【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の結晶配置の方向を制御し、良質な酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタのチャネル層となる酸化物層と絶縁層からなる積層構造であって、前記酸化物層を構成する材料は、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなり、前記酸化物層のキャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３以下、平均結晶粒径が１μｍ以上であり、前記酸化物層の結晶が、前記絶縁層の表面に柱状に配置していることを特徴とする積層構造。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生
産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向か
って結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化
物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部
材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の
同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】新たな構造の酸化物半導体層を用いた新たな構造の半導体装置を提供することを
目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上の、第１の酸化物半導体層の表面から内部に向かっ
て成長させた結晶領域を有する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上の第２
の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層
と、第２の酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層を覆うゲート絶縁層と
、ゲート絶縁層上の、第２の酸化物半導体層と重畳する領域のゲート電極層と、を有し、
第２の酸化物半導体層は、結晶領域から成長させた結晶を有する層である半導体装置であ
る。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置は、可視光や紫外光を照射することで電気的特性が変化する。このような問題に鑑み、酸化物半導体膜を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層上に膜厚が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の第１の酸化物半導体層を形成し、加熱処理により結晶化させ、第１の結晶性酸化物半導体層を形成し、その上に第１の結晶性酸化物半導体層よりも厚い第２の結晶性酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させると共に、電気的特性を改善することができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１１上に成膜された非晶質シリコン膜２０に、ガラス基板１１の裏面側からレーザ光を照射することによって、縦成長モードで多結晶シリコン膜３０を形成する。多結晶シリコン膜３０は、溶融した半導体の表面に高い密度で形成された種結晶からガラス基板１１側に向かって固化することにより形成される。これにより、多結晶シリコン膜３０の表面付近には、微結晶シリコン領域を多く含む不完全結晶層３２が形成される。そこで、不完全結晶層３２をエッチングにより除去して、多結晶シリコン膜３３を形成し、多結晶シリコン膜３３を活性層とするＴＦＴを製造する。 （もっと読む）

【課題】分周回路の動作不良を抑制する。
【解決手段】第１又は第２のクロック信号に従って２×Ｘ個（Ｘは２以上の自然数）のパルス信号を生成して出力するシフトレジスタと、２×Ｘ個のパルス信号に従って、第１のクロック信号の周期のＸ倍の周期である第３のクロック信号となる信号を生成して出力する分周信号出力回路と、を具備し、分周信号出力回路は、ゲートのそれぞれに、２×Ｘ個のパルス信号における１個目乃至Ｘ個目のパルス信号のうち、互いに異なるパルス信号が入力され、第３のクロック信号となる信号の電圧を第１の電圧に設定するか否かを制御するＸ個の第１のトランジスタと、ゲートのそれぞれに、２×Ｘ個のパルス信号におけるＸ＋１個目乃至２×Ｘ個目のパルス信号のうち、互いに異なるパルス信号が入力され、第３のクロック信号となる信号の電圧を第２の電圧に設定するか否かを制御するＸ個の第２のトランジスタと、を備える。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向とチャネル領域の方向とが直交しているトランジスタの性能を向上させるとともに、各トランジスタの特性のバラツキを少なくする。
【解決手段】本発明の結晶性半導体膜の形成方法は、基板１１上にアモルファスシリコン膜（非晶質半導体膜）１２を形成する工程と、第１のレーザ光２０ａおよび基板１１のうちの少なくとも一方を移動させながら、アモルファスシリコン膜１２に対して第１のレーザ光２０ａを照射し、その移動方向に沿って半導体膜の結晶を成長させてアモルファスシリコン膜１２から多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１３を得る工程と、多結晶シリコン膜１３に対して、第１のレーザ光２０ａよりもエネルギー量の小さい第２のレーザ光３０ａを照射して、半導体膜の厚さ方向に対して結晶を成長させて、再結晶化後の多結晶シリコン膜（結晶性半導体膜）１４を得る工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】不純物が混入しない酸化物半導体を用いた半導体素子の作製に用いる連続成膜装置を提供することを課題とする。
【解決手段】１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続するロードロック室と、基板を加熱する第１の加熱手段が設けられた基板保持部と、少なくとも基板保持部周辺の壁面を加熱する第２の加熱手段と、スパッタリング用ターゲットを固定するターゲット保持部とが備えられ、それぞれが１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する複数の成膜室と、１０^−８Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する加熱室と、ロードロック室、加熱室、及び成膜室のそれぞれとゲートバルブを介して連結され、１０^−６Ｐａ以下に真空排気する手段と接続する搬送室とを少なくとも有し、ロードロック室、加熱室、成膜室及び搬送室のそれぞれと接続する真空排気する手段は、吸着型のポンプである成膜装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。
【解決手段】基板上に第１の多元系酸化物半導体層を形成し、第１の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、５００℃以上１０００℃以下、好ましくは５５０℃以上７５０℃以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第１の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第２の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化物材料の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタなどの半導体素子を有する半導体装置を安価に得ることのできる生産性の高い作製工程を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、酸化物部材を形成し、加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長する第１の酸化物結晶部材を形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物結晶部材を積層して設ける積層酸化物材料の作製方法である。特に第１の酸化物結晶部材と第２の酸化物結晶部材がｃ軸を共通している。ホモ結晶成長またはヘテロ結晶成長の同軸（アキシャル）成長をさせていることである。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させた液晶表示装置及びその作製方法の提供する。
【解決手段】走査線とデータ線が絶縁層を介して交差する領域に、非晶質半導体又は有機半導体をチャネル部とする第１の薄膜トランジスタを有する第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間の液晶層と、結晶質半導体をチャネル部とする第２の薄膜トランジスタを有する第３の基板を有し、結晶質半導体は第２の薄膜トランジスタにおける電子又は正孔が流れる方向に沿って結晶粒界が延び、第１の基板と第２の基板は第１の基板が露出するように貼り合わされ、第３の基板は第１の基板上の露出した領域に貼り合わされ、第３の基板上には第２の薄膜トランジスタを形成する第１の領域と入出力端子を形成する第２の領域が設けられ、第３の基板の短辺は１乃至６ｍｍ、第１の領域の短辺は０．５乃至１ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】ベース基板（例えばガラス基板）とボンド基板（例えば単結晶シリコン基板）とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際の半導体層（例えば単結晶シリコン層）の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて半導体装置の歩留まりを向上することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板にイオンを添加して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ベース基板にレーザー光の照射による複数の凹凸部を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板とを貼り合わせる際に、複数の凹凸部をボンド基板とベース基板との位置合わせの指標として用いると共に、複数の凹凸部の一を含む領域に、ボンド基板とベース基板とが貼り合わない領域であってその外周が閉じられた領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を提供することを課題の一つとし、良好な平坦性を有する半導体基板の再生に適した方法を用いて再生半導体基板を作製することを課題の一つとし、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】イオンの照射等により損傷した半導体領域を選択的に除去することが可能な方法を用いて半導体基板の凸部を除去し、さらに、ＣＭＰ法をはじめとする研磨処理によって、半導体基板の平坦化を行う際に、半導体基板表面に酸化膜を形成することにより、半導体基板の研磨レートを均一にして、一様に研磨処理を行う。または、上記方法を用いて再生半導体基板を作製し、当該再生半導体基板を用いてＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜の結晶性若しくは表面の平坦性、又は結晶性及び表面の平坦性を高めることのできるレーザ照射装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】レーザ発振器と、レーザ発振器から射出されたレーザ光を線状に成形する光学系と、光学系によって成形された線状のレーザ光が照射される被照射物を載置するステージと、を有し、ステージは、支持台上に、ヒータ、不純物吸着材及び被照射物を載置する載置台が順に固定されているレーザ照射装置を用いて、絶縁表面上に設けられた半導体膜にレーザ光を照射し、半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）