低圧プラズマ工程による適応性ナノコーティングの被覆方法
本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、三次元構造体上に適応してナノコーティングを被覆するための低圧プラズマ法に関する。本発明は、また、そのような適応性コーティングの、異なる材料から形成される三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含有する三次元構造体上への被覆に関する。
【背景技術】
【０００２】
ほとんどの電子デバイスは、本質的に導電性材料および電気絶縁性材料の三次元構造体である。そのような電子デバイスには、機器だけでなく、アセンブリ、実装前および実装後のプリント基板（ＰＣＢ）並びに個々の部品、例えば集積回路（ＩＣ）およびトランジスタも包含する。そのような構造体の導電性部分は通常、金属、例えば銅、アルミニウム、銀または金、導電性ポリマー或いは半導体材料から成る。これらの構造体の非導電性部分または絶縁体は通常、ポリマー、例えばガラス繊維補強された、またはされていないポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーンまたはポリアミド、あるいは紙系材料から成る。上記構造体またはアセンブリ中の絶縁体には、ガラスなどのセラミック材料を含んでいてもよい。電子デバイスの全寿命期間中には、様々な形の汚染にさらされる。上記材料のいくつかの導電率は、大気腐食によって低下するかもしれず、汚染により導電性路がトラック間または導体間に形成されることになり、デンドライトがこのメカニズムの一例である。
【０００３】
電子デバイスは、ますます不良環境および汚染環境において使用されており、汚染から保護するために適応性コーティングの使用が増大している。そのような適応性コーティングは、通常は非導電性である。
【０００４】
適応性コーティングは伝統的に、実装後の回路基板および実装後のユニットに被覆されてきたが、ハンダ付け前に銅パッドが酸化するのを防止するために、およびアセンブリ工程後の汚染からのある一定レベルの保護を提供するために、実装前の回路基板上にも使用することができる。
【０００５】
適応性コーティングに最低限要求されることは、上記デバイスと環境との間に有効なバリアを提供すべきであり、電気的に絶縁することである。上記適応性コーティングは、例えば上記構造体または絶縁体の非導電性部分を横切る導電性の増大につながるかもしれない物理的汚染を防止するべきであり、そのような導電性の増大はやがて回路の短絡につながる。そのような汚染の例には、ある条件下で表面を横切って成長するデンドライトおよび部品の導線間に空気を通過して成長する「錫ウィスカー」がある。上記コーティングは、上記金属空気中で酸化されず、他の環境ガス中で腐食されないことも保証しなければならない。上記コーティングは、電子デバイスの全寿命期間中に生じるそのような問題を防止すべきである。環境は更に厳しくなるので、適応性コーティングに対する要求はますます大きくなる。上記コーティングは、高温、高湿度、およびダスト、塩、酸、溶剤などの高汚染に耐えなければならなくなる。
【０００６】
従来の適応性コーティングは、シリコーン（特許文献１）、エポキシ（特許文献２）、アクリル（特許文献３）またはウレタン（特許文献４）をベースとするポリマーであり、通常、厚さ数十〜数百μｍである。それらは、普通、上記デバイスをスプレーまたはディッピングすることによって被覆する。上記コーティングを被覆する前に、上記デバイスをまず乾燥し、徹底的にきれいにすることが重要である。上記コーティングの被覆後に通常、別の乾燥工程を有する。従って、多くのエネルギーおよび化学物質を必要とするいくつかの異なる工程を有する製造方法であり、環境にも大きなダメージを与える。従来の伝統的なコーティングを複雑な三次元構造体上に被覆することは、特にこれらの構造体のスケールがますます小さくなるので、容易ではなく、不可能であるかもしれない。従来のコーティングの多くは、脆弱であり、フレキシブル構造体には不向きである。デバイスに繰り返し加熱サイクルを行う際に、制限された接着力および膨張特性の違いによって、多くの従来のコーティングが上記デバイスから離れるという上記コーティングに関する更なる問題が生じる。上記のような多くの従来のコーティングに関して、上記コーティングを貫通してハンダ付けを行うことはできないため、修理またはアップグレードを実施する前に、上記コーティングを除去することが必要となる。
【０００７】
上記のような制限に対して一部解決方法を提供するために、パリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）コーティングが開発された（特許文献５）。上記コーティングは真空下で被覆されるため、複雑な三次元構造体上に被覆するのに非常に好適である。開始するために昇華させなければならない固形前駆体を用い、次いで気相中で有用なモノマーを生成する前に高温熱分解を実施しなければならないため、製造方法が複雑である。パリレンコーティングは従来の適応性コーティングより薄く、通常、１μｍ未満〜１０μｍの厚さである。アセンブリまたはサブアセンブリなどの三次元構造を有するすべての部品への適当な接着力のため、および上記接着力を製品の寿命期間中に維持することを保証するために、異なる前処理が必要である。ほとんどの従来の適応性コーティングと同様に、パリレンコーティングは、修理を実施する前に、除去しなければならない。そのようなパリレンコーティングを除去することは容易ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６０‐４７０２４号公報
【特許文献２】欧州特許第０１８７５９５号明細書
【特許文献３】欧州特許第０４９２８２８号明細書
【特許文献４】カナダ特許第１１４４２９３号明細書
【特許文献５】米国特許第６３８９６９０号明細書
【発明の概要】
【０００９】
本発明では、チャンバー内で生成される有機モノマーのプラズマと接触する表面上に薄いポリマー膜を被覆させる方法であるプラズマ重合を用いる。プラズマパラメータとも呼ばれる、電力、圧力、温度、供給量などの上記被覆条件に依存して、デバイスの被覆の要求に上記膜の特性を適合させることができる。
【００１０】
本発明では、ナノ適応性コーティングを低圧プラズマ法によって被覆する。通常、層の厚さは、５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍであり、基本的には現存する適応性コーティング技術の如何なるものより薄いものである。従って、上記コーティングは、非常に微小なコーナーにおいてさえ均一なコーティングを提供し、非常に複雑かつ微小な構造体に非常に好適である。
【００１１】
上記プラズマ重合工程は、上記工程を制御する上記パラメータが電力、圧力、温度、モノマーの種類、供給量、プラズマ発生器の周波数および工程時間を含む、真空プラズマチャンバー内で行われる。上記プラズマ発生器の周波数は、ｋＨｚ、ＭＨｚおよびＧＨｚの範囲であってもよく、パルス化されていても連続的であってもよい。電極の数および位置も種々に変化させてもよい。
【００１２】
上記プラズマ重合工程を行う圧力は、通常、１０〜１０００ミリトールである。上記工程は、所望のコーティング厚さが得られるまで行う。
【００１３】
用いられる電力は、使用するモノマーに高い依存性を有するが、通常、５〜５０００Ｗの範囲で変化してもよく、連続印加またはパルス印加してもよい。パルス電力モードでは、パルス繰り返し周波数は、通常、１Ｈｚ〜１００ｋＨｚであり、マークスペース比は、通常、０．０５〜５０％である。
【００１４】
電力を印加する方法は、通常、使用するモノマーに高い依存性を有する。分子がより大きいおよび／またはより不安定であると、高電力によって容易に分解するが、これは品質の悪いコーティングである。そのような場合、より低い電力操作で、および／または周波数１０〜１００ｋＨｚ、マークスペース比０．０５〜１％を有するパルス電力を印加することによって、高品質コーティングを最も良好に得ることができる。
【００１５】
プラズマ形成ガスからの重合性粒子を表面に被覆させてコーティングを形成する。出発材料用に用いられるモノマーをガス状形態で、グロー放電によって開始させたプラズマ中に導入する。グロー放電により形成された励起電子が、モノマー分子をイオン化する。上記モノマー分子は分解して自由電子、イオン、励起分子およびラジカルを形成する。上記ラジカルは、基板上で、吸収、縮合および重合を行う。上記電子およびイオンは、既に基板表面上に被覆されている上記材料を用いて、架橋、または化学結合を形成する。
【００１６】
フリーラジカルの形成は、好ましくは、プラズマ重合工程において使用されるモノマーガスを用いることによって達成される。
【００１７】
本発明に用いられる上記前駆体は好ましくはガス状であるので、容易に上記プラズマチャンバー内に導入することができる。更に、大気圧または減圧下で液状または固形の前駆体を用いてもよく、通常、２００℃を超えない温度での簡単な加熱によって蒸発させる。このことは、それ自体、上記パリレンコーティング法と比較して、かなり簡素化されていることを表している。
【００１８】
ある一定の範囲の異なる前駆体を、前述の電子デバイス上の上記適応性ナノコーティングに使用することができる。
【００１９】
これらの前駆体は、好ましくは、ハロゲンおよび／またはリンおよび／または窒素および／またはシリコーン、例えば
前駆体ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４および／または他の飽和または不飽和ハイドロフルオロカーボン（ＣｘＦｙ）の内の１つ以上から得られるモノマー、
アクリレート（例えばＣ１３Ｈ１７Ｏ７Ｆ２）、メタクリレート（例えば、Ｃ１４Ｈ９Ｆ１７Ｏ２）またはそれらの混合物から得られるモノマー、
トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェートまたは他のリン酸誘導体の内の１つ以上から得られるモノマー、
前駆体エチルアミン、トリエチルアミン、アリルアミンまたはアクリロニトリルの内の１つ以上から得られるモノマー、或いは
シロキサン、シランまたはそれらの混合物の内の１つ以上から得られるモノマー
を含有するべきである。
【００２０】
上記プラズマ重合工程は、このましくは、実際には、同様の電極配置を用い、かつできるだけ同様の工程パラメータの範囲内で、１つ以上のプラズマ工程によって進む。
【００２１】
上記適応性コーティング並びに上記構造体またはアセンブリ内のすべての部品および材料の間の良好な接着力を得るため、および最終製品の全寿命期間中にそのような接着力を維持するために、必要に応じて、上記構造体またはアセンブリのすべての構成部品および材料を洗浄および／またはエッチングすることが必要である。洗浄とは表面上の有機汚染を除去することを意味する。エッチングとは、上記材料自体を除去および／または粗くすることを意味する。エッチングによって、ある材料上の良好な接着力を促進することを必要とされるかもしれない。
【００２２】
表面張力によって制限される液状系適応性コーティングと違って、反応ガスがすべての三次元構造体中に浸透することができるため、低圧プラズマ工程は特に上記のような場合に好適である。上記工程はまた乾式であり、作業者にとってより安全な環境を提供する。適応性コーティングの従来の方法と比べて、低圧プラズマ工程は一般的に環境により優しい。
【００２３】
選択されるガスまたはガス混合物に依存して、導体、半導体および絶縁体などの全構成材料に洗浄および／またはエッチングを実施することができる。プラズマ洗浄またはエッチングに用いられる典型的なガスは、Ｏ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物である。
【００２４】
上記洗浄、エッチングおよびコーティングをすべて同一のチャンバー中で行うことができるため、現在の適応性コーティング方法と比べて大幅な経費節減を達成することができる。
【００２５】
上記適応性コーティングと上記構造体またはアセンブリの全部品および材料との結合を更に向上するために、上記構造体の構成部品および材料を活性化することができる。活性化は、適応性コーティングを被覆する表面の親和力を高める表面張力によって、新しい化学基を上記材料の表面に形成することを意味する。プラズマ活性化に用いられる典型的なガスは、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物である。上記活性化およびコーティングをすべて同一のチャンバー中で行うことの結果として、従来の適応性コーティング方法と比べて、同様にかなりの経費節減を達成することができる。
【００２６】
最後に、上記適応性コーティングと複雑な三次元構造体またはアセンブリの全部品および材料との間の良好な接着力を達成および維持するために、トラップしたガスまたは水を除去することは非常に重要である。これにより上記プラズマ工程のガスを、構造体の中心まで浸透させることができる。この処理は、従来の適応性コーティング技術において、上記構造体をプラズマチャンバーに配置する前にベーキングすることによって行うことができる。本発明により、この脱ガスを、少なくとも一部、予備洗浄、エッチングおよびプラズマ重合と同一チャンバー中で行うことを可能にする。
【００２７】
真空処理は、上記構造体から湿分を除去するのに有用であり、それによって接着力を向上し、製品の寿命期間中の熱サイクルにおいて遭遇する問題を防止する。脱ガスのための圧力範囲は、温度範囲５〜２００℃で、１０ミリトール〜７６０トールであり、１〜１２０分間行うことができるが、通常、数分間である。予備脱ガスおよびコーティングを同一チャンバー中で行うことによって、現存する適応性コーティング解決策と比べて、同様に、かなりの経費節減を実現することができる。
【００２８】
工程パラメータおよびガス混合物の適当な選択によって、材料および部品のいくつかの組み合わせのために、洗浄、エッチングおよび活性化をすべて単一工程で実施することができる。
【００２９】
適応性コーティングを、例えば個々のトランジスタまたは集積回路などの電子部品用に使用することができることが実験によって示された。より大規模なシステム構成部品に実装後、本発明の方法に従って被覆することができる、そのような個々の部品を被覆してもよい。これらのコーティングが、実装前および実装後のプリント基板（ＰＣＢ）に特に好適であることもわかった。
【００３０】
従って、本発明の適応性ナノコーティングは、複雑な構造体のコーティングにおいて特に優位性を示し、ここで、複雑な構造体には三次元構造体および／または異なる材料および／または部品の組み合わせを含む。
【００３１】
本発明の方法は、異なる材料を同一工程において（同時に）単一ナノコーティングに組み合わせることを可能にする。本発明の方法はまた、ナノコーティングをより複雑な三次元構造体に被覆することを可能にする。
【００３２】
本発明の好ましい態様において、ナノコーティングを既に搭載された部品を有するプリント基板に被覆して、アセンブリの適応性ナノコーティングを提供する。本発明の他の好ましい態様において、複雑な下部構造体をまず適応性ナノコーティングで被覆し、次いで相互に接続して、全体の適応性コーティングを提供するために続いて被覆されるナノコーティングを有する単一の複雑なアセンブリを形成する。本発明に記載されているように、上記ナノコーティングは、上記構造体またはアセンブリの全表面および一部に、撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃剤保護を提供する。
【００３３】
上記ナノコーティングは、２００℃を超える高温にも耐えることが実験によって示された。
【００３４】
上記ナノコーティングは、フレキシブル構造体または耐衝撃性を有することが要求される用途に適応させる弾性も示す。
【００３５】
本発明に記載されたナノコーティングは、標準ハンダ付け工程を用いることによってハンダ付けすることができる重要な特性をも有する。
【００３６】
別の態様において、本発明は、実装前および実装後のナノコート電子部品および小型電子部品、集積回路およびプリント基板（ＰＣＢ）への、前述の方法の使用方法に関する。
【００３７】
本発明は、ナノコーティングを上記構造体の全表面および一部に被覆する前述の方法の使用方法に関し、それによって上記ナノコーティングは撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃性を有する。
【００３８】
本発明はまた、弾性を有し、ハンダ付け可能となるナノコーティングを被覆する前述の方法の使用方法に関する。
【００３９】
更に別の態様では、本発明は、異なる材料の導電性および非導電性部分および／または部品の三次元構造体に被覆された適応性ナノコーティングに関する。上記コーティングは、厚さ５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍを有する。上記適応性ナノコーティングは、前述の方法の手段によって被覆される。
【００４０】
更なる態様では、本発明は、前述のような適応性ナノコーティングを有するプリント基板アセンブリに関する。上記適応性ナノコーティングは、低圧プラズマ工程によって被覆される。
【００４１】
本発明の更なる優位性は、実施態様の１つ以上の非限定的例示を説明する図１および図２と合わせて考慮されるべき、以下の例示的実施態様の詳細な説明を参照することによって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
詳細な説明において、以下の内容を有する添付の図面を参照する。
【図１】本発明の個々の電極の図面である。
【図２】本発明の真空チャンバーに好適である多電極配列の１つの態様を説明する図面である。
【実施例】
【００４３】
（実施例１）反応チャンバー中の電極配置
電極を図１および図２に示すように配列した。低圧プラズマを発生する電極配列には、中空で、湾曲した、円形１組の浮遊電極１を含み、真空チャンバー５は集団（ｍａｓｓ）として機能する。上記電極１は液体を用いて供給され、上記液体は冷却および加熱することができ、上記プラズマ工程を温度範囲５〜２００℃で、好ましくは２０〜９０℃の制御された温度で行うことを可能とする。
【００４４】
上記配置の典型的電極１は、直径５〜５０ｍｍ、壁厚０．２５〜２.５ｍｍ、回転角度１８０度を有する端に向かっての湾曲加工を有し、湾曲部の前後の管の間の距離が管直径の１〜１０倍、好ましくは５倍であった。
【００４５】
クラッチ板４上に搭載した接続板２によって電力を上記電極１に印加した。薄い絶縁層または遮蔽層３を、上記クラッチ板４および上記チャンバー５の間に被覆した。上記層の厚さは、プラズマが通過できないように、通常、数ｍｍである。
【００４６】
電極間を押すことができる穿孔処理した金属容器またはトレイ６を用いることによって、ナノコーティングが被覆される三次元構造体または装置を、電極間に配置した。上記電極および／または基板の間に、数ｍｍの最小距離を維持することが好ましい。前述の装置中の上記浮遊電極によって、均一な三次元コーティングを単一工程で被覆することが可能である。構造体の上部および底部を、２つの異なる工程で被覆する必要はない。
【００４７】
上記電極は、周波数２０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、好ましくは４０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚ，より好ましくは１３．５６ＭＨｚで、高周波電場を発生した。
【００４８】
そのような電極配置は、ＣＤ１０００プラズマ装置に好適であった。
【００４９】
（実施例２）電話用埋め込み型回路基板のＣ３Ｆ６による低圧プラズマ重合
実装後の携帯電話用回路基板を、実施例１に記載したように、ＣＤ１０００プラズマ装置中に２分以上配置し、圧力１００〜１０００ミリトールで脱ガスした。次いで、上記基板を、Ａｒを用いて洗浄およびエッチングし、５０ミリトールおよび室温で、Ｃ３Ｆ６を用いて１０分間プラズマ重合を行った。上記プラズマ重合工程によって被覆されたフルオロポリマー適応性コーティングの厚さを測定すると、約８０ｎｍであった。
【００５０】
次いで、上記回路基板を、湿度、高温および塩の煙霧への長期曝露などの種々のエージング工程に曝露した。見たところ、適応性ナノコーティングを有する回路基板は、未処理の回路基板より、かなり小さい腐食作用を示すことがわかった。電気的試験を行ったところ、ナノ適応性コーティングを有する回路基板アセンブリは見たところ電気的故障を示さず、未処理の回路基板より、かなり少ないこともわかった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、三次元構造体上に適応してナノコーティングを被覆するための低圧プラズマ法に関する。本発明は、また、そのような適応性コーティングの、異なる材料から形成される三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含有する三次元構造体上への被覆に関する。
【背景技術】
【０００２】
ほとんどの電子デバイスは、本質的に導電性材料および電気絶縁性材料の三次元構造体である。そのような電子デバイスには、機器だけでなく、アセンブリ、実装前および実装後のプリント基板（ＰＣＢ）並びに個々の部品、例えば集積回路（ＩＣ）およびトランジスタも包含する。そのような構造体の導電性部分は通常、金属、例えば銅、アルミニウム、銀または金、導電性ポリマー或いは半導体材料から成る。これらの構造体の非導電性部分または絶縁体は通常、ポリマー、例えばガラス繊維補強された、またはされていないポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーンまたはポリアミド、あるいは紙系材料から成る。上記構造体またはアセンブリ中の絶縁体には、ガラスなどのセラミック材料を含んでいてもよい。電子デバイスの全寿命期間中には、様々な形の汚染にさらされる。上記材料のいくつかの導電率は、大気腐食によって低下するかもしれず、汚染により導電性路がトラック間または導体間に形成されることになり、デンドライトがこのメカニズムの一例である。
【０００３】
電子デバイスは、ますます不良環境および汚染環境において使用されており、汚染から保護するために適応性コーティングの使用が増大している。そのような適応性コーティングは、通常は非導電性である。
【０００４】
適応性コーティングは伝統的に、実装後の回路基板および実装後のユニットに被覆されてきたが、ハンダ付け前に銅パッドが酸化するのを防止するために、およびアセンブリ工程後の汚染からのある一定レベルの保護を提供するために、実装前の回路基板上にも使用することができる。
【０００５】
適応性コーティングに最低限要求されることは、上記デバイスと環境との間に有効なバリアを提供すべきであり、電気的に絶縁することである。上記適応性コーティングは、例えば上記構造体または絶縁体の非導電性部分を横切る導電性の増大につながるかもしれない物理的汚染を防止するべきであり、そのような導電性の増大はやがて回路の短絡につながる。そのような汚染の例には、ある条件下で表面を横切って成長するデンドライトおよび部品の導線間に空気を通過して成長する「錫ウィスカー」がある。上記コーティングは、上記金属空気中で酸化されず、他の環境ガス中で腐食されないことも保証しなければならない。上記コーティングは、電子デバイスの全寿命期間中に生じるそのような問題を防止すべきである。環境は更に厳しくなるので、適応性コーティングに対する要求はますます大きくなる。上記コーティングは、高温、高湿度、およびダスト、塩、酸、溶剤などの高汚染に耐えなければならなくなる。
【０００６】
従来の適応性コーティングは、シリコーン（特許文献１）、エポキシ（特許文献２）、アクリル（特許文献３）またはウレタン（特許文献４）をベースとするポリマーであり、通常、厚さ数十〜数百μｍである。それらは、普通、上記デバイスをスプレーまたはディッピングすることによって被覆する。上記コーティングを被覆する前に、上記デバイスをまず乾燥し、徹底的にきれいにすることが重要である。上記コーティングの被覆後に通常、別の乾燥工程を有する。従って、多くのエネルギーおよび化学物質を必要とするいくつかの異なる工程を有する製造方法であり、環境にも大きなダメージを与える。従来の伝統的なコーティングを複雑な三次元構造体上に被覆することは、特にこれらの構造体のスケールがますます小さくなるので、容易ではなく、不可能であるかもしれない。従来のコーティングの多くは、脆弱であり、フレキシブル構造体には不向きである。デバイスに繰り返し加熱サイクルを行う際に、制限された接着力および膨張特性の違いによって、多くの従来のコーティングが上記デバイスから離れるという上記コーティングに関する更なる問題が生じる。上記のような多くの従来のコーティングに関して、上記コーティングを貫通してハンダ付けを行うことはできないため、修理またはアップグレードを実施する前に、上記コーティングを除去することが必要となる。
【０００７】
上記のような制限に対して一部解決方法を提供するために、パリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）コーティングが開発された（特許文献５）。上記コーティングは真空下で被覆されるため、複雑な三次元構造体上に被覆するのに非常に好適である。開始するために昇華させなければならない固形前駆体を用い、次いで気相中で有用なモノマーを生成する前に高温熱分解を実施しなければならないため、製造方法が複雑である。パリレンコーティングは従来の適応性コーティングより薄く、通常、１μｍ未満〜１０μｍの厚さである。アセンブリまたはサブアセンブリなどの三次元構造を有するすべての部品への適当な接着力のため、および上記接着力を製品の寿命期間中に維持することを保証するために、異なる前処理が必要である。ほとんどの従来の適応性コーティングと同様に、パリレンコーティングは、修理を実施する前に、除去しなければならない。そのようなパリレンコーティングを除去することは容易ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６０‐４７０２４号公報
【特許文献２】欧州特許第０１８７５９５号明細書
【特許文献３】欧州特許第０４９２８２８号明細書
【特許文献４】カナダ特許第１１４４２９３号明細書
【特許文献５】米国特許第６３８９６９０号明細書
【発明の概要】
【０００９】
本発明では、チャンバー内で生成される有機モノマーのプラズマと接触する表面上に薄いポリマー膜を被覆させる方法であるプラズマ重合を用いる。プラズマパラメータとも呼ばれる、電力、圧力、温度、供給量などの上記被覆条件に依存して、デバイスの被覆の要求に上記膜の特性を適合させることができる。
【００１０】
本発明では、ナノ適応性コーティングを低圧プラズマ法によって被覆する。通常、層の厚さは、５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍであり、基本的には現存する適応性コーティング技術の如何なるものより薄いものである。従って、上記コーティングは、非常に微小なコーナーにおいてさえ均一なコーティングを提供し、非常に複雑かつ微小な構造体に非常に好適である。
【００１１】
上記プラズマ重合工程は、上記工程を制御する上記パラメータが電力、圧力、温度、モノマーの種類、供給量、プラズマ発生器の周波数および工程時間を含む、真空プラズマチャンバー内で行われる。上記プラズマ発生器の周波数は、ｋＨｚ、ＭＨｚおよびＧＨｚの範囲であってもよく、パルス化されていても連続的であってもよい。電極の数および位置も種々に変化させてもよい。
【００１２】
上記プラズマ重合工程を行う圧力は、通常、１０〜１０００ミリトールである。上記工程は、所望のコーティング厚さが得られるまで行う。
【００１３】
用いられる電力は、使用するモノマーに高い依存性を有するが、通常、５〜５０００Ｗの範囲で変化してもよく、連続印加またはパルス印加してもよい。パルス電力モードでは、パルス繰り返し周波数は、通常、１Ｈｚ〜１００ｋＨｚであり、マークスペース比は、通常、０．０５〜５０％である。
【００１４】
電力を印加する方法は、通常、使用するモノマーに高い依存性を有する。分子がより大きいおよび／またはより不安定であると、高電力によって容易に分解するが、これは品質の悪いコーティングである。そのような場合、より低い電力操作で、および／または周波数１０〜１００ｋＨｚ、マークスペース比０．０５〜１％を有するパルス電力を印加することによって、高品質コーティングを最も良好に得ることができる。
【００１５】
プラズマ形成ガスからの重合性粒子を表面に被覆させてコーティングを形成する。出発材料用に用いられるモノマーをガス状形態で、グロー放電によって開始させたプラズマ中に導入する。グロー放電により形成された励起電子が、モノマー分子をイオン化する。上記モノマー分子は分解して自由電子、イオン、励起分子およびラジカルを形成する。上記ラジカルは、基板上で、吸収、縮合および重合を行う。上記電子およびイオンは、既に基板表面上に被覆されている上記材料を用いて、架橋、または化学結合を形成する。
【００１６】
フリーラジカルの形成は、好ましくは、プラズマ重合工程において使用されるモノマーガスを用いることによって達成される。
【００１７】
本発明に用いられる上記前駆体は好ましくはガス状であるので、容易に上記プラズマチャンバー内に導入することができる。更に、大気圧または減圧下で液状または固形の前駆体を用いてもよく、通常、２００℃を超えない温度での簡単な加熱によって蒸発させる。このことは、それ自体、上記パリレンコーティング法と比較して、かなり簡素化されていることを表している。
【００１８】
ある一定の範囲の異なる前駆体を、前述の電子デバイス上の上記適応性ナノコーティングに使用することができる。
【００１９】
これらの前駆体は、好ましくは、ハロゲンおよび／またはリンおよび／または窒素および／またはシリコーン、例えば
前駆体ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４および／または他の飽和または不飽和ハイドロフルオロカーボン（ＣｘＦｙ）の内の１つ以上から得られるモノマー、
アクリレート（例えばＣ１３Ｈ１７Ｏ７Ｆ２）、メタクリレート（例えば、Ｃ１４Ｈ９Ｆ１７Ｏ２）またはそれらの混合物から得られるモノマー、
トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェートまたは他のリン酸誘導体の内の１つ以上から得られるモノマー、
前駆体エチルアミン、トリエチルアミン、アリルアミンまたはアクリロニトリルの内の１つ以上から得られるモノマー、或いは
シロキサン、シランまたはそれらの混合物の内の１つ以上から得られるモノマー
を含有するべきである。
【００２０】
上記プラズマ重合工程は、このましくは、実際には、同様の電極配置を用い、かつできるだけ同様の工程パラメータの範囲内で、１つ以上のプラズマ工程によって進む。
【００２１】
上記適応性コーティング並びに上記構造体またはアセンブリ内のすべての部品および材料の間の良好な接着力を得るため、および最終製品の全寿命期間中にそのような接着力を維持するために、必要に応じて、上記構造体またはアセンブリのすべての構成部品および材料を洗浄および／またはエッチングすることが必要である。洗浄とは表面上の有機汚染を除去することを意味する。エッチングとは、上記材料自体を除去および／または粗くすることを意味する。エッチングによって、ある材料上の良好な接着力を促進することを必要とされるかもしれない。
【００２２】
表面張力によって制限される液状系適応性コーティングと違って、反応ガスがすべての三次元構造体中に浸透することができるため、低圧プラズマ工程は特に上記のような場合に好適である。上記工程はまた乾式であり、作業者にとってより安全な環境を提供する。適応性コーティングの従来の方法と比べて、低圧プラズマ工程は一般的に環境により優しい。
【００２３】
選択されるガスまたはガス混合物に依存して、導体、半導体および絶縁体などの全構成材料に洗浄および／またはエッチングを実施することができる。プラズマ洗浄またはエッチングに用いられる典型的なガスは、Ｏ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物である。
【００２４】
上記洗浄、エッチングおよびコーティングをすべて同一のチャンバー中で行うことができるため、現在の適応性コーティング方法と比べて大幅な経費節減を達成することができる。
【００２５】
上記適応性コーティングと上記構造体またはアセンブリの全部品および材料との結合を更に向上するために、上記構造体の構成部品および材料を活性化することができる。活性化は、適応性コーティングを被覆する表面の親和力を高める表面張力によって、新しい化学基を上記材料の表面に形成することを意味する。プラズマ活性化に用いられる典型的なガスは、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物である。上記活性化およびコーティングをすべて同一のチャンバー中で行うことの結果として、従来の適応性コーティング方法と比べて、同様にかなりの経費節減を達成することができる。
【００２６】
最後に、上記適応性コーティングと複雑な三次元構造体またはアセンブリの全部品および材料との間の良好な接着力を達成および維持するために、トラップしたガスまたは水を除去することは非常に重要である。これにより上記プラズマ工程のガスを、構造体の中心まで浸透させることができる。この処理は、従来の適応性コーティング技術において、上記構造体をプラズマチャンバーに配置する前にベーキングすることによって行うことができる。本発明により、この脱ガスを、少なくとも一部、予備洗浄、エッチングおよびプラズマ重合と同一チャンバー中で行うことを可能にする。
【００２７】
真空処理は、上記構造体から湿分を除去するのに有用であり、それによって接着力を向上し、製品の寿命期間中の熱サイクルにおいて遭遇する問題を防止する。脱ガスのための圧力範囲は、温度範囲５〜２００℃で、１０ミリトール〜７６０トールであり、１〜１２０分間行うことができるが、通常、数分間である。予備脱ガスおよびコーティングを同一チャンバー中で行うことによって、現存する適応性コーティング解決策と比べて、同様に、かなりの経費節減を実現することができる。
【００２８】
工程パラメータおよびガス混合物の適当な選択によって、材料および部品のいくつかの組み合わせのために、洗浄、エッチングおよび活性化をすべて単一工程で実施することができる。
【００２９】
適応性コーティングを、例えば個々のトランジスタまたは集積回路などの電子部品用に使用することができることが実験によって示された。より大規模なシステム構成部品に実装後、本発明の方法に従って被覆することができる、そのような個々の部品を被覆してもよい。これらのコーティングが、実装前および実装後のプリント基板（ＰＣＢ）に特に好適であることもわかった。
【００３０】
従って、本発明の適応性ナノコーティングは、複雑な構造体のコーティングにおいて特に優位性を示し、ここで、複雑な構造体には三次元構造体および／または異なる材料および／または部品の組み合わせを含む。
【００３１】
本発明の方法は、異なる材料を同一工程において（同時に）単一ナノコーティングに組み合わせることを可能にする。本発明の方法はまた、ナノコーティングをより複雑な三次元構造体に被覆することを可能にする。
【００３２】
本発明の好ましい態様において、ナノコーティングを既に搭載された部品を有するプリント基板に被覆して、アセンブリの適応性ナノコーティングを提供する。本発明の他の好ましい態様において、複雑な下部構造体をまず適応性ナノコーティングで被覆し、次いで相互に接続して、全体の適応性コーティングを提供するために続いて被覆されるナノコーティングを有する単一の複雑なアセンブリを形成する。本発明に記載されているように、上記ナノコーティングは、上記構造体またはアセンブリの全表面および一部に、撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃剤保護を提供する。
【００３３】
上記ナノコーティングは、２００℃を超える高温にも耐えることが実験によって示された。
【００３４】
上記ナノコーティングは、フレキシブル構造体または耐衝撃性を有することが要求される用途に適応させる弾性も示す。
【００３５】
本発明に記載されたナノコーティングは、標準ハンダ付け工程を用いることによってハンダ付けすることができる重要な特性をも有する。
【００３６】
別の態様において、本発明は、実装前および実装後のナノコート電子部品および小型電子部品、集積回路およびプリント基板（ＰＣＢ）への、前述の方法の使用方法に関する。
【００３７】
本発明は、ナノコーティングを上記構造体の全表面および一部に被覆する前述の方法の使用方法に関し、それによって上記ナノコーティングは撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃性を有する。
【００３８】
本発明はまた、弾性を有し、ハンダ付け可能となるナノコーティングを被覆する前述の方法の使用方法に関する。
【００３９】
更に別の態様では、本発明は、異なる材料の導電性および非導電性部分および／または部品の三次元構造体に被覆された適応性ナノコーティングに関する。上記コーティングは、厚さ５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍを有する。上記適応性ナノコーティングは、前述の方法の手段によって被覆される。
【００４０】
更なる態様では、本発明は、前述のような適応性ナノコーティングを有するプリント基板アセンブリに関する。上記適応性ナノコーティングは、低圧プラズマ工程によって被覆される。
【００４１】
本発明の更なる優位性は、実施態様の１つ以上の非限定的例示を説明する図１および図２と合わせて考慮されるべき、以下の例示的実施態様の詳細な説明を参照することによって明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
詳細な説明において、以下の内容を有する添付の図面を参照する。
【図１】本発明の個々の電極の図面である。
【図２】本発明の真空チャンバーに好適である多電極配列の１つの態様を説明する図面である。
【実施例】
【００４３】
（実施例１）反応チャンバー中の電極配置
電極を図１および図２に示すように配列した。低圧プラズマを発生する電極配列には、中空で、湾曲した、円形１組の浮遊電極１を含み、真空チャンバー５は集団（ｍａｓｓ）として機能する。上記電極１は液体を用いて供給され、上記液体は冷却および加熱することができ、上記プラズマ工程を温度範囲５〜２００℃で、好ましくは２０〜９０℃の制御された温度で行うことを可能とする。
【００４４】
上記配置の典型的電極１は、直径５〜５０ｍｍ、壁厚０．２５〜２.５ｍｍ、回転角度１８０度を有する端に向かっての湾曲加工を有し、湾曲部の前後の管の間の距離が管直径の１〜１０倍、好ましくは５倍であった。
【００４５】
クラッチ板４上に搭載した接続板２によって電力を上記電極１に印加した。薄い絶縁層または遮蔽層３を、上記クラッチ板４および上記チャンバー５の間に被覆した。上記層の厚さは、プラズマが通過できないように、通常、数ｍｍである。
【００４６】
電極間を押すことができる穿孔処理した金属容器またはトレイ６を用いることによって、ナノコーティングが被覆される三次元構造体または装置を、電極間に配置した。上記電極および／または基板の間に、数ｍｍの最小距離を維持することが好ましい。前述の装置中の上記浮遊電極によって、均一な三次元コーティングを単一工程で被覆することが可能である。構造体の上部および底部を、２つの異なる工程で被覆する必要はない。
【００４７】
上記電極は、周波数２０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、好ましくは４０ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚ，より好ましくは１３．５６ＭＨｚで、高周波電場を発生した。
【００４８】
そのような電極配置は、ＣＤ１０００プラズマ装置に好適であった。
【００４９】
（実施例２）電話用埋め込み型回路基板のＣ３Ｆ６による低圧プラズマ重合
実装後の携帯電話用回路基板を、実施例１に記載したように、ＣＤ１０００プラズマ装置中に２分以上配置し、圧力１００〜１０００ミリトールで脱ガスした。次いで、上記基板を、Ａｒを用いて洗浄およびエッチングし、５０ミリトールおよび室温で、Ｃ３Ｆ６を用いて１０分間プラズマ重合を行った。上記プラズマ重合工程によって被覆されたフルオロポリマー適応性コーティングの厚さを測定すると、約８０ｎｍであった。
【００５０】
次いで、上記回路基板を、湿度、高温および塩の煙霧への長期曝露などの種々のエージング工程に曝露した。見たところ、適応性ナノコーティングを有する回路基板は、未処理の回路基板より、かなり小さい腐食作用を示すことがわかった。電気的試験を行ったところ、ナノ適応性コーティングを有する回路基板アセンブリは見たところ電気的故障を示さず、未処理の回路基板より、かなり少ないこともわかった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
形状適応性ナノコーティングを導電性および非導電性要素から構成される三次元構造体またはアセンブリの上に被覆させる方法であって、該コーティングを低圧プラズマ工程によって被覆させることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記コーティングが、低圧プラズマ重合工程によって被覆される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマ重合工程が、プラズマ洗浄および／またはエッチング工程によって進む請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマ重合工程が、プラズマ活性化工程によって進む請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記プラズマ重合工程が、前記構造体またはアセンブリの脱ガス工程によって進む請求項２〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
（ａ）請求項５記載の脱ガス工程、
（ｂ）請求項３記載のプラズマ洗浄および／またはエッチング工程、および
（ｃ）請求項１または２記載の被覆工程
を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
（ａ）請求項５記載の脱ガス工程、
（ｂ）請求項３記載のプラズマ洗浄および／またはエッチング工程、
（ｃ）請求項４記載の活性化工程、および
（ｄ）請求項１または２記載の被覆工程
を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記洗浄および／またはエッチング工程並びに活性化工程が単一工程に組み合わされる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記脱ガス工程、洗浄および／またはエッチング工程並びに活性化工程が単一工程に組み合わされる請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】
全工程が同一プラズマチャンバー内で処理される請求項３〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記コーティングが、厚さ５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍを有する請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記プラズマ工程が、圧力１０〜１０００ミリトールで行われる請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記プラズマ工程が、温度５〜２００℃、好ましくは２０〜９０℃で行われる請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記プラズマ工程が、周波数２０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、好ましくは４０ｋＨｚ、より好ましくは１３．５６ＭＨｚで行われる請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
ＲＦパワーが、前記プラズマ重合工程の間、連続的に維持される請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
前記ＲＦパワーが、前記プラズマ重合工程の間、パルスを生じ、マークとスペースとの比が概して０．０５〜５０％であると共に、前記パルスの周波数が概して１Ｈｚ〜１００ｋＨｚである請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
前記洗浄および／またはエッチング工程が、ガス状のＯ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物によって行われる請求項３記載の方法。
【請求項１８】
前記活性化工程が、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物のガスによって行われる請求項４記載の方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８記載のガスと混合して、ガス状重合性モノマーまたはそれらの混合物を使用する請求項２〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
液状前駆体を加熱するか、固形前駆体を加熱するか、またはそれらの組み合わせによって、ガス状重合性モノマーがガス状前駆体から生成される請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記モノマーが、ハロゲン、硫黄、リン、窒素および／またはシリコーンを含む請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２２】
前記モノマーが、前駆体ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４および／または他の飽和または不飽和ハイドロフルオロカーボン（ＣｘＦｙ）の内の１つ以上から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２３】
前記モノマーが、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェートまたは他のリン酸誘導体の内の１つ以上から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２４】
前記モノマーが、前駆体エチルアミン、トリエチルアミン、アリルアミンまたはアクリロニトリルの内の１つ以上から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２５】
前記モノマーが、アクリレート、メタクリレートまたはそれらの混合物から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２６】
前記モノマーが、シロキサン、シラン、シラザンまたはそれらの混合物から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２７】
前記構造体またはアセンブリの導電性部分が、銅、アルミニウム、銀または金を含む金属を含有する請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
前記構造体またはアセンブリの導電性部分が、半導体材料または導電性ポリマーを含む請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
前記構造体またはアセンブリの非導電性部分が、ガラス繊維補強された、またはされていないポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーンまたはポリアミドを含むポリマー、あるいは紙を含有する請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
前記構造体またはアセンブリの非導電性部分が、ガラスを含むセラミック材料を含有する請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記三次元構造体またはアセンブリが硬質である請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
前記三次元構造体またはアセンブリがフレキシブルである請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３３】
電子部品および小型電子部品を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３４】
集積回路を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３５】
実装前のプリント基板を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３６】
電子部品実装後のプリント基板を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３７】
前記構造体またはアセンブリの全表面および一部に、撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃剤保護を提供するためにナノコーティングを被覆するための請求項１〜３６のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３８】
弾性を有するナノコーティングを被覆するための請求項１〜３６のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３９】
ハンダ付けすることができるナノコーティングを被覆するための請求項１〜３６のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項４０】
異なる材料の導電性および非導電性部分および／または部品の三次元構造体に被覆された適応性ナノコーティング。
【請求項４１】
厚さ５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍを有する請求項４０記載の適応性ナノコーティング。
【請求項４２】
請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法によって被覆される請求項４０または４１記載の適応性ナノコーティング。
【請求項４３】
請求項４０〜４２のいずれか１項記載の適応性ナノコーティングを含むプリント基板アセンブリ。
【請求項４４】
前記適応性ナノコーティングが低圧プラズマ工程によって被覆される請求項４３記載のプリント基板アセンブリ。
【請求項１】
形状適応性ナノコーティングを導電性および非導電性要素から構成される三次元構造体またはアセンブリの上に被覆させる方法であって、該コーティングを低圧プラズマ工程によって被覆させることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記コーティングが、低圧プラズマ重合工程によって被覆される請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマ重合工程が、プラズマ洗浄および／またはエッチング工程によって進む請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマ重合工程が、プラズマ活性化工程によって進む請求項２記載の方法。
【請求項５】
前記プラズマ重合工程が、前記構造体またはアセンブリの脱ガス工程によって進む請求項２〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
（ａ）請求項５記載の脱ガス工程、
（ｂ）請求項３記載のプラズマ洗浄および／またはエッチング工程、および
（ｃ）請求項１または２記載の被覆工程
を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
（ａ）請求項５記載の脱ガス工程、
（ｂ）請求項３記載のプラズマ洗浄および／またはエッチング工程、
（ｃ）請求項４記載の活性化工程、および
（ｄ）請求項１または２記載の被覆工程
を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記洗浄および／またはエッチング工程並びに活性化工程が単一工程に組み合わされる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記脱ガス工程、洗浄および／またはエッチング工程並びに活性化工程が単一工程に組み合わされる請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】
全工程が同一プラズマチャンバー内で処理される請求項３〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記コーティングが、厚さ５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍを有する請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記プラズマ工程が、圧力１０〜１０００ミリトールで行われる請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記プラズマ工程が、温度５〜２００℃、好ましくは２０〜９０℃で行われる請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記プラズマ工程が、周波数２０ｋＨｚ〜２．４５ＧＨｚ、好ましくは４０ｋＨｚ、より好ましくは１３．５６ＭＨｚで行われる請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
ＲＦパワーが、前記プラズマ重合工程の間、連続的に維持される請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
前記ＲＦパワーが、前記プラズマ重合工程の間、パルスを生じ、マークとスペースとの比が概して０．０５〜５０％であると共に、前記パルスの周波数が概して１Ｈｚ〜１００ｋＨｚである請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１７】
前記洗浄および／またはエッチング工程が、ガス状のＯ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物によって行われる請求項３記載の方法。
【請求項１８】
前記活性化工程が、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２、ＣＦ４、Ａｒ、Ｈｅまたはそれらの混合物のガスによって行われる請求項４記載の方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８記載のガスと混合して、ガス状重合性モノマーまたはそれらの混合物を使用する請求項２〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
液状前駆体を加熱するか、固形前駆体を加熱するか、またはそれらの組み合わせによって、ガス状重合性モノマーがガス状前駆体から生成される請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記モノマーが、ハロゲン、硫黄、リン、窒素および／またはシリコーンを含む請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２２】
前記モノマーが、前駆体ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４および／または他の飽和または不飽和ハイドロフルオロカーボン（ＣｘＦｙ）の内の１つ以上から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２３】
前記モノマーが、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリプロピルホスフェートまたは他のリン酸誘導体の内の１つ以上から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２４】
前記モノマーが、前駆体エチルアミン、トリエチルアミン、アリルアミンまたはアクリロニトリルの内の１つ以上から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２５】
前記モノマーが、アクリレート、メタクリレートまたはそれらの混合物から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２６】
前記モノマーが、シロキサン、シラン、シラザンまたはそれらの混合物から誘導される請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２７】
前記構造体またはアセンブリの導電性部分が、銅、アルミニウム、銀または金を含む金属を含有する請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
前記構造体またはアセンブリの導電性部分が、半導体材料または導電性ポリマーを含む請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２９】
前記構造体またはアセンブリの非導電性部分が、ガラス繊維補強された、またはされていないポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、シリコーンまたはポリアミドを含むポリマー、あるいは紙を含有する請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
前記構造体またはアセンブリの非導電性部分が、ガラスを含むセラミック材料を含有する請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記三次元構造体またはアセンブリが硬質である請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
前記三次元構造体またはアセンブリがフレキシブルである請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項３３】
電子部品および小型電子部品を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３４】
集積回路を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３５】
実装前のプリント基板を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３６】
電子部品実装後のプリント基板を被覆するための請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３７】
前記構造体またはアセンブリの全表面および一部に、撥水性、撥油性、耐塩性、耐酸性および難燃剤保護を提供するためにナノコーティングを被覆するための請求項１〜３６のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３８】
弾性を有するナノコーティングを被覆するための請求項１〜３６のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項３９】
ハンダ付けすることができるナノコーティングを被覆するための請求項１〜３６のいずれか１項記載の方法の使用方法。
【請求項４０】
異なる材料の導電性および非導電性部分および／または部品の三次元構造体に被覆された適応性ナノコーティング。
【請求項４１】
厚さ５〜５００ｎｍ、好ましくは２５〜２５０ｎｍを有する請求項４０記載の適応性ナノコーティング。
【請求項４２】
請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法によって被覆される請求項４０または４１記載の適応性ナノコーティング。
【請求項４３】
請求項４０〜４２のいずれか１項記載の適応性ナノコーティングを含むプリント基板アセンブリ。
【請求項４４】
前記適応性ナノコーティングが低圧プラズマ工程によって被覆される請求項４３記載のプリント基板アセンブリ。
【図１】
【図２】
【図２】
【公表番号】特表２０１３−５１７３８２（Ｐ２０１３−５１７３８２Ａ）
【公表日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５４９２９３（Ｐ２０１２−５４９２９３）
【出願日】平成２３年１月２１日（２０１１．１．２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１１／０００２４２
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８９００９
【国際公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【出願人】（５０５２７３４４２）
【氏名又は名称原語表記】ＥＵＲＯＰＬＡＳＭＡ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年５月１６日（２０１３．５．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２１日（２０１１．１．２１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１１／０００２４２
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８９００９
【国際公開日】平成２３年７月２８日（２０１１．７．２８）
【出願人】（５０５２７３４４２）
【氏名又は名称原語表記】ＥＵＲＯＰＬＡＳＭＡ
【Ｆターム（参考）】
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