薄膜サンプル（１７０）を処理する方法及び装置を提供する。特に、ビーム発生器（１１０）を、少なくとも一つのビームパルス（１１１）を放出するように制御することができる。ビームパルス（１１１）は、少なくとも一つのマスクビームを生成するようにマスクされ、マスクビームは、薄膜サンプル（１７０）の少なくとも一部分を照射するのに用いられる。少なくとも一つのマスクビームパルス（１６４）によって、薄膜サンプル（１７０）の一部（５１０）は、そのような部分を後に結晶化するのに十分な強度で照射される。薄膜サンプル（１７０）のこの部分（５１０）を、第１領域（５１８）及び第２領域（５１５）から構成されるように結晶化することができる。その結晶化に応じて、第１領域（５１８）は、第１セットの粒子を含み、第２領域（５１５）は、少なくとも一つの特性が第１セットの粒子の少なくとも一つの特性と異なる第２セットの粒子を含む。第１領域（５１８）は、第２領域を包囲し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（６１０）の活性領域を所定の距離で設けることができるように構成される。
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【課題】より高い電子（又は正孔）の移動度を有するＴＦＴを製造することができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、表示装置を提供する。
【解決手段】横方向に結晶成長された半導体薄膜にソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域を有し、チャネル領域上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、ドレイン領域又はソース領域のチャネル領域側端部は結晶成長の終了位置８付近に位置するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜全面に対して均一にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】波長領域の広いレーザ結晶から発振されたレーザ光と、ビームホモジナイザを用いる。波長領域が広いレーザ光は干渉性が弱いため、干渉によって半導体膜に干渉縞を生じさせることがない。また、長軸の長さが数メートルを超える線状ビームの形成が可能なため、レーザアニールプロセスのスループットを向上させる。 （もっと読む）

【課題】また、ＣＷレーザまたは擬似ＣＷレーザを用いてレーザアニールを行った場合、エキシマレーザを用いた場合に比べ生産性が悪く、更なる生産性の向上が必要である。
【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を半導体薄膜に照射してレーザアニールを行うことを特徴とする。非線形光学素子を用いず、且つ、高調波に変換しないため、大きな出力を有するレーザ発振器をレーザアニール法に用いることが可能となる。従って、一度の走査で形成される大粒径結晶の領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】レーザビームのビームパラメータに影響されることなく、レーザビームの損失を防止し、常に照射面にエネルギー分布の均一なビームスポットを形成することができるビームホモジナイザ、およびレーザ照射装置の提供、並びに半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームの均一化に用いる光導波路又はライトパイプの入射口に偏向体を備える。前記偏向体の反射面をレーザビームの光軸に対して傾斜角度を持たせるように備えることにより、光導波路又はライトパイプの入射口径を広げレーザビームの損失を防止する。また、偏向体に角度調整機構を備えることにより、導波部射出口においてエネルギー分布の均一なビームスポットを形成する。 （もっと読む）

【課題】 チップは貼り合わせ加工すると表面に配線が露出されない。そのため、接触式の検査を行うことが難しかった。
接触式の検査は、非接触式と比べて、精度が高く、検査装置も簡便なものであるため、適用することが望まれていた。
【解決手段】 本発明は、基板上に剥離層を介して形成された半導体膜に、接続する配線を形成するため、剥離層が露出するように、または露出する直前で止めるように開口領域を形成する。その後、基板を剥離すると、配線を露出することができ、チップに対して接触式の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成された有機発光素子を有する発光装置、プラスチック基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、ガラス基板または石英基板上に形成した素子（ＴＦＴや、有機化合物を含む発光素子や、液晶を有する素子や、メモリー素子や、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子や、シリコン抵抗素子など）を含む被剥離層１２を基板から剥離した後、熱伝導性の高いプラスチック基板１０に転写する。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

基板上に低温で堆積された薄膜半導体を再結晶化する高スループットシステム及び方法が提供される。薄膜半導体ワークピースは、レーザビームを照射され、前記レーザビームに露光された表面の目標領域は融解し、再結晶化する。前記レーザビームは、パターン化マスクを使用して１つ又はそれ以上のビームレットに成形される。前記マスクパターンは、前記ビームレットによって目標とされる領域が半導体再結晶化に通じる寸法及び方向を有するように前記レーザビーム放射をパターン化するのに適した寸法及び方向を有する。前記ワークピースは、前記レーザビームに対して線形経路に沿って機械的に平行移動され、前記ワークピースの表面全体を高速で処理する。レーザの位置感知トリガは、電動ステージにおいて平行移動されているときに前記ワークピースの表面における正確な位置において半導体材料を融解及び再結晶化するようなレーザビームパルスを発生するのに使用されることができる。
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【課題】レーザビームが照射された領域全体に占める微結晶が形成される領域の割合を減らし、半導体膜に対して良好にレーザ照射を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】レーザ発振器１０１から出射したレーザ光１０４をスリット１０２を通過させることによって強度の弱い部分を遮断した後にミラー１０３で偏向させ、このレーザ光を凸型シリンドリカルレンズ１０５，１０６または凸型球面レンズを用いて任意の大きさにビームの整形をした後に照射面に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な領域を作製して、この領域内にＴＦＴデバイスを設けることを可能にするプロセス及びシステムを提供する。
【解決手段】薄膜フィルム試料（例えば半導体薄膜フィルム）を処理するプロセス及びシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。特に、ビーム発生器を制御して、少なくとも１本のビームパルスを放出することができる。このビームパルスで、フィルム試料の少なくとも一部分を十分な強度で照射して、試料のこうした部分を厚さ全体にわたって完全に融解させて、このビームパルスは所定形状を有する。フィルム試料のこの部分が再凝固して、再凝固した部分の少なくとも一部が、第１領域及び第２領域から成る。再凝固時に、第１領域は大粒子を含み、第２領域は核化によって形成された領域を有する。第１領域は第２領域を包囲し、第２領域の粒子構造とは異なる粒子構造を有する。第２領域は、この領域上に電子デバイスの活性領域を設けるように構成される。
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【課題】本発明は、レーザ放射によってアモルファス半導体を改質するための方法及び装置を獲得することを目的とする。
【解決手段】本発明はアモルファス半導体（５２）を改質するための方法及び装置に関する。半導体（５２）の或る領域を溶融するために、その半導体（５２）の領域が、その半導体（５２）の気化温度よりも低い、半導体（５２）の溶融槽温度に達するまで、半導体（５２）のその領域にレーザビーム（５４）が照射される。そのレーザビーム（５４）は半導体（５２）の表面に対して相対的に送り移動することにより動かされる。半導体のその領域が部分的に固化又は完全に硬化するまで、半導体（５２）のその領域への照射が中断される。半導体（５２）を照射するステップ及び半導体（５２）への照射を中断するステップは、レーザビーム（５４）を動かすことによって、半導体（５２）の表面の所望の部分が少なくとも部分的に掃引されるまで繰り返される。 （もっと読む）

【課題】 低コストで生産効率がよい薄膜集積回路の剥離方法および当該剥離方法を用いたＩＣチップの作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 基板上に金属を含んだ膜からなる剥離層を形成し、その剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、複数の薄膜集積回路上にそれぞれ樹脂膜を形成し、剥離層にフッ化ハロゲンを含む気体または液体を導入して、剥離層を除去して、基板と薄膜集積回路とのを剥離を行う。また、剥離した薄膜集積回路を、ラミネート等により封止することによってＩＣチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】下地絶縁層上により大きな粒径を有する半導体結晶薄膜を形成し得る半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜の結晶化領域に、光学変調素子で光変調されて極小光強度線もしくは極小光強度点を有する光強度分布のレーザ光を照射して結晶化するレーザ照射工程と、結晶化された領域にフラッシュランプによる光照射して結晶化された領域を加熱する加熱工程とを包含する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来のパルス発振のレーザー光による照射を半導体膜に行った場合、半導体表面にリッジと呼ばれる凹凸が形成され、トップゲート型ＴＦＴの場合には、素子特性がリッジにより大きく左右されていた。特に、電気的に並列に接続する複数の薄膜トランジスタ間でのバラツキが問題となっている。
【解決手段】 本発明は、複数の薄膜トランジスタからなる回路の作製において、連続発振レーザを用いて半導体膜にレーザ光を照射して溶融する領域の幅ＬＰ（微結晶領域を含まない）を大きくし、一つの領域に複数の薄膜トランジスタ（電気的に並列に連結された薄膜トランジスタ）の活性層を配置することを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜全面に対して均一にレーザ処理を行うことができるレーザ照射装置を提供すること、およびレーザ照射方法を提供すること。
【解決手段】第１のレーザ発振器より出射された第１のレーザビームは、スリットを通し、さらに集光レンズを通した後に照射面に入射させる。同時に、照射面において第２のレーザ発振器より出射された第２のレーザビームを第１のレーザビームに重ねて照射する。さらに、照射面に対して相対的に走査することによって、照射面を等しくアニールする。 （もっと読む）

【課題】 本発明はプラスチック基板若しくはプラスチックフィルム基板のように熱的に脆弱な基板に、多結晶半導体を用いて高機能集積回路を形成したプロセッサであって、さらに無線で電力又は信号の送受信を行う無線プロセッサ、無線メモリ、及びその情報処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成されるトランジスタを有する素子形成領域、及びアンテナを有し、トランジスタは、可撓性基板上に固定されおり、素子形成領域により高機能集積回路が形成されている無線プロセッサであり、当該無線プロセッサと、半導体装置とは、アンテナを介してデータ送受信を行うことを特徴とする情報処理システムである。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

高エネルギー、高繰り返しレートの被加工物加熱方法及び装置であって、約４０００Ｈｚにおいて又はそれ以上で動作し且つ約３５１ｎｍの中心波長においてレーザ出力光パルスビームを生成するパルス化ＸｅＦレーザと、レーザ出力光パルスビームの短軸において２０μｍ以下にレーザ出力光パルスビームを縮小し且つ長軸の被加工物カバリング範囲をビームの長軸において形成するようにレーザ出力光パルスビームを拡大する光学系と、を有することが可能である、方法及び装置であり、その光学系はレーザと被加工物との中間に視野絞りを有し、その被加工物は加熱される層を有し、光学系は、強度レベルが高過ぎるビームレベルにおいてビームプロファイルをブロックすることなく、視野絞りが被加工物において十分に急峻なビームプロファイルを維持することを可能にするように十分に急峻な側壁を有する強度プロファイルを維持するに十分な拡大を伴って視野絞りにおいてレーザ出力光パルスビームをフォーカシングする、方法及び装置について開示している。その装置は又、被加工物に供給されるレーザ出力光パルスビームにおいて高平均パワーと短軸光学アセンブリにおいてラインボウ補正機構とを有することが可能である。ラインボウ補正機構は、複数の弱いクロスシリンダを有することが可能である。そのシステムは反射屈折投影システムを有することが可能である。レーザ回折及び発散のために線幅は幾何学的制限より小さい。そのシステムは、被加工物において異なる焦点面を有するそれぞれの隣接ピーク各々の個別の中心波長により全体の焦点深度を改善するように名目のＸｅＦスペクトルの隣接ピークを投影することが可能である。そのシステムは、ラインボウであって、視野絞り面においてラインボウを補正する視野絞り光学アセンブリと視野絞り面においてラインボウを補正する被加工物投影光学アセンブリとにおいて補正機構である、ラインボウを有することが可能である。
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被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するためのガス放電レーザ結晶化装置であって、パルスドーズ制御に対してパルスを用いて光パワー及び高繰り返しレートでレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成する主発信パワー増幅器ＭＯＰＡ又はパワー発信器パワー増幅器と、レーザ出力光パルスビームから伸長され
た細いパルス化作用ビームを発生させる光学系とを、有するガス放電レーザ結晶化装置について開示している。その装置において、レーザシステムはＰＯＰＡレーザシステムとして構成され、第１レーザＰＯユニットから第２レーザＰＡユニットに第１出力レーザ光パルスビームを方向付けるように動作されるリレー光学系と、第１レーザ出力光パルスビームの拡大として第２レーザ出力光パルスビームを発生するように、パルス又は−３ｎｓｅｃ内で第１及び第２レーザユニットにおいてガス放電の発生のタイミングを合わせるタイミング及び制御モジュールとを更に有することが可能である。そのシステムは、発信器レーザユニットにおいて発散制御部を有することが可能である。発散性御部は不安定発振制御部を有することが可能である。そのシステムは、レーザと被加工物との中間にビームポインティング制御機構及びビーム位置制御機構を更に有することが可能である。ビームパラメータ計測法は、ビームポインティング制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とビーム位置制御機構に対するアクティブフィードバック制御部とを与えることが可能である。
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