【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。また本発明は、表示装置の構成物を選択的に形成する液滴吐出法を用いることで、工程の簡略化と、材料のロスの軽減を達成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器１０１から出射したレーザ光１０４をスリット１０２を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー１０３で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ１０５，１０６または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、材料の利用効率を向上させ、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明の表示装置の一は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び画素電極層を有し、ゲート電極層上にゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に結晶性半導体層を有し、結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を有し、一導電性を有する半導体層に接してソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層、ドレイン電極層及び画素電極層上に絶縁層を有し、絶縁層はソース電極層又はドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、ゲート絶縁層及び絶縁層は画素電極層に達する第２の開口部を有し、第１の開口部及び第２の開口部に、ソース電極層又はドレイン電極層と画素電極層とが電気的に接続する配線層を有する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで生産効率がよい薄膜集積回路の剥離方法および当該剥離方法を用いたＩＣチップの作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 基板上に金属を含んだ膜からなる剥離層を形成し、その剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、複数の薄膜集積回路上にそれぞれ樹脂膜を形成し、剥離層にフッ化ハロゲンを含む気体または液体を導入して、剥離層を除去して、基板と薄膜集積回路とのを剥離を行う。また、剥離した薄膜集積回路を、ラミネート等により封止することによってＩＣチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来のパルス発振のレーザー光による照射を半導体膜に行った場合、半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、トップゲート型ＴＦＴの場合には、素子特性がリッジにより大きく左右されていた。特に、電気的に並列に接続する複数の薄膜トランジスタ間でのバラツキが問題となっている。
【解決手段】 本発明は、複数の薄膜トランジスタからなる回路の作製において、連続発振レーザを用いて半導体膜にレーザ光を照射して溶融する領域の幅ＬＰ（微結晶領域を含まない）を大きくし、一つの領域に複数の薄膜トランジスタ（電気的に並列に連結された薄膜トランジスタ）の活性層を配置することを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜全面に対して均一にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】第１のレーザ発振器より出射された第１のレーザビームは、スリットを通し、さらに集光レンズを通した後に照射面に入射させる。同時に、照射面において第２のレーザ発振器より出射された第２のレーザビームを第１のレーザビームに重ねて照射する。さらに、照射面に対して相対的に走査することによって、照射面を等しくアニールする。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック基板若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成したプロセッサであって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う無線プロセッサ、無線メモリ、及びその情報処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成されるトランジスタを有する素子形成領域、及びアンテナを有し、トランジスタは、可撓性基板上に固定されおり、素子形成領域により高機能集積回路が形成されている無線プロセッサであり、当該無線プロセッサと、半導体装置とは、アンテナを介してデータ送受信を行うことを特徴とする情報処理システムである。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウェハから形成されるＩＣチップは利用形態の増大、需要の増大が予想され、さらなる低コスト化が要求される。
そこで本発明は、さらなる低コストでの生産が可能なＩＣチップの構造、プロセスの提供を課題とする。
【解決手段】 本発明において、剥離層に金属膜と、該金属膜を有する反応物を用いることを特徴とする。金属膜、又は金属を有する反応物はエッチング速度が高く好ましく、さらに、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることができ、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 光学調整に困難を伴うことなく、３以上のレーザビームを照射面にて合成し、高出力で生産性を向上させることができるレーザを照射する技術の提供。
【解決手段】 その技術は、波長の互いに異なるレーザ発振器とダイクロイックミラー、又はそれに加えて偏光子を用いてレーザビームを合成し、高出力で生産性を向上させレーザを照射するものであり、例えばレーザ発振器から射出されたレーザ光１をダイクロイックミラー１を通過させ、レーザ光１とは波長の異なるレーザ発振器から射出されたレーザ光２をダイクロイックミラー１で反射させてレーザ光を合成し、合成されたレーザ光を照射レーザ光とし、照射レーザ光を照射面上に投影するものである。 （もっと読む）

【課題】 照射方向の往路と復路とで照射ビームのエネルギー強度を可変することにより、均一な結晶膜を作製することのできるレーザ照射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ発振器と、ビーム強度可変手段と、レーザ光を照射面に対して斜めに入射するように設定されたレーザ照射装置において、前記レーザ光を前記照射面に対し相対的に走査するとともに、走査する方向によりビーム強度を可変することであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザ、気体レーザ、金属レーザ、または発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 装置を煩雑にせず、半導体膜の結晶ラテラル成長位置を制御することを課題とする。
【解決手段】 絶縁基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜の一部の上に絶縁膜でなる反射膜を形成し、前記反射膜をマスクとしてレーザー光を照射することにより、露出された前記半導体膜を結晶化することを特徴とする。また、上記発明の構成において、前記反射膜は、屈折率の高い絶縁膜と屈折率の低い絶縁膜とが交互に積層された構造であることを特徴とする。具体的には、酸化珪素膜と、前記酸化珪素膜上に接して形成された窒化珪素膜と、からなることを特徴とする。より好ましくは、酸化珪素膜と、窒化珪素膜と、を何層か積層して反射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大量生産上、多面取りが可能な大面積基板を用いて不純物元素を均一にドーピングする装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、イオン流の断面を線状もしくは長方形とし、かつ、イオン流に対し大面積基板を所定の傾斜角度θだけ傾斜させた状態に保ったまま、大面積基板をイオン流の長尺方向と垂直な方向に移動させることを特徴の一つとしている。本発明において、イオンビームの入射角は、傾斜角度θを変更することによって調節する。水平面に対し大面積基板を傾斜状態とすることで、イオン流の長尺方向の幅を基板の一辺の長さよりも短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）