【課題】結晶異方性を有する領域と結晶異方性を有さない領域とを含む結晶化半導体膜を用いて薄膜トランジスタの集積化を容易に行なうことができる半導体素子基板の製造方法および半導体素子基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に成膜した非晶質半導体膜５６の下方に加熱促進層３０を形成した領域と、加熱促進層３０を形成しない領域とを設け、非晶質半導体膜５６にレーザビーム１８を照射する。このとき、加熱促進層３０によってレーザビーム１８が反射または吸収されることにより、非晶質半導体膜５６は裏面側からも結晶化が促進される。これにより、加熱促進層３０が形成された領域には結晶の配向が揃った第１の結晶性半導体膜５４が形成され、形成されない領域には結晶の配向がランダムな第２の結晶性半導体膜５５が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、結晶化部分を有する半導体基材を得る。
【解決手段】ベース基材と；該ベース基材上に配置された、アモルファス半導体材料由来の結晶性半導体層とを少なくとも含む半導体基材。結晶性半導体層の表面近傍において、ＳＩＭＳによりＧｅが検出可能である。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域３０８と、前記島状の半導体領域３０８の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜３１０と、前記ゲート絶縁膜３１０を介して前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域３０８の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン活性層を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】前記製造方法は、基板にアモルファスシリコン層を堆積するとともに、前記アモルファスシリコン層に対してパターニングを行うことで、ソース領域とドレイン領域とチャンネル領域とを含む活性層を形成するステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に誘起金属を堆積するステップと、前記誘起金属が堆積された前記活性層に対して第１の熱処理を行い、前記活性層が前記誘起金属の作用によって結晶化されるステップと、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に、前記誘起金属を集めるための第１の不純物をドープするステップと、ドープされた前記活性層に対して第２の熱処理を行い、前記第１の不純物が前記チャンネル領域に残された誘起金属に対して吸収するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にＬＤＤ領域を少なくとも一つ備えたＴＦＴを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なＴＦＴ、例えば、チャネル形成領域の片側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴと、チャネル形成領域の両側にＬＤＤ領域を有するＴＦＴとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にＬＤＤ領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶化に用いた触媒材料は結晶性珪素膜にとって好ましくない材料であるので、結晶化後はできるだけ濃度にしたい要求がある。珪素中に欠陥準位が多い場合、光生成キャリアは欠陥準位にトラップされ消滅し、光電変換特性が低下させる。本発明の目的は触媒材料による珪素の結晶化と、結晶化した後に不要となった触媒材料を除去して光電変換装置の特性向上を目的とする。
【解決手段】 結晶化した後に第１の半導体膜に残存する触媒元素は、その上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、第２の加熱処理を行うことで該第２の半導体膜に移動させ濃集させる。即ち、第２に半導体膜に希ガス元素を含ませることで歪み場を形成し、ゲッタリングサイトとする。希ガス元素は基本的に他の原子と結合を形成しないため、半導体膜中で格子間に挿入されて、それにより歪み場を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。
【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面において前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを防止可能な構造を備えたことにより長期的な強度および特性の確保が可能な薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３上に成膜されたゲート絶縁膜７と、ゲート絶縁膜７上にパターン形成された半導体薄膜９とを備えた薄膜トランジスタ基板１において、ゲート絶縁膜７における半導体薄膜９の外側となる位置には、溝パターン１０１が設けられている。ゲート絶縁膜７は、窒化シリコン膜７ａとその上部の酸化シリコン膜７ｂとの積層構造からなり、溝パターン１０１は、窒化シリコン膜７ａに形成されている。基板３はガラス材料からなる。 （もっと読む）

【課題】光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】さらなる低温プロセス（３５０℃以下、好ましくは３００℃以下）を実現し、安価な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、結晶構造を有する半導体層１０３を形成した後、イオンドーピング法を用いて結晶質を有する半導体層１０３の一部にｎ型不純物元素及び水素元素を同時に添加して不純物領域１０７（非晶質構造を有する領域）を形成した後、１００〜３００℃の加熱処理を行うことにより、低抵抗、且つ非晶質な不純物領域１０８を形成し、非晶質な領域のままでＴＦＴのソース領域またはドレイン領域とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板およびこれの製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板は、基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上に前記ゲート電極と重なるように形成され、多結晶シリコンを含むアクティブ層、前記アクティブ層上に前記ゲート電極を中心に両側に分離して形成された第１オーミックコンタクト層、前記第１オーミックコンタクト層上に形成された第２オーミックコンタクト層および前記第２オーミックコンタクト層上に形成されたソース電極およびドレーン電極を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電極層の上に希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とを形成し、希土類金属シリサイド膜とアモルファスシリコン膜とをマイクロ波を用いて加熱することにより、希土類金属シリサイド膜の結晶構造に応じた結晶配向を持つように、アモルファスシリコン膜を結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】金属元素を用いた結晶化法において、ゲッタリングのために必要な不純物元素の濃度が高く、その後のアニールによる再結晶化の妨げとなり問題となっている。
【解決手段】
本発明は半導体膜に、希ガス元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理およびレーザアニールにより前記不純物領域に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行なうことを特徴としている。そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。このようにして、ゲート電極の一部と重なる不純物領域の結晶性の回復および不純物元素の活性化を行なうことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】画素構造を最適化することにより、開口率を向上させたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極に近接して設けられた半導体層と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極および電流制御用ＴＦＴのゲート電極と同一面上に設けられたソース配線と、スイッチング用ＴＦＴのゲート電極、電流制御用ＴＦＴのゲート電極、およびソース配線を覆う絶縁膜と、ソース配線および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第１の接続配線と、電流制御用ＴＦＴのゲート電極および前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層に電気的に接続された第２の接続配線と、電流制御用ＴＦＴの半導体層と電気的に接続された画素電極と、発光層と、画素電極と対向する電極とを有するＥＬ素子とを有するＥＬ表示装置。 （もっと読む）

【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるｔ（秒）を、ｔ＜２ｎｄ／ｃという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したｔの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】セレクターの形成にあたり、不純物の拡散を抑制しつつ、非晶質膜を結晶化させる方法を提供する。
【解決手段】第１の不純物が添加された第１の非晶質膜を堆積し、第１の非晶質膜の上に、第３の非晶質下層膜を堆積し、第３の非晶質下層膜の上に、微結晶を形成し、微結晶を覆うように、第３の非晶質下層膜の上に、第３の非晶質上層膜を堆積し、第３の非晶質上層膜の上に、第２の不純物が添加された第２の非晶質膜を堆積する。さらに、マイクロ波を照射することにより、第１の非晶質膜を結晶化して、第１導電型結晶層を形成し、第２の非晶質膜を結晶化して、第２導電型結晶層を形成し、第３の非晶質下層膜と第３の非晶質上層膜とを結晶化して、第３導電型結晶層を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）