半導体装置
【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を構成成分とする非晶質上の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時では、非晶質上に形成された半導体薄膜を利用する半導体装置が注目されている。多結晶シリコン薄膜あるいは非晶質シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機半導体薄膜からなる有機ＴＦＴ、酸化物半導体薄膜からなる酸化物ＴＦＴなどはその一例であり、フラットパネルデイスプレイやフレキシブルエレクトロニクスに応用する技術として注目されている。また、ガラスやプラスチック上に形成された半導体薄膜を利用した太陽電池はグリーンテクノロジーとして注目されている。さらに、半導体薄膜を利用したフォトダイオードやフォトトランジスタに代表される光センサも今後注目される技術である。
【０００３】
従来において、これらの半導体装置は、非晶質上に低コストで半導体装置を形成する技術として注目された分野であった。しかし、近時では低コスト化のみでなく、高性能化も同時に強く要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近時では、非晶質上に形成された半導体薄膜を利用した半導体装置が注目されている。ガラスやプラスチック上に形成されたシリコン半導体薄膜からなるシリコンＴＦＴ、同じくガラスやプラスチック上に形成された有機半導体からなる有機ＴＦＴ、同じくガラスやプラスチック上に形成された酸化物半導体からなる酸化物ＴＦＴなどはその一例であり、フラットパネルデイスプレイやフレキシブルエレクトロニクスに応用する技術として注目されている。また、ガラスやプラスチック上に形成された半導体薄膜を利用した太陽電池はグリーンテクノロジーとして注目されている。さらに、半導体薄膜を利用したフォトダイオードやフォトトランジスタに代表される光センサも注目される技術である。
【０００５】
これらの半導体装置は、ガラスやプラスチックに代表される非晶質上に低コストで半導体装置を形成するために開発されてきた分野である。しかし、近時では低コスト化のみでなく、高性能化も同時に強く要求されている。
【０００６】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ＳｉとＧｅを構成成分とする半導体薄膜を利用して形成された半導体装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】
図１は本発明の実施形態による半導体薄膜の特徴を示す概略図である。ここで、結晶粒（１）の表面方位は全ての結晶粒に対して同一であり、さらに結晶粒の成長方位は全ての結晶粒に対して同一である。
【０００９】
さらに、図１において各々の結晶粒（１）はリボン状の細長い形状を有しており、各々の結晶粒は直線状の形状を有する高濃度Ｇｅからなる疑似Ｇｅ領域（２）によって挟まれる。
【００１０】
疑似Ｇｅ領域（２）に含まれるＧｅ濃度は、初期ＳｉＧｅ薄膜のＧｅ濃度よりも高濃度である。さらに、各々の結晶粒（１）内のＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ、初期ＳｉＧｅ薄膜のＧｅ濃度よりも低濃度である。従って、各々の結晶粒は、相互に結晶方位の整ったＳｉを主成分とする結晶粒となり、疑似的な単結晶Ｓｉ薄膜と見なされる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、非晶質上に疑似的な単結晶Ｓｉ薄膜を形成することが可能になる。
【００１２】
さらに、非晶質上に高性能な半導体装置の実現を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
第１の実施例について示す。ここでは、非晶質としてガラスを例にとり、該ガラス基板上に疑似単結晶Ｓｉ薄膜を形成する技術を示す。
【００１４】
ガラス上に非晶質Ｓｉ０．５５Ｇｅ０．４５薄膜を１００ｎｍの厚さで形成する。この膜の成膜方法としてプラズマＣＶＤ技術を利用した。原料ガスはモノシラン（ＳｉＨ４）とゲラン（ＧｅＨ４）を利用し、成膜時の基板温度は３００℃に設定している。
【００１５】
なお、ＳｉとＧｅからなる初期半導体薄膜の成膜は、プラズマＣＶＤ技術に限定されたものではなく、スパッタリング技術、分子線エピタキシー技術、減圧ＣＶＤ技術などの他の化学気相成長法や物理気相成長法を利用しても良い。
【００１６】
引き続いて、プラズマＣＶＤ技術で形成した初期非晶質Ｓｉ０．５５Ｇｅ０．４５薄膜中の水素を除去するために、４５０℃６０分の水素出しの熱処理を窒素雰囲気中で行った。
【００１７】
次に、半導体励起固体連続波（ＣＷ）グリーンレーザ（Ｎｄ：ＹＶＯ４、２ω、波長５３２ｎｍ）を利用してラテラル融液成長（一方向凝固）を実現する。
【００１８】
レ−ザ本体から出射された円形のレ−ザビームは、光学系レンズにより、ほぼ線状に成形されている。このレ−ザは可視光であるためにガラスを透過する。そのためガラスに熱損傷を与えることはない。
【００１９】
また、使用している半導体励起固体ＣＷグリーンレーザは全固体レ−ザであることから出力の安定性が非常に高く、再現性良くガラス基板上でラテラル融液成長を実現することができる。
【００２０】
なお、本実験においてはレ−ザのスキャン速度は４００ｍｍ／ｓに設定しているが、この速度に限定されたものではない。
【００２１】
図２は結晶成長時の固液界面の様子、および固化後の結晶の様子を模式化した概略図である。
【００２２】
なお、本実施例では、一方向凝固による結晶成長のためにＣＷレ−ザ光を利用したが、ＣＷレ−ザ光に限定されたものではなく、パルスのレ−ザ光を用いた一方向成長（凝固）でもよい。
【００２３】
また、一方向凝固あるいは一方向成長が可能な融液成長であれば、レ−ザ以外のエネルギービームによる成長技術を利用してもよい。
【００２４】
図３は、走査型電子顕微鏡により観測した疑似単結晶Ｓｉ薄膜の結晶粒の分布の様子を示している。
【００２５】
本技術を用いることにより、長さ１００μｍに及ぶリボン状の結晶粒を有する半導体薄膜をガラスに熱損傷を与えることなく形成できる。
【００２６】
図４（ａ）は透過型電子顕微鏡で観測した結晶粒の拡大写真、および図４（ｂ）は分析電子顕微鏡を利用して観測したＧｅとＳｉの濃度分布を示している。なお図４（ｂ）は図４（ａ）のＡＢの直線に沿ってＧｅ濃度とＳｉ濃度を分析した結果である。
【００２７】
Ｇｅはレ−ザのスキャン方向に平行で且つ直線的に高濃度化し、疑似Ｇｅ領域を自己組織的に形成している。この疑似Ｇｅ領域のＧｅ濃度は、Ｓｉの濃度よりも高くなっている。
【００２８】
従って、各々の結晶粒中のＧｅ濃度は非常に低く保たれており、各々の結晶粒は疑似的にＳｉからなる結晶粒であると見なすことができる。
【００２９】
図５は後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）を利用して結晶方位を調べた結果である。図５（ａ）は、ノーマル・ディフラクション、図５（ｂ）はレファレンス・ディフラクションを示している。ここで、ノーマル・ディフラクションはサンプル表面に垂直な方位を示す。また、レファレンス・ディフラクションは、図５（ａ）（ｂ）の下の矢印から構成される図面のＲＤと示された方向に対応する。この方向はレ−ザのスキャン方向であり、結晶成長方向に対応する。図５（ｃ）はノーマル・ディフラクションに対する強度分布を示している。さらに図５（ｄ）はレファレンス・ディフラクションに対する強度分布を示している。これらの結果は、各々の結晶粒の表面方位は（１１１）に整列して配向していることを示している。また、各々の結晶粒の成長方位は＜０１１＞、あるいは＜０１１＞に近い方位である＜１３３＞方位に整列していることを示している。
【００３０】
以上のごとく、形成された各々の結晶粒の方位は相互に同一方向に整列し、各結晶粒内のＧｅ濃度は非常に低く保たれており、Ｇｅは疑似Ｇｅ領域に集積していることから、本半導体薄膜は疑似的な単結晶Ｓｉ薄膜と見なすことができる。
【００３１】
なお、本実施例では、各々の結晶粒の表面は（１１１）面に整列しており、各々の結晶粒の成長方位は＜０１１＞、あるいは＜０１１＞に近い方位である＜１３３＞方向に整列しているが、表面配向および成長方位は本実施例の方位に限定されたものではない。
【００３２】
形成した疑似単結晶Ｓｉ薄膜を光吸収で観測した結果を図６に示す。
【００３３】
１．０ｅＶ付近より吸収が強くなり、単結晶Ｓｉの光吸収と同様の傾向を示している。これは、Ｇｅは直線状に且つ局所的に集積しており、結晶粒はＳｉから成り立っているという図４の結果と矛盾しない。
【００３４】
第２の実施例では、疑似単結晶Ｓｉ薄膜を利用して形成したガラス上のＴＦＴ技術について述べる。
【００３５】
実施例としてＴＦＴを取り上げるが、疑似単結晶Ｓｉ薄膜はＴＦＴに応用を限定したものではなく、太陽電池・センサ・ＭＥＭＳ・３次元集積回路など多方面の半導体薄膜を利用した半導体装置に展開することが可能である。
【００３６】
図７は第２の実施例を実現するためのプロセス工程図である。
【００３７】
ガラス上に疑似単結晶Ｓｉ薄膜を形成する技術は第１の実施例と同様である。本半導体薄膜を用い、フォトリソグラフィー技術と反応性イオンエッチング装置を利用してＴＦＴのトランジスタ・アイランド（７）を形成する。図７（ａ）は本工程を示している。
【００３８】
引き続いて、プラズマＣＶＤを利用して酸化膜（８）を形成する。この際、酸化膜の厚さは５０ｎｍに設定した。図７（ｂ）は本工程を示している。
【００３９】
次に、スパッタリング法を利用して、Ｍｏを３００ｎｍの厚さ成長する。引き続いて、フォトリソグラフィー技術を利用して、メタルゲート（９）を形成した。図６（ｃ）は本工程を示している。
【００４０】
次に、ソース・ドレイン（１０）に対応する領域にイオン注入でリンを注入したのち、５５０℃６時間の熱活性化を行い、ソース・ドレインにイオン注入されたリンを活性化した。リンの注入条件は、１０ＫｅＶ、３×１０１５ｃｍ−２である。また、熱活性化の条件は５５０℃６時間である。図６（ｄ）は本工程を示している。
【００４１】
引き続いて、層間絶縁膜（１１）を形成後、コンタクトホール（１２）を形成した。図６（ｅ）と（ｆ）は、本工程を示している。
【００４２】
引き続いて、Ｍｏをスパッタして電極（１３）を形成した。図６（ｇ）は本工程を示している。
【００４３】
最後に、４００℃６０分の水素化処理を行いＴＦＴの完成である。
【００４４】
ＴＦＴの測定結果を図８に示す。ドレイン電圧＝１．０（Ｖ）時のトランスファ特性である。線形領域の移動度を計算した結果、５００ｃｍ２／Ｖｓという値が得られた。単結晶シリコンの移動度が７００ｃｍ２／Ｖｓであることから、移動度５００ｃｍ２／Ｖｓは，ほぼ単結晶シリコンの移動度に匹敵する性能である。
【００４５】
なお、本実施例では非晶質としてガラス基板を利用したが、非晶質はガラス基板に限定したものではない。
【００４６】
また、本発明の適用範囲は、シリコン基板上あるいは非晶質基板上に形成された半導体装置の上層にバッファー層を形成後、該非晶質バッファー層の上に形成した本発明からなる半導体装置であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体薄膜を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体薄膜の成長過程を示す概略図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による半導体薄膜の走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】図３に引き続き、本発明の第１の実施形態による（ａ）透過電子顕微鏡写真および（ｂ）分析電子顕微鏡によるＳｉとＧｅの濃度分布に関する結果である。
【図５】図４に引き続き、本発明の第１の実施形態による半導体薄膜を後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）により評価した結果である。（ａ）はノーマル・ディフラクション、（ｂ）はレファレンス・ディフラクションを示している。（ｃ）はノーマル・ディフラクションに対する強度分布を示している。さらに（ｄ）はレファレンス・ディフラクションに対する強度分布を示している。
【図６】本発明の第１の実施形態による光吸収スペクトル
【図７】本発明の第２の実施形態によるＴＦＴの製造プロセス
【図８】本発明の第２の実施形態によるＴＦＴの性能。トランスファ特性を示す。
【符号の説明】
【００４８】
１ 結晶粒
２ 疑似Ｇｅ領域
３ 固液界面
４ 結晶成長方向
６ ガラス基板
７ Ｓｉアイランド
８ ゲート酸化膜
９ ゲートメタル
１０ ソース・ドレイン
１１ 層間絶縁膜
１２ コンタクトホール
１３ 電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を構成成分とする非晶質上の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時では、非晶質上に形成された半導体薄膜を利用する半導体装置が注目されている。多結晶シリコン薄膜あるいは非晶質シリコン薄膜からなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機半導体薄膜からなる有機ＴＦＴ、酸化物半導体薄膜からなる酸化物ＴＦＴなどはその一例であり、フラットパネルデイスプレイやフレキシブルエレクトロニクスに応用する技術として注目されている。また、ガラスやプラスチック上に形成された半導体薄膜を利用した太陽電池はグリーンテクノロジーとして注目されている。さらに、半導体薄膜を利用したフォトダイオードやフォトトランジスタに代表される光センサも今後注目される技術である。
【０００３】
従来において、これらの半導体装置は、非晶質上に低コストで半導体装置を形成する技術として注目された分野であった。しかし、近時では低コスト化のみでなく、高性能化も同時に強く要求されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近時では、非晶質上に形成された半導体薄膜を利用した半導体装置が注目されている。ガラスやプラスチック上に形成されたシリコン半導体薄膜からなるシリコンＴＦＴ、同じくガラスやプラスチック上に形成された有機半導体からなる有機ＴＦＴ、同じくガラスやプラスチック上に形成された酸化物半導体からなる酸化物ＴＦＴなどはその一例であり、フラットパネルデイスプレイやフレキシブルエレクトロニクスに応用する技術として注目されている。また、ガラスやプラスチック上に形成された半導体薄膜を利用した太陽電池はグリーンテクノロジーとして注目されている。さらに、半導体薄膜を利用したフォトダイオードやフォトトランジスタに代表される光センサも注目される技術である。
【０００５】
これらの半導体装置は、ガラスやプラスチックに代表される非晶質上に低コストで半導体装置を形成するために開発されてきた分野である。しかし、近時では低コスト化のみでなく、高性能化も同時に強く要求されている。
【０００６】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、ＳｉとＧｅを構成成分とする半導体薄膜を利用して形成された半導体装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【０００８】
図１は本発明の実施形態による半導体薄膜の特徴を示す概略図である。ここで、結晶粒（１）の表面方位は全ての結晶粒に対して同一であり、さらに結晶粒の成長方位は全ての結晶粒に対して同一である。
【０００９】
さらに、図１において各々の結晶粒（１）はリボン状の細長い形状を有しており、各々の結晶粒は直線状の形状を有する高濃度Ｇｅからなる疑似Ｇｅ領域（２）によって挟まれる。
【００１０】
疑似Ｇｅ領域（２）に含まれるＧｅ濃度は、初期ＳｉＧｅ薄膜のＧｅ濃度よりも高濃度である。さらに、各々の結晶粒（１）内のＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ、初期ＳｉＧｅ薄膜のＧｅ濃度よりも低濃度である。従って、各々の結晶粒は、相互に結晶方位の整ったＳｉを主成分とする結晶粒となり、疑似的な単結晶Ｓｉ薄膜と見なされる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、非晶質上に疑似的な単結晶Ｓｉ薄膜を形成することが可能になる。
【００１２】
さらに、非晶質上に高性能な半導体装置の実現を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
第１の実施例について示す。ここでは、非晶質としてガラスを例にとり、該ガラス基板上に疑似単結晶Ｓｉ薄膜を形成する技術を示す。
【００１４】
ガラス上に非晶質Ｓｉ０．５５Ｇｅ０．４５薄膜を１００ｎｍの厚さで形成する。この膜の成膜方法としてプラズマＣＶＤ技術を利用した。原料ガスはモノシラン（ＳｉＨ４）とゲラン（ＧｅＨ４）を利用し、成膜時の基板温度は３００℃に設定している。
【００１５】
なお、ＳｉとＧｅからなる初期半導体薄膜の成膜は、プラズマＣＶＤ技術に限定されたものではなく、スパッタリング技術、分子線エピタキシー技術、減圧ＣＶＤ技術などの他の化学気相成長法や物理気相成長法を利用しても良い。
【００１６】
引き続いて、プラズマＣＶＤ技術で形成した初期非晶質Ｓｉ０．５５Ｇｅ０．４５薄膜中の水素を除去するために、４５０℃６０分の水素出しの熱処理を窒素雰囲気中で行った。
【００１７】
次に、半導体励起固体連続波（ＣＷ）グリーンレーザ（Ｎｄ：ＹＶＯ４、２ω、波長５３２ｎｍ）を利用してラテラル融液成長（一方向凝固）を実現する。
【００１８】
レ−ザ本体から出射された円形のレ−ザビームは、光学系レンズにより、ほぼ線状に成形されている。このレ−ザは可視光であるためにガラスを透過する。そのためガラスに熱損傷を与えることはない。
【００１９】
また、使用している半導体励起固体ＣＷグリーンレーザは全固体レ−ザであることから出力の安定性が非常に高く、再現性良くガラス基板上でラテラル融液成長を実現することができる。
【００２０】
なお、本実験においてはレ−ザのスキャン速度は４００ｍｍ／ｓに設定しているが、この速度に限定されたものではない。
【００２１】
図２は結晶成長時の固液界面の様子、および固化後の結晶の様子を模式化した概略図である。
【００２２】
なお、本実施例では、一方向凝固による結晶成長のためにＣＷレ−ザ光を利用したが、ＣＷレ−ザ光に限定されたものではなく、パルスのレ−ザ光を用いた一方向成長（凝固）でもよい。
【００２３】
また、一方向凝固あるいは一方向成長が可能な融液成長であれば、レ−ザ以外のエネルギービームによる成長技術を利用してもよい。
【００２４】
図３は、走査型電子顕微鏡により観測した疑似単結晶Ｓｉ薄膜の結晶粒の分布の様子を示している。
【００２５】
本技術を用いることにより、長さ１００μｍに及ぶリボン状の結晶粒を有する半導体薄膜をガラスに熱損傷を与えることなく形成できる。
【００２６】
図４（ａ）は透過型電子顕微鏡で観測した結晶粒の拡大写真、および図４（ｂ）は分析電子顕微鏡を利用して観測したＧｅとＳｉの濃度分布を示している。なお図４（ｂ）は図４（ａ）のＡＢの直線に沿ってＧｅ濃度とＳｉ濃度を分析した結果である。
【００２７】
Ｇｅはレ−ザのスキャン方向に平行で且つ直線的に高濃度化し、疑似Ｇｅ領域を自己組織的に形成している。この疑似Ｇｅ領域のＧｅ濃度は、Ｓｉの濃度よりも高くなっている。
【００２８】
従って、各々の結晶粒中のＧｅ濃度は非常に低く保たれており、各々の結晶粒は疑似的にＳｉからなる結晶粒であると見なすことができる。
【００２９】
図５は後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）を利用して結晶方位を調べた結果である。図５（ａ）は、ノーマル・ディフラクション、図５（ｂ）はレファレンス・ディフラクションを示している。ここで、ノーマル・ディフラクションはサンプル表面に垂直な方位を示す。また、レファレンス・ディフラクションは、図５（ａ）（ｂ）の下の矢印から構成される図面のＲＤと示された方向に対応する。この方向はレ−ザのスキャン方向であり、結晶成長方向に対応する。図５（ｃ）はノーマル・ディフラクションに対する強度分布を示している。さらに図５（ｄ）はレファレンス・ディフラクションに対する強度分布を示している。これらの結果は、各々の結晶粒の表面方位は（１１１）に整列して配向していることを示している。また、各々の結晶粒の成長方位は＜０１１＞、あるいは＜０１１＞に近い方位である＜１３３＞方位に整列していることを示している。
【００３０】
以上のごとく、形成された各々の結晶粒の方位は相互に同一方向に整列し、各結晶粒内のＧｅ濃度は非常に低く保たれており、Ｇｅは疑似Ｇｅ領域に集積していることから、本半導体薄膜は疑似的な単結晶Ｓｉ薄膜と見なすことができる。
【００３１】
なお、本実施例では、各々の結晶粒の表面は（１１１）面に整列しており、各々の結晶粒の成長方位は＜０１１＞、あるいは＜０１１＞に近い方位である＜１３３＞方向に整列しているが、表面配向および成長方位は本実施例の方位に限定されたものではない。
【００３２】
形成した疑似単結晶Ｓｉ薄膜を光吸収で観測した結果を図６に示す。
【００３３】
１．０ｅＶ付近より吸収が強くなり、単結晶Ｓｉの光吸収と同様の傾向を示している。これは、Ｇｅは直線状に且つ局所的に集積しており、結晶粒はＳｉから成り立っているという図４の結果と矛盾しない。
【００３４】
第２の実施例では、疑似単結晶Ｓｉ薄膜を利用して形成したガラス上のＴＦＴ技術について述べる。
【００３５】
実施例としてＴＦＴを取り上げるが、疑似単結晶Ｓｉ薄膜はＴＦＴに応用を限定したものではなく、太陽電池・センサ・ＭＥＭＳ・３次元集積回路など多方面の半導体薄膜を利用した半導体装置に展開することが可能である。
【００３６】
図７は第２の実施例を実現するためのプロセス工程図である。
【００３７】
ガラス上に疑似単結晶Ｓｉ薄膜を形成する技術は第１の実施例と同様である。本半導体薄膜を用い、フォトリソグラフィー技術と反応性イオンエッチング装置を利用してＴＦＴのトランジスタ・アイランド（７）を形成する。図７（ａ）は本工程を示している。
【００３８】
引き続いて、プラズマＣＶＤを利用して酸化膜（８）を形成する。この際、酸化膜の厚さは５０ｎｍに設定した。図７（ｂ）は本工程を示している。
【００３９】
次に、スパッタリング法を利用して、Ｍｏを３００ｎｍの厚さ成長する。引き続いて、フォトリソグラフィー技術を利用して、メタルゲート（９）を形成した。図６（ｃ）は本工程を示している。
【００４０】
次に、ソース・ドレイン（１０）に対応する領域にイオン注入でリンを注入したのち、５５０℃６時間の熱活性化を行い、ソース・ドレインにイオン注入されたリンを活性化した。リンの注入条件は、１０ＫｅＶ、３×１０１５ｃｍ−２である。また、熱活性化の条件は５５０℃６時間である。図６（ｄ）は本工程を示している。
【００４１】
引き続いて、層間絶縁膜（１１）を形成後、コンタクトホール（１２）を形成した。図６（ｅ）と（ｆ）は、本工程を示している。
【００４２】
引き続いて、Ｍｏをスパッタして電極（１３）を形成した。図６（ｇ）は本工程を示している。
【００４３】
最後に、４００℃６０分の水素化処理を行いＴＦＴの完成である。
【００４４】
ＴＦＴの測定結果を図８に示す。ドレイン電圧＝１．０（Ｖ）時のトランスファ特性である。線形領域の移動度を計算した結果、５００ｃｍ２／Ｖｓという値が得られた。単結晶シリコンの移動度が７００ｃｍ２／Ｖｓであることから、移動度５００ｃｍ２／Ｖｓは，ほぼ単結晶シリコンの移動度に匹敵する性能である。
【００４５】
なお、本実施例では非晶質としてガラス基板を利用したが、非晶質はガラス基板に限定したものではない。
【００４６】
また、本発明の適用範囲は、シリコン基板上あるいは非晶質基板上に形成された半導体装置の上層にバッファー層を形成後、該非晶質バッファー層の上に形成した本発明からなる半導体装置であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体薄膜を示す概略図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体薄膜の成長過程を示す概略図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による半導体薄膜の走査型電子顕微鏡写真である。
【図４】図３に引き続き、本発明の第１の実施形態による（ａ）透過電子顕微鏡写真および（ｂ）分析電子顕微鏡によるＳｉとＧｅの濃度分布に関する結果である。
【図５】図４に引き続き、本発明の第１の実施形態による半導体薄膜を後方散乱電子回折（ＥＢＳＤ）により評価した結果である。（ａ）はノーマル・ディフラクション、（ｂ）はレファレンス・ディフラクションを示している。（ｃ）はノーマル・ディフラクションに対する強度分布を示している。さらに（ｄ）はレファレンス・ディフラクションに対する強度分布を示している。
【図６】本発明の第１の実施形態による光吸収スペクトル
【図７】本発明の第２の実施形態によるＴＦＴの製造プロセス
【図８】本発明の第２の実施形態によるＴＦＴの性能。トランスファ特性を示す。
【符号の説明】
【００４８】
１ 結晶粒
２ 疑似Ｇｅ領域
３ 固液界面
４ 結晶成長方向
６ ガラス基板
７ Ｓｉアイランド
８ ゲート酸化膜
９ ゲートメタル
１０ ソース・ドレイン
１１ 層間絶縁膜
１２ コンタクトホール
１３ 電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を構成成分とする多結晶半導体薄膜からなる半導体装置において、該多結晶半導体薄膜は相互に同一の方位を有する結晶粒から構成されている半導体薄膜である特徴を有する半導体装置。
【請求項２】
リボン状の細長い形状を有する結晶粒からなることを特徴とした請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
結晶粒内では、Ｇｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であることを特徴とする請求項１から請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
ＧｅがＳｉよりも高濃度に含まれた直線的形状から成る疑似Ｇｅ領域を含有していることを特徴とする請求項１から請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
各々の結晶粒は、相互に平行の関係を有する疑似Ｇｅ領域に挟まれていることを特徴とする請求項１から請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
Ｇｅ濃度は、疑似Ｇｅ領域中のＧｅ濃度＞初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度＞結晶粒内のＧｅ濃度 の関係を満たすことを特徴とする請求項１から請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
非晶質上に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６に記載の半導体装置。
【請求項１】
シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）を構成成分とする多結晶半導体薄膜からなる半導体装置において、該多結晶半導体薄膜は相互に同一の方位を有する結晶粒から構成されている半導体薄膜である特徴を有する半導体装置。
【請求項２】
リボン状の細長い形状を有する結晶粒からなることを特徴とした請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
結晶粒内では、Ｇｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であることを特徴とする請求項１から請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
ＧｅがＳｉよりも高濃度に含まれた直線的形状から成る疑似Ｇｅ領域を含有していることを特徴とする請求項１から請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
各々の結晶粒は、相互に平行の関係を有する疑似Ｇｅ領域に挟まれていることを特徴とする請求項１から請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
Ｇｅ濃度は、疑似Ｇｅ領域中のＧｅ濃度＞初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度＞結晶粒内のＧｅ濃度 の関係を満たすことを特徴とする請求項１から請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
非晶質上に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−４９４８４（Ｐ２０１２−４９４８４Ａ）
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２０６０９４（Ｐ２０１０−２０６０９４）
【出願日】平成２２年８月２７日（２０１０．８．２７）
【出願人】（７０９００２００４）学校法人東北学院 (10)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月８日（２０１２．３．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年８月２７日（２０１０．８．２７）
【出願人】（７０９００２００４）学校法人東北学院 (10)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]