【課題】結晶性の良い微結晶半導体層、及び半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
微結晶半導体膜と、その下層の絶縁膜との界面に形成される非晶質層を除くため、フッ素系ガス（ＳｉＦ４）及びシランを用いて結晶核を形成した後、結晶核を種として結晶成長させ、レーザ処理にて微結晶半導体膜を形成する。さらには、前記微結晶半導体膜の表面をフッ素系ガス（ＳｉＦ４）処理し、より結晶性を高める。
前記微結晶半導体膜を用いて、ボトムゲートの薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】ばらつきを抑え、かつ、製造歩留まりの高い半導体装置を作製することを課題とする。
【解決手段】
絶縁表面を有する基板上に、チャネル形成領域が非単結晶半導体層で形成される薄膜トランジスタを有し、前記非単結晶半導体層は、厚さが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、一方向に略平行に延びる結晶粒界を含み、該結晶粒界の間隔は１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることを特徴とする、半導体装置及びその作製方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の支持基板上に単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層を形成する半導体基板の作成方法、及び半導体層が分離された後の単結晶半導体基板を再生処理の方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板等の支持基板に、単結晶半導体層を接合するに際し、支持基板または単結晶半導体基板の一方若しくは双方に、酸化シリコン膜を用いる。本構成によれば、ガラス基板等の耐熱温度が７００℃以下の基板でであっても接合部の接着力が強固なＳＯＩ層を得ることができる。また、単結晶半導体層が分離された単結晶半導体基板は、半導体層が分離された面側から単結晶半導体基板にレーザ光を照射して、単結晶半導体基板の表面を溶融させ、一領域あたりの溶融時間を０．５マイクロ秒乃至１ミリ秒とする再生処理を施した後、再利用する。 （もっと読む）

【課題】高品質の薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の表示デバイスは、画素駆動用トランジスタと、該画素駆動用トランジスタの動作を制御する周辺回路部用トランジスタとを有し、前記周辺回路部用トランジスタは、絶縁性基板と、該絶縁性基板表面上に形成された第１の絶縁バッファ層と、該第１の絶縁バッファ層の表面上に形成された第１のシリコン層と、該第１のシリコン層の表面上に形成された第２の絶縁バッファ層と、該第２の絶縁バッファ層の表面上に形成された第２のシリコン層を備え、該第２のシリコン層が前記周辺回路部用トランジスタの活性層であり、前記画素駆動用トランジスタは、前記第１の絶縁バッファ層表面上に形成された、前記第１のシリコン層と同一層の第３のシリコン層を備え、該第３のシリコン層が、前記画素駆動用トランジスタの活性層である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い基板をベース基板とするＳＯＩ基板を用いて高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、機械的な研磨を行わずに高性能な半導体装置を提供することを課題とする。また、該半導体装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上の絶縁層と、絶縁層上の接合層と、接合層上の単結晶半導体層と有し、単結晶半導体層は、その上部表面における凹凸形状の算術平均粗さが１ｎｍ以上７ｎｍ以下とする。または、凹凸形状の二乗平均平方根粗さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であっても良い。または、凹凸形状の最大高低差が５ｎｍ以上２５０ｎｍ以下であっても良い。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域が設けられている。チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】半導体膜を形成し、前記半導体膜に、一導電性を有する不純物元素を添加して、前記半導体膜中に、不純物領域、及び、チャネル形成領域を形成し、前記島状半導体上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、前記半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極を覆って、フッ素を含む絶縁膜を形成し、前記半導体膜、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱し、前記フッ素を含む絶縁膜を加熱した後に、前記フッ素を含む絶縁膜上に、前記不純物領域に電気的に接続される配線を形成する半導体装置の作製方法に関するものである。前記フッ素を含む絶縁膜は、フッ素を含む酸化珪素膜、フッ素と窒素を含む酸化珪素膜、フッ素を含む窒化珪素膜のいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】製造工程の低減を図った表示装置の製造方法の提供。薄膜トランジスタの特性の劣化を抑制した表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】同一の基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、結晶質と非晶質の積層の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第１の薄膜トランジスタと、ゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質の半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次形成した第２の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法にあって、
前記ゲート絶縁膜の形成後に、前記基板上に非晶質の半導体層を形成し、該非晶質の半導体層に選択的に前記結晶質の半導体層を形成する工程と、
アルカリ性のアミン系のエッチング液を用いて前記結晶質の半導体層を残存させて前記非晶質の半導体層をエッチングする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置、及び該表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型の不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ平坦化層を介して積層しており、複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は平坦化層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ結晶化時に発生する結晶粒界の位置を制御することが可能なレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器１０１から射出したレーザ光を、位相シフトマスク１０３を介して長軸方向の強度分布を有するレーザ光へと変調し、シリンドリカルレンズ１０４及びレンズ１０５によって、絶縁基板上に設けられた非晶質半導体膜に転写し、レーザ光を走査して、非晶質半導体膜を結晶化する。 （もっと読む）

【課題】レーザ条件の変動あるいは装置異常による不良が連続して発生するのを防いで、レーザアニール工程での不良を防止し、高歩留まりに表示装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的なレーザアニールにより帯状結晶シリコン領域を形成しつつ、並行してレーザを照射した領域の結晶状態および適正な帯状結晶領域の寸法を評価する。評価結果が基準を充たしていない場合にはレーザ条件を適正化するように制御装置に通信を送って、レーザ条件を適正化した後、次の領域をアニールする。あるいは、必要に応じて装置を緊急停止する。アニールと検査を継続して基板内の所望の領域のアニールが完了すると、基板を搬出する。 （もっと読む）

【課題】しきい値制御された、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に微結晶半導体膜を成膜し、微結晶半導体膜にしきい値制御のための不純物元素をイオン注入法により添加し、その後、レーザビームを照射して微結晶半導体膜の結晶性を改善する。そして、微結晶半導体膜上にバッファ層を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタを形成する。また当該薄膜トランジスタを有する表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】特性が均一な微結晶半導体を有する半導体装置を効率良く提供することを課題とする。また、高品質な電子機器を効率良く提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に半導体層を形成し、半導体層が完全溶融する光強度のパルスレーザー光を照射することにより、微結晶半導体領域を形成する。これにより、特性が均一な微結晶半導体領域を有する半導体装置を作製することができ、また、これを用いて、高品質な電子機器を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板の表面のチャネル形成領域に対応する箇所に島状導電膜を形成し該島状導電膜を絶縁膜で覆って凸部を形成する。形成された凸部を覆うアモルファス半導体膜を成膜した後、レーザ光を照射して半導体膜を溶融状態にして結晶化する。凸部上の溶融した半導体は凸部の両側に隣接する領域へと流れ、それによって凸部上に位置する半導体膜（チャネル形成領域）が薄膜化される。 （もっと読む）

【課題】電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する発光装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する発光装置において、逆スタガの薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜が形成され、微結晶半導体膜上にバッファ層が形成され、バッファ層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域の一部を露出するようにソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】要求される特性を満たした半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に、単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の一部の領域にレーザー光を照射し、単結晶半導体層のレーザー光が照射されていない領域を用いて画素部の回路を形成し、単結晶半導体層のレーザー光が照射された領域を用いて、画素部の回路を駆動する駆動回路を形成することを特徴としている。これにより、周辺回路領域と画素領域とに適した単結晶半導体層を用いた半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２本のレーザビームを斜め入射させる場合でも、高品質の多結晶膜を製造することが可能な多結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 表面にシリコン膜が形成された加工対象物(30)の該表面をｘｙ面とするｘｙｚ直交座標系を定義したとき、該加工対象物の表面上のｙ方向に長い被照射領域に、該加工対象物の表面におけるパワー密度が相対的に大きく、かつｙ方向に関する光強度分布が均一化された第１のレーザビーム(L1)を、ｘ軸の正の向きに傾けた方向に沿って入射させると同時に、該加工対象物の表面におけるパワー密度が相対的に小さく、かつｙ方向に関する光強度分布が均一化された第２のレーザビーム(L2)を、ｘ軸の負の向きに傾けた方向に沿って入射させながら、前記加工対象物をｘ軸の正の向きに移動させることにより、前記シリコン膜を多結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製時に発生する金属汚染の影響を抑える。
【解決手段】半導体基板に水素イオンを照射し損傷領域を形成した後、ベース基板と半導体基板を接合させる。加熱処理を行って、半導体基板を劈開させＳＯＩ基板を作製する。ＳＯＩ基板の半導体層上に、Ａｒなど第１８族元素を含んだ半導体でなるゲッタリングサイト層を形成する。加熱処理を行って、半導体層中の金属元素をゲッタリングサイト層にゲッタリングさせる。エッチングにより、ゲッタリングサイト層を除去することで、半導体層の薄膜化を行う。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）