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Fターム[5F157AC32]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | 単槽(室) (1,331) | 複数種類の処理 (68)

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洗浄 (40)
すすぎ (10)
乾燥 (10)

Fターム[5F157AC32]に分類される特許

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本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 (もっと読む)


【課題】ノズルへ供給される処理液を一定温度に維持できる処理液供給ユニットと、これを利用する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置及び方法は、ノズルアームと待機ポートとの間の熱伝達、そしてノズルアームとノズル移動ユニットとの間の熱伝達を通じて、待機位置での待機の時、工程位置での工程進行の時、待機位置と工程位置との間で移動する時、にノズルアームに内蔵された処理液配管内の処理液の温度を調節することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】複数の処理ユニットにより基板に対して処理を実行する場合において、各基板の処理状況および各処理ユニットにおける処理状況を容易に把握でき基板処理装置を提供する。
【解決手段】ガントチャート85cは、各処理ユニットにおいてロット単位の基板に実行される処理のスケジュールを、時間軸ta方向に延びる複数の帯グラフ90として表示したものである。各帯グラフ90は、対応する処理ユニット毎に、時間軸ta方向に沿って配置される。また、各帯グラフ90は、上段帯グラフ91と下段帯グラフ92を有している。上段帯グラフ91上には、処理対象となるロットの識別情報が表示される。下段帯グラフ92は、基板処理を構成する工程のスケジュールを各工程毎に示す。これにより、使用者は、各ロットに対して実行される基板処理の流れと、各処理ユニットで実行される工程のスケジュールと、を表示部85aの表示から容易に把握できる。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。
【解決手段】基板表面Wfに付着しているリンス液をIPA液に置換する間、低露点空気(CDA)が間隙空間SPに供給されて基板表面Wfの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。これによって、IPA液吐出口97aから吐出されたIPA液への水分の吸湿が抑制される。そして、IPA液への置換後に、基板表面WfからIPA液が除去されて基板表面Wfが乾燥されるが、上記したようにIPA液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりIPA液中の水分が基板表面Wfに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 (もっと読む)


【課題】基板表面の処理液をIPAなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される。そして、DIW供給停止後、所定時間が経過してパドル状の液膜の膜厚T1がほぼ均一になるのを待ってから、基板Wの回転速度が40rpmに加速される。これによって、基板上のDIW液膜の厚さが膜厚T2に減少する。こうして基板上のDIW量が減少した状態で、DIWを置換するためのIPAの供給を開始することにより、置換に必要なIPAの量を少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板表面の処理液をIPAなどの低表面張力溶剤に置換させる基板処理方法および基板処理装置において、少ない低表面張力溶剤の使用量で処理液を効率よく確実に置換する。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Wの回転速度が600rpmから10rpmに減速されてDIW液膜がパドル状に形成される(パドル形成処理)。その後、所定量のIPAを基板W上の液膜に供給してから(溶剤供給処理)、IPAを供給せずに基板を回転させることで液膜を攪拌する(攪拌処理)。これにより、基板上に残留していたDIWがIPA内に溶け込む。さらにその後、IPA供給を再開して基板の回転速度を高めることにより、基板W上のDIWを完全にIPAに置換する(置換処理)。 (もっと読む)


【課題】処理の状況に応じて、処理液による処理の均一性を向上させることも、処理槽の内部に貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることもできる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板処理装置1は、内槽11の内側へ向けて処理液を吐出して内槽11の内部に比較的高速の液流を形成する吐出ノズル131,132,141,142と、内槽11の側壁112a,112bに向けて処理液を吐出して内槽11の内部に比較的低速の液流を形成する吐出ノズル151,152とを備える。基板処理装置1は、処理の状況に応じてこれらの吐出ノズルを使い分けることにより、処理液による処理の均一性を向上させたい要求と、内槽11の内部に貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させたい要求とを、共に満足させることができる。 (もっと読む)


【課題】吐出位置に関わらず常に一定の条件にて処理液を吐出することができ、しかも装置サイズの大型化を抑制した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板にフォトレジストを吐出してレジスト塗布処理を行う3つの塗布処理ユニットSC1〜SC3が鉛直方向に沿って積層配置される。吐出ユニットLT2は、薬液ボトル71から送球されたレジストを貯留するトラップタンク64、レジストを吐出する吐出ノズル61およびトラップタンク64から吐出ノズル61にレジストを圧送する吐出ポンプ63を一体に備え、鉛直方向に沿って昇降して塗布処理ユニットSC1〜SC3の間を移動する。トラップタンク64、吐出ポンプ63および吐出ノズル61の相互間の距離および高低差は、吐出ユニットLT2の高さ位置にかかわらず一定であり、レジスト吐出条件も吐出ユニットLT2の高さ位置にかかわらず常に一定となる。 (もっと読む)


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