技術である線引技術を応用して製造される。 （もっと読む）