【課題】ガラス基板と単結晶半導体基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する際のシリコン層の表面の荒れを抑制することを目的の一とする。または、上記荒れを抑えて歩留まりの高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ボンド基板に加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化領域を形成し、ボンド基板またはベース基板の表面に絶縁層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせると共に、ボンド基板とベース基板の一部に貼り合わない領域を形成し、熱処理を施すことにより、脆化領域においてボンド基板を分離して、ベース基板上に半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】連続発振又は擬似連続発振のレーザー光を用いて、結晶成長が連続で且つ表面が平坦な結晶質半導体膜を形成する。
【解決手段】絶縁基板に成膜された非晶質半導体膜１２ａに連続発振又は擬似連続発振のレーザー光のスポット形状が細長のビームＢを、絶縁基板の一方側から他方側に向かって走査しながら照射する往路動作、及び絶縁基板の他方側から一方側に向かって走査しながら照射する復路動作を交互に繰り返して、先の動作で照射されたビームＢの照射領域Ｒの側端部にオーバーラップするようにビームＢを照射することにより、結晶質半導体膜１２ｂを形成する半導体膜の製造方法であって、往路動作及び復路動作では、ビームＢの長さ方向におけるビームＢの照射領域Ｒの側端部にオーバーラップする側がビームＢの走査方向Ｓ側に傾斜するようにビームＢを照射する。 （もっと読む）

【課題】
ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。
【解決手段】
多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池である半導体装置の製造方法において、半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザを利用して大粒径多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成し、この多結晶Ｓｉ層の表面側の領域に、Ｐ型領域とＮ型領域を、近接して設けてＰＮ接合を形成すること、さらにＰ型領域とＮ型領域を結ぶ方向が多結晶Ｓｉの結晶粒界の走る方向と概略平行になるようにすること、部分的にＳｉ層の存在しない領域を含むようにして半透明な半導体装置になるようにしたこと特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛に代表される酸化物半導体膜を用いて薄膜トランジスタを形成することで、作製プロセスを複雑化することなく、尚かつコストを抑えることができる半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】基板３０１上にゲート電極３０３を形成し、ゲート電極３０３を覆ってゲート絶縁膜３０４を形成し、ゲート絶縁膜３０４上に酸化物半導体膜３０５を形成し、酸化物半導体膜３０５上に第１の導電膜３０６及び第２の導電膜３０７を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少
なくとも加熱処理ＬＲＴＡにより結晶化した領域３０８を有する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜１０２と、絶縁膜１０４と、半導体膜１０６と、不純物半導体膜１０８と、第２の導電膜１１０とを積層し、この上に多階調マスクを用いて凹部を有するレジストマスク１１２を形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、第１の導電膜１０２がエッチングされた膜１１３に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層１１６Ａを形成し、その後ソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。半導体膜としては結晶性半導体膜１０６を用いる。 （もっと読む）

【課題】活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】活性層を被う保護膜の一部に形成された窓部を通して、活性層と埋め込み酸化膜との各一部をエッチングして孔部を形成後、孔部にアモルファスシリコンを堆積させる。孔部内のアモルファスシリコンを、単結晶化させる場合に高エネルギ光の照射を行うことでエピタキシャル成長速度を速め、埋め込み酸化膜の領域を通過する際に発生する欠陥密度を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた結晶質半導体層を有するＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】支持基板上に、バッファ層を介して単結晶半導体基板から分離させた単結晶半導体を部分的に形成する。単結晶半導体基板は、加速されたイオンの照射とそれに伴う脆化層の形成、及び熱処理により、単結晶半導体を分離する。単結晶半導体上に非単結晶半導体層を形成し、レーザビームを照射することにより、非単結晶半導体層を結晶化させて、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】連続発振のレーザー光の照射により形成された結晶質半導体層において、結晶欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】絶縁基板１０に非晶質半導体膜１２を成膜する半導体膜成膜工程と、非晶質半導体膜１２を覆うようにキャップ膜１３を成膜するキャップ膜成膜工程と、キャップ膜１３を介して非晶質半導体膜１２に連続発振のレーザー光Ｂを幅方向にオーバーラップするように走査しながら照射して、結晶質半導体膜１２ａを形成する結晶質半導体膜形成工程と、結晶質半導体膜１２ａ及びキャップ膜１３の積層膜をパターニングして、結晶質半導体層１２ｂａ及びキャップ層１３ｂａを形成する結晶質半導体層形成工程とを備える半導体装置の製造方法であって、キャップ膜１３の膜厚は、１０ｎｍ〜３０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】外部から局所的に圧力がかかっても破損しにくい半導体装置を提供する。また、
外部からの局所的押圧による非破壊の信頼性が高い半導体装置を歩留まり高く作製する方
法を提供する。
【解決手段】非単結晶半導体層を用いて形成された半導体素子を有する素子層上に、有機
化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体を設け、加熱圧着す
ることにより、有機化合物または無機化合物の高強度繊維に有機樹脂が含浸された構造体
及び素子層が固着された半導体装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】フローティングゲート電極を備えた不揮発性メモリ素子の駆動電圧を高くすることなく、不揮発性メモリ素子、および厚いゲート絶縁膜を備えた高耐圧型トランジスタを同一基板上に形成する。
【解決手段】不揮発性メモリ素子の島状半導体領域とフローティングゲート電極間、および、トランジスタの島状半導体領域とゲート電極間には、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜の積層膜が形成されている。第１の絶縁膜はフローティングゲート電極と重なる部分が除去されており、島状半導体領域とフローティングゲート電極間の絶縁膜が、トランジスタのゲート絶縁膜よりも薄くされている。トランジスタはフローティングゲート電極と同じ層に形成されている導電膜と、コントロールゲート電極と同じ層に形成されている導電膜とを有し、これら２つの導電膜は電気的に接続され、トランジスタのゲート電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。
【解決手段】半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザーを利用して（１１０）と（１１１）に配向制御した大粒径多結晶シリコン（Ｓｉ）薄膜をガラス上に形成し、このＳｉ膜を種（シード）結晶として多結晶Ｓｉ層を直接成長する。
その後、本薄膜に対してＳｉ層が溶融しない条件でエネルギービームを照射してＳｉの固相成長を行うことを特徴とした太陽電池用半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成可能な貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】高エネルギ光を、活性層用ウェーハの素材は溶融しないが、吸光係数が高いアモルファスシリコンは溶融する条件で貼り合わせ基板の活性層用ウェーハ側の面に照射し、この窓部内のシリコンを溶融させて固化させる。このとき、アモルファスシリコンを単結晶シリコンに液相エピタキシーにより変質させれば、貼り合わせ基板の活性層用ウェーハの表面に、結晶面が異なる領域を簡単に形成できる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の加熱に伴うスリップが発生せず、ウェーハ表面のボイド欠陥に起因したエピタキシャル膜の表面粗さの低下も解消可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶のシリコンウェーハの表面を研削し、ウェーハ表層に加工変質層を形成後、変質層を高エネルギ光の照射で溶融、固化する。変質層は、単結晶シリコンより吸光係数が高いので、光加熱でウェーハが溶ける前に溶融し、エピタキシャル膜に改質できる。その結果、エピ成長加熱によるスリップが発生せず、ウェーハ表面のボイド欠陥よるエピ膜の表面粗さの低下も解消できる。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の単結晶半導体層中の酸素濃度を低減させる方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層を溶融状態にすることによって酸素の外方拡散を促進する。具体的には、ベース基板上に設けられた酸素を含有する接合層と、前記酸素を含有する接合層上に設けられた単結晶半導体層と、を有するＳＯＩ構造を形成し、前記ベース基板の温度を５００℃以上の温度であって前記ベース基板の融点よりも低い温度に加熱した状態において、前記単結晶半導体層をレーザー光の照射により部分溶融させることによって、ＳＯＩ基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を伴うことなく、結晶の異方性が異なる複数の領域を有する結晶化半導体膜を形成することができる結晶化半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】レーザビーム６を走査している最中に、レーザビーム６の単位時間当たりの照射量を複数の領域３・４・５に応じた照射量に連続して変えることにより、結晶の異方性の異なる複数の領域３・４・５からなる結晶化半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の作製工程において、高調波のＣＷレーザを半導体膜上に相対的に走査させながら照射すると、走査方向に延びた長い結晶粒がいくつも形成される。このようにして形成された半導体膜は前記走査方向においては実質的に単結晶に近い特性のものとなるが、高調波のＣＷレーザの出力が小さくアニールの効率が悪い。
【解決手段】第２高調波に変換されたＣＷレーザと同時に基本波のＣＷレーザを半導体膜の同一部分に照射することで、出力の補助を行う。通常、基本波は１μｍあたりの波長域に入り、この波長域では半導体膜に対する吸収が低い。しかしながら、可視光線以下の高調波を基本波と同時に半導体膜に照射すると、高調波により溶かされた半導体膜に基本波はよく吸収されるため、アニールの効率が著しく上がる。 （もっと読む）

【課題】大型マザーガラスに対して、ムラのない均一なレーザアニール処理を行うことができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法の提供。
【解決手段】可視光を連続発振する複数のレーザ発振器１０１と、複数のレーザ発振器に接続された複数の光ファイバー１０２であって、それぞれの光ファイバーの一端がそれぞれのレーザ発振器に接続されている光ファイバーと、複数の光ファイバーのそれぞれの他端が配置されるファイバーアレイ１０３と、ファイバーアレイ上に配置された光ファイバーの他端の射出面から射出されたレーザ光を、非晶質シリコン半導体膜が表面に堆積している基板１０５の照射面上にて線状に整形する光学系１０４と、線状ビームと基板とを相対的に走査する機構とを有してなる。このレーザアニール装置を用いて、基板上の非晶質シリコン半導体膜をレーザアニールして結晶質シリコン半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザアニールによって結晶化された半導体膜を補助容量電極として用いたとしても、表示不良を解消、あるいは目立たなくさせることができ、歩留まりを向上させることができる。
【解決手段】各補助容量７の一方の電極をなすように上記複数の画素について共通に形成された直線状の補助容量配線６と、各補助容量７の他方の電極をなすように複数の画素について個別に、かつ補助容量配線６に対向するように形成された補助容量電極１３ｆとを備え、各補助容量電極１３ｆは、補助容量配線６の長手方向と交差する方向にラスタスキャンされる連続発振レーザビーム、あるいは擬似連続発振レーザビームによりレーザアニーリングされることによって多結晶化、あるいは結晶が改質された半導体膜からなる。 （もっと読む）