半導体構造及び半導体素子を製造する方法は、ガラスを使用して基板にシード構造をボンディングするステップを含む。シード構造は、半導体材料の結晶を含むことができる。ガラスを使用して基板にボンディングされたシード構造の熱処理を利用して、シード構造内部の歪状態を制御することができる。シード構造を、室温において圧縮歪の状態に置くことができる。ガラスにボンディングされたシード構造を、半導体材料の成長用に使用することができる、又は、さらなる方法では、シード構造を、ガラスを使用して第１の基板にボンディングすることができ、熱処理してシード構造内部の歪状態を制御することができ、第２の基板を、非ガラス質材料を使用してシード構造の反対側の面にボンディングすることができる。 （もっと読む）

【課題】グラフェン層成膜の大面積化や基板材質の選択自由度の拡大、製造の低コスト化を実現するグラフェン層が成長された基板およびそれを用いた電子・光集積回路装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るグラフェン層が成長された基板は、単層または複数層からなるグラフェン層が成長された基板であって、前記グラフェン層は前記基板の表面に対して略平行に成長しており、前記グラフェン層に対向する前記基板の最表面には金属酸化物の原子層が存在し、前記グラフェン層の前記基板に隣接する層と前記金属酸化物の原子層との層間距離が0.34 nm以下であることを特徴とする。また、前記金属酸化物の原子層の算術平均表面粗さRaが1 nm以下であることが好ましい。 （もっと読む）