【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、非晶質酸化物半導体膜を形成し、該非晶質酸化物半導体膜に酸素を導入して酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、結晶性酸化物半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体特性を有する酸化物半導体膜の形成方法を提供する。さらに、該酸化物半導体膜を適用し、良好な電気特性を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に接して設けられた水素透過膜を形成し、水素透過膜上に接して設けられた水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜から水素を脱離させる酸化物半導体膜の形成方法である。また、該形成方法を用いて作製する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性の安定した酸化物半導体膜を用いることにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供すること。また、結晶性の高い酸化物半導体膜を用いることにより、移動度の向上した半導体装置を提供すること。
【解決手段】表面粗さの低減された絶縁膜上に接して、結晶性を有する酸化物半導体膜を形成することにより、電気的特性の安定した酸化物半導体膜を形成することができる。これにより、半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。さらに、移動度の向上した半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を活性層に用いるトランジスタにおいて、チャネル領域と隣接するソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設ける。酸化物半導体膜に形成されるソース領域およびドレイン領域に微小な空洞を設けることによって、微小な空洞に酸化物半導体膜のチャネル領域に含まれる水素を捕獲させることができる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体層２０５のエッチングと、画素電極２１０とドレイン電極２０６ｂを接続するためのコンタクトホール２０８の形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質上に低コストで高性能な半導体装置を形成する技術を提供する。
【解決手段】ＧｅがＳｉ濃度よりも高濃度に含まれた疑似Ｇｅ領域（２）を含有し、該領域のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも高濃度であり、リボン形状をした結晶粒（１）は、互いに平行で且つ直線状に配置している疑似Ｇｅ領域（２）に挟まれる構造を有し、結晶粒（１）内においてＧｅ濃度はＳｉ濃度よりも低濃度であり、且つ結晶粒（１）内のＧｅ濃度は初期ＳｉＧｅ薄膜中のＧｅ濃度よりも低濃度であり、さらに各々の結晶粒（１）は相互に同一の方位を有する結晶粒から成っていることを特徴とする非晶質上の半導体薄膜からなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い酸化物半導体膜の作製方法を提供することを課題の一とする。また、高い電界効果移動度を有するトランジスタの作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気で熱処理をして、酸化物半導体膜を結晶化させる酸化物半導体膜の作製方法である。また、基板上に、ゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸素を意図的に含ませない雰囲気で酸化物半導体膜を形成し、酸素を含む雰囲気での第１の熱処理をして、酸化物半導体を結晶化させ、結晶化した酸化物半導体膜上にソース電極およびドレイン電極を形成し、結晶化した酸化物半導体膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸素原子を含む絶縁膜を形成し、結晶化した酸化物半導体膜を第２の熱処理により酸化させるトランジスタの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタは基板上に形成されたゲート電極、ゲート電極と重なり、第１２族元素と第１６族元素（但し、酸素元素は除く）または第１３族元素と第１５族元素を含む非結晶質の多元系化合物（ｍｕｌｔｉ−ｅｌｅｍｅｎｔｓ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含んで、電子移動度が約０．８ｃｍ^２／Ｖｓ以上の半導体パターン、半導体パターンの第１端部と重なるソース電極、及び半導体パターンの第２端部と重なってソース電極と離隔されたドレイン電極を含む。非結晶質の多元系化合物を半導体パターンに適用することによって薄膜トランジスタの駆動特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に高品質の単結晶半導体層を形成する。
【解決手段】基板上に単結晶の半導体材料の層を形成する方法に関し、この方法は、基板１を準備する工程と、基板上に少なくとも１つの半導体材料の単分子層２を含むテンプレートをエピタキシャル成長する工程と、テンプレート上に半導体材料のアモルファス層３を堆積する工程と、熱処理またはレーザアニールを行い、半導体材料のアモルファス層を、半導体材料の単結晶層に完全に変える工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い部分を有する基板に加熱処理をして半導体基板を製造する。
【解決手段】単結晶層を有し熱処理される被熱処理部と、熱処理で加えられる熱から保護されるべき被保護部とを備えるベース基板を熱処理して半導体基板を製造する方法であって、被保護部の上方に、ベース基板に照射される電磁波から被保護部を保護する保護層を設ける段階と、ベース基板の全体に電磁波を照射することにより被熱処理部をアニールする段階とを備える半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】元となる単結晶ＳｉＣ基板の結晶多形の如何にかかわらず、その表面を４Ｈ−ＳｉＣ単結晶に改質することが可能な気相技術を提供する。
【解決手段】結晶多形が３Ｃ、４Ｈ、又は６Ｈの何れかよりなる単結晶ＳｉＣ基板５を高真空環境において加熱して、当該単結晶ＳｉＣ基板の表面に炭化層５ａを形成させる。次に、炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記炭化層５ａをシリコンと反応させてアモルファスＳｉＣ層５ｂを生成させる。また、前記嵌合容器に前記単結晶ＳｉＣ基板を収容した状態で上記と同様の条件で加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスＳｉＣの少なくとも一部を再結晶させて単結晶４Ｈ−ＳｉＣ層５ｃを生成させる。 （もっと読む）

本発明は、電子工学、光学、光電子工学または光起電力工学用の、基板(10)と前記基板(10)の一方の面上に材料を堆積させることにより形成された層(20)とを含む構造体(1)の製造方法に関し、この方法は、前記基板(10)の面(1B)が堆積した材料の層(20)により覆われ、前記基板の他の面(1A)が露出している前記構造体(1)を形成するように、−一方で前記基板(10)を、他方で残りの部分を画定する脆化区域を含む脆化された基板を形成する工程、−前記脆化された基板の2つの面のそれぞれの上に前記材料の層を堆積させる工程、−前記脆化された基板をへき開する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】
本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜３を形成する。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】半導体装置の製造方法の１形態として、多結晶半導体を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する工程で、ＴＦＴ内部にあるチャネル領域に、異なる結晶粒径を有する構造を形成することは困難であった。そのため、チャネル領域に電流駆動能力の大きい結晶粒の大きいＴＦＴを形成すると寄生バイポーラ効果により電気的な動作が不安定になる。又寄生バイポーラ効果を抑制可能な微細結晶を用いた場合には、電流駆動能力が小さくなるという課題がある。
【解決手段】チャネル部分に半透過マスクを用いたパターンを形成し、レーザーアニールを行う場合に、チャネル近傍でのアニール後の結晶粒の分布を制御する。例えばチャネル中央領域に強いレーザーアニールを行い、ゲート端部に弱いレーザーアニールを施すことで寄生バイポーラ動作の発生を抑制し、且つ高い電流駆動能力を持つ半導体装置としてのＴＦＴの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】常圧又は常圧に近い低圧下で、ＧａＮのような融点の高い化合物半導体を分解することなく溶融させることができ、これにより、融液の徐冷によって化合物半導体の活性を高めることができる化合物半導体の活性化方法及び装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体を反応容器１２内に収容し、化合物半導体の融点における平衡蒸気圧が１気圧以下の低蒸気圧ガス２により反応容器内を置換し、反応容器内を前記平衡蒸気圧以上の圧力に保持しながら低蒸気圧ガスを化合物半導体の表面に沿って流し、バンドギャップが前記化合物半導体のそれより大きいパルスレーザ３を化合物半導体の表面に照射する。これにより、低蒸気圧ガスの雰囲気温度を室温あるいは分解温度以下に保持しながら、パルスレーザの照射位置の化合物半導体のみを瞬間的に加熱して溶融させる。 （もっと読む）

【課題】より平坦化された剥離面が得られるレーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置を提供すること。
【解決手段】本発明による方法は、基板上に形成された結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該結晶層を剥離するレーザーリフトオフ法であって、該レーザー光を楕円形にして照射することを特徴とする。本発明による装置は、基板上に形成された結晶層に該基板側からレーザー光を照射することにより該結晶層を剥離するレーザーリフトオフ装置であって、該レーザー光を楕円形にする手段を具備することを特徴とする。 （もっと読む）