【課題】窒化物単結晶膜におけるクラックの発生を抑制する窒化物単結晶膜の製造方法、クラックの発生が抑制された窒化物単結晶基板、およびクラックの発生が抑制された窒化物単結晶膜を備えるテンプレート基板を提供する。
【解決手段】窒化物単結晶膜の製造方法は、（１１−２０）面からのオフ角が５°以下である下地基板１を準備する工程と、上記下地基板１の主表面上に窒化物単結晶膜３を形成する工程とを備える。前記下地基板１はＳｉＣまたはサファイアからなることが好ましく、また、前記窒化物単結晶膜３を形成する工程における成膜温度範囲は１７００℃以上２４００℃以下であることが好ましい。これにより、前記テンプレート基板４の窒化物単結晶膜３はクラックの密度が低く、また、前記テンプレート基板４から下地基板１を取り除いた窒化物単結晶基板についても同様に、クラックの密度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体デバイスの結晶成長用に適した、欠陥密度の小さい高品質のＧａＮ系結晶膜連続膜を備えた結晶基板を得る。
【解決手段】ＧａＮ系半導体デバイス形成用基板として用いる結晶基板において、表面がＣ面のサファイア基板１０１と、該サファイア基板１０１上に形成されたＧａＮバッファ層１０２と、該ＧａＮバッファ層１０２上に形成されたエピタキシャル成長ＧａＮ層１０３と、該エピタキシャル成長層１０３上に形成された、複数の開口部１０５を有するＳｉＯ₂膜１０４と、該ＳｉＯ₂膜１０４の開口部１０５にＧａＮ系化合物の選択再結晶化により形成された複数の島状ＧａＮ系結晶１１と、該島状ＧａＮ系結晶１１を核とするＧａＮ系結晶の成長により形成されたＧａＮ系結晶連続膜１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液体シリコン材料中のＳｉ成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコン膜の形成方法は、少なくとも重合開始末端を有する化合物を含む液体材料を基板の上に塗布する工程と、少なくともケイ素化合物を含む液体材料を前記基板の上に塗布する工程と、重合反応を停止させるための工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の応力及び亀裂のない堆積のための基板と、かかる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層構造の製造方法にあたり、ａ）半導体材料からなる基板を準備し、ｂ）前記基板上に第二の半導体材料からなる層を施与して、半導体構造を作製し、ｃ）該半導体層構造中に軽ガスイオンを注入して、半導体層構造内に空洞を含む層を作製し、ｄ）前記空洞を規定種の不純物原子によって安定化し、ｅ）該半導体層構造上に少なくとも１層のエピタキシャル層を施与する。 （もっと読む）

【課題】 Ｐ型不純物がドープされ活性化されたIII族窒化物系半導体をアニールを必要とせずに容易に製造可能なＰ型導電性のIII族窒化物系半導体等を提供すること。
【解決手段】 基板１１０の一主面上に形成されたIII族窒化物系半導体（Ｐ型半導体層１１２）であり、III族窒化物系半導体に基板１１０からの不純物が含まれている。これにより、アクセプタ不純物としてのホウ素を、基板１１０から直接的にIII族窒化物系半導体に混入させることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の単結晶シリコン層を歪みなく均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。
【解決手段】 炭素含有ガスの供給下で、棒状の赤外線ヒータ４０４を用いて、それを直角方向に移動させつつ基板１００の表面を加熱して表面のシリコンを炭化シリコンに変成させる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁層埋め込み型半導体炭化シリコン基板を比較的安価に得ることのできる新規な製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の熱酸化処理により得られる絶縁層１０と単結晶シリコン層１２とからなる基板（（Ａ）欄）のシリコン層１２の表面に炭素含有ガスを供給しつつ加熱してシリコン層１２を炭化シリコン層１２′に変成させ（（Ｂ）欄）、絶縁層１４とシリコン層１６とからなる基板と絶縁層の側で貼り合わせて（（Ｃ）欄）、絶縁層埋め込み型半導体炭化シリコン基板（（Ｄ）欄）とする。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の単結晶シリコン層を短時間で均一に単結晶炭化シリコンに変成させる。
【解決手段】 アモルファス炭素／黒鉛複合炭素材料からなる炭素板４１０を基板１００の表面と対向させて配置する。炭素源としての炭化水素ガスおよび水素ガスを基板１００の表面に供給しつつ、炭素板４１０を赤外線ランプ４００からの赤外線で加熱して炭素板４１０から発生する輻射熱で基板１００の表面を加熱する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に作製されるゲルマニウムまたはＳｉＧｅチャネルを有する、ｐ−チャネルＭＩＳＦＥＴおよびｎ−チャネルＭＩＳＦＥＴの両方を提供する。
【解決手段】
傾斜ＳｉＧｅチャネルまたはＧｅチャネルを有する、シリコン基板（５０２）上の自己整列ＭＩＳＦＥＴトランジスタ（５００Ｈ）。チャネル（５２６）は、ガスクラスタイオンビーム（５２４）照射を用いて形成され、従来のシリコンチャネルＭＩＳＦＥＴより高いチャネル移動度を提供する。上記トランジスタの製造方法は、ガスクラスタイオンビーム処理ステップで強化され、ＳｉＧｅまたはＧｅチャネルを形成する置換ゲート工程に基づく。該チャネルは、補足ステップであるガスクラスタイオンビーム処理によって、あるいは、増移動度チャネルと同時にドープすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 成膜基板上に形成された機能性膜を、成膜基板から容易に剥離することができる剥離方法を含む機能性膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に分離層を形成する工程（ａ）と、分離層上に、機能性材料を用いて形成される機能性膜を含む被剥離層を形成する工程（ｂ）と、分離層に外力を与えて分離層の層内又は界面に割れを生じさせることにより、被剥離層を基板から剥離し、又は、被剥離層と基板との接合強度を低下させる工程（ｃ）とを含む。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、シリコン化合物の合成物及びシリコン含有膜を堆積させるためにシリコン化合物を用いる方法を提供する。本方法は、シリコン化合物を基板表面に導入するステップとシリコン化合物の一部、シリコンモチーフをシリコン含有膜として堆積させるステップとを用いる。リガンドはシリコン化合物の他の部分であり、インサイチュエッチング剤として遊離する。インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。シリコン化合物は、ＳiＲＸ₆、Ｓi₂ＲＸ₆、Ｓi₂ＲＸ₈（ここで、Ｘは独立して水素又はハロゲンであり、Ｒはカーボン、シリコン又はゲルマニウムである。）を含んでいる。シリコン化合物は、また、３つのシリコン原子と、４つのカーボン、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも１つのハロゲン原子とを含む化合物、また、４つのシリコン原子と、５つのカーボンと、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも１つのハロゲン原子とを含む化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO₂膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、３００〜６００℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が１〜４０ｎｍのGe微結晶を、密度が１×１０⁵〜１×１０⁷個／ｃｍ²となるように分散配置した。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉがドナーとして作用することによるキャリアの蓄積及び表面モフォロジーの悪化による特性劣化のない、半導体装置及び半導体基板を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板１に形成した一つ以上の化合物単結晶膜７を有する半導体装置であって、化合物半導体層基板１表面、この基板１表面と化合物単結晶膜７との界面、化合物単結晶膜７表面の何れかに、Ｓｉ酸化膜を有し、Ｓｉ酸化膜が形成される上記表面又は界面のヘイズが１０ｐｐｍ以下である。Ｓｉ酸化膜は、基板１又は下地膜７の表面に存在するＳｉ及びＳｉ化合物５を、オゾン水で表面処理した後に、第二の又はさらに多数のＧａＡｓエピタキシャル層３及び４を成長させて形成することができる。 （もっと読む）

多段を用いたエピタキシャルラテラルオーバーグロースにより窒化ガリウム基板の成長を行う。開口部領域を有するマスクされた基板上で、選択的成長により最初に三角形ストライプを作成すると、大部分の貫通転位は90°曲がる。第２段では、成長条件を変化させてラテラル成長速度を高め、平坦な(0001)面を生じさせる。この段階で、表面上の転位密度は＜5×10⁷cm^-2である。転位は主に、２つのラテラル成長したファセットがぶつかり合って合体した合体領域に存在する。転位密度をさらに低下させるため、２回目のマスキング工程を開口部が１回目のそれの真上にくるように行う。合体領域の貫通転位(TD)は上層には伝播しない。したがって、転位密度は全表面にわたって＜1×10⁷cm^-2まで低下する。
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