【課題】 半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、貼り合わせ後前記単結晶半導体層の欠損領域を欠損検知装置により検出し、検出後前記欠損領域にクラスターイオンビームを照射してゴミを分離除去し、次いで前記欠損領域及び前記単結晶半導体層上に非単結晶半導体層を形成し、形成後前記検出情報に基づいて前記欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化し、その後平坦化処理することにより前記結晶化後に残存する非単結晶半導体層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板と、単結晶半導体基板から分離した単結晶半導体層が設けられた半導体基板と、の表面に、ハロゲンを含有する酸化膜を形成することで、基板表面又は内部に存在する不純物を減少させる。また、半導体基板上に設けられた単結晶半導体層に、レーザ光を照射することで、単結晶半導体層の結晶性を向上させ、平坦性を回復する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いたとしても単結晶半導体層の結晶欠陥が低減されたＳＯＩ基板の作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板に第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜を除去し、第１の酸化膜が除去された単結晶半導体基板の表面に対してレーザ光を照射し、単結晶半導体基板に第２の酸化膜を形成し、第２の酸化膜を介して単結晶半導体基板にイオンを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、第２の酸化膜と半導体基板とが向かい合うように接着させ、熱処理を行うことにより、脆化領域において単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された半導体基板を得る。 （もっと読む）

【課題】良好な結晶性を有し高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定し、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、単結晶半導体層を部分溶融状態として再結晶化し、結晶欠陥を修復する。再結晶化後の単結晶半導体層は深さ方向の濃度分布において、炭素濃度が極大を有する。 （もっと読む）

【課題】ａ−Ｓｉ膜などの膜厚が変動した場合であっても、一様な結晶化を実現するレーザービーム照射方法を適用すること。
【解決手段】本発明によると、絶縁表面を有する基板上に非単結晶半導体膜を形成し、前記非単結晶半導体膜に３５０ｎｍよりも長い波長を有するレーザービームを照射して前記非単結晶半導体膜を結晶化する、レーザービーム照射方法であって、前記非単結晶半導体膜は面内において膜厚分布を有しており、前記非単結晶半導体膜の膜厚に対する前記レーザービームの吸収率の微分係数は正であることを特徴とするレーザービーム照射方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が存在する単結晶半導体基板を用いる場合においても優れた特性のＳＯＩ基板を提供することを目的の一とする。また、このようなＳＯＩ基板を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面に、エピタキシャル成長法による単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層に第１の熱酸化処理を施して第１の酸化膜を形成し、第１の酸化膜の表面に対してイオンを照射することにより、単結晶半導体層にイオンを導入し、第１の酸化膜を介して、単結晶半導体層とベース基板を貼り合わせ、熱処理を施すことにより、イオンが導入された領域において単結晶半導体層を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層の一部を残存させ、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、ベース基板上に残存した単結晶半導体層に第２の熱酸化処理を施して第２の酸化膜を形成した後、該第２の酸化膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体素子を形成することを可能とする半導体基板および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】脆化層を有する単結晶半導体基板と、ベース基板とを絶縁層を介して貼り合わせ、熱処理によって、脆化層を境として単結晶半導体基板を分離して、ベース基板上に単結晶半導体層を固定する。次いで、モニタ基板の複数の領域に対して互いに異なるエネルギー密度条件でレーザ光を照射し、レーザ光を照射後の単結晶半導体層のそれぞれの領域の炭素濃度及び水素濃度の深さ方向の濃度分布を測定し、炭素濃度が極大を有し、且つ水素濃度がショルダーピークを有するレーザ光の照射強度を最適なレーザ光の照射強度とする。モニタ基板を用いて検出した最適のエネルギー密度で、単結晶半導体層にレーザ光を照射し、半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、絶縁膜を介して単結晶半導体基板にイオンビームを照射することにより、単結晶半導体基板中に脆化領域を形成し、絶縁膜上に接合層を形成し、接合層を間に挟んで単結晶半導体基板と向かい合うように、支持基板を貼り合わせ、熱処理を行うことにより、脆化領域に沿って単結晶半導体基板を分割して、単結晶半導体層が接着された支持基板と単結晶半導体基板の一部とに分離し、単結晶半導体層に残存する脆化領域に対して第１のドライエッチング処理を行い、第１のエッチング処理が行われた単結晶半導体層の表面に対して、第２のドライエッチング処理を行い、単結晶半導体層に対してレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第１の絶縁膜と、半導体膜及び第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第１の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第１の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第１の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】長さが長い線状ビームを照射する際に、線状ビームの長さにわたって被照射物にピントを合わせて処理することを課題とする。
【解決手段】レーザ発振器と、前記レーザ発振器から発振したレーザビームを線状ビームに変える線状光学系と、前記線状ビームが照射される基板を設置するステージと、前記ステージは、ビームプロファイラで調べられた前記線状ビームの焦点位置に沿うように前記基板の表面形状を変形させ、かつ、支持手段を有することを特徴とするレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法に関する。さらに、前記基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を前記線状ビームにより結晶化あるいは活性化する半導体装置の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層を形成する半導体装置において、熱による支持基板の反り量の小さくする。また、同半導体装置の生産性の良い作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層が形成され、前記単結晶半導体層と前記導電層との間にゲート絶縁膜が形成された構造を有し、前記導電層と支持基板との間に、隙間が設けられる構成を有する。単結晶半導体基板に前記導電層を作製時、第一の絶縁層が単結晶半導体層と支持基板との間に形成されるが、前記導電層形成時に用いたレジスト上に成膜し、この上部の第一の絶縁層はレジストと共に除去することで、第一の絶縁層に凹部を設ける。前記凹部を有した状態で単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせることで、前記隙間を有する構造とし、また貼りあわせ前の単結晶半導体基板表面平坦化は不要となる。 （もっと読む）

【課題】半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができる、貼り合わせ法により単結晶半導体層を設けた半導体基板の製造方法の提供。
【解決手段】その製造方法は、支持基板に単結晶半導体層を貼り合わせ、該単結晶半導体層の欠損領域である半導体層欠損領域を欠損検知装置１により検出し、該単結晶半導体層上及び半導体層欠損領域に非単結晶半導体層を形成し、欠損検知装置１により検出された半導体層欠損領域の位置情報２２に基づいて半導体層欠損領域の非単結晶半導体層を結晶化する、又は結晶性を高める処理を行い、その後平坦化処理することにより残存する非単結晶半導体層を除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザ装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】絶縁表面上に半導体膜を形成し、半導体膜に希ガスを添加し、希ガス雰囲気中で希ガスが添加された半導体膜にレーザ光を照射し、レーザ光の照射の際に半導体膜に磁場を印加し、半導体膜は数μｓ以上数十μｓ以下の間溶融している半導体装置の作製方法を提供する。なお、レーザ光は基本波と高調波を合わせることで効率よく半導体膜を結晶化できる。 （もっと読む）

【課題】 帯状の絶縁パターンの中央近傍に結晶粒界が発生することを防止することが可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板と、その半導体基板よりも熱伝導率の低い材料からなり、相互に平行に配置されて前記半導体基板まで達する複数の溝が形成されている第１の膜と、アモルファスまたはマイクロクリスタルの半導体からなり、溝内及び第１の膜の上に配置されている第２の膜とを有する加工対象物を準備する。第２の膜に、第２の膜の表面において溝の長手方向と平行な長尺ビームであるパルスレーザビームを入射させ、パルスレーザビームの入射位置を、第２の膜の表面において、溝の長手方向と交差する方向に、オーバラップさせながら移動させる。第２の膜の表面におけるパルスレーザビームのビームプロファイルの短軸方向の幅が、相互に隣り合う溝の間隔よりも狭い。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、線状に整形した連続発振レーザ光を短軸方向に走査して、局所的な溶融再凝固による帯状多結晶領域を形成するに際し、対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化により結晶状態が変動することを防止し、平面表示装置の製造歩留まりを向上、品質の確保を図る。
【解決手段】アニールを行う際に照射する領域を複数のブロックに分割し、まず１ブロックあるいは複数ブロックおきにレーザ光を照射し、その後反対方向にレーザ光を走査しながらの、未照射の駆動回路領域を照射する。このように、レーザ照射後に一定時間のレーザ非照射状態を設けることで対物レンズの過熱を抑制し、対物レンズの熱レンズ効果による照射部温度の変動を防止する。これにより、常に一定の条件でのレーザ光照射が実現でき、一定の結晶状態の帯状多結晶シリコン膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】炉などによるアニール（脱水素）工程を経ることなく、水素化非晶質シリコン膜の所望の領域のみを、ダメージが生じることなくレーザ照射により微結晶化することにより、同一基板内に水素化非晶質シリコンＴＦＴと多結晶（微結晶）シリコンＴＦＴを形成する。
【解決手段】水素化非晶質シリコン膜の所望の領域（駆動回路形成領域）のみに、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間が５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながら照射する。これにより、レーザ未照射領域は水素化非晶質シリコン膜のまま残り、レーザ照射部は脱水素に伴うダメージを生じることなく多結晶シリコン膜に変換される。この基板から製造される平面表示装置は画素部トランジスタのチャネル部は水素化非晶質シリコン膜で、駆動回路部トランジスタのチャネル部は脱水素化多結晶（微結晶）シリコン膜で構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる連続発振のレーザー装置を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、半導体膜を複数のレーザ光により結晶化する。複数のレーザ光は基板の垂直方向から斜めに同じ入射角度φで入射することで高性能の半導体装置を提供する。特に、ビーム幅をＷとし、基板の厚みをｄとすると、φ≧ａｒｃｓｉｎ（Ｗ／２ｄ）という関係式を満たすことにより高性能の半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板における半導体層表面の平坦性を向上させることを目的の一とする。又は、半導体基板の生産性を向上させることを目的の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面にイオンを照射して損傷領域を形成し、単結晶半導体基板の一表面上に絶縁層を形成し、絶縁表面を有する基板の表面と絶縁層の表面とを接触させて、絶縁表面を有する基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせ、加熱処理を施すことにより、損傷領域において単結晶半導体基板を分離して絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層をパターニングして複数の島状半導体層を形成し、島状半導体層の一に、該島状半導体層の全面を覆うように成形されたレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせに係る不良を低減した均質な半導体基板を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板配置領域に複数の開口が設けられた基板支持台と、複数の開口の各々に配置された基板支持機構と、基板支持機構を昇降させる昇降機構と、基板支持台に対する基板支持機構と昇降機構の位置を調節する位置調節機構と、を有する基板貼り合わせ室の基板配置領域に第１の基板を配置し、第１の基板の上方に、第１の基板と接触しないように第２の基板を配置し、基板支持機構を上昇させることにより、第１の基板と前記第２の基板を接触させて、第１の基板と第２の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせの後、第１の基板と前記第２の基板を搬送する前に、１５０℃以上４５０℃以下の加熱処理を施す。 （もっと読む）