【課題】硬化後の硬化物の熱伝導性に優れており、かつ該硬化物の耐湿性にも優れている絶縁材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁材料は、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である熱伝導体２と導電層４とを接着するために用いられ、絶縁シート又は絶縁ペーストである。本発明に係る絶縁材料は、分子量が１００００未満であり、かつ環状エーテル基を有する硬化性化合物と、硬化剤と、シリカと、アルミニウム原子を有する有機化合物とを含む。上記絶縁材料１００重量％中、上記シリカの含有量は１５体積％以上、７０体積％以下である。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで保護膜を形成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（ＴＦＴ，バックプレーン等）は、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と対向配置されると共に、有機半導体を含む半導体層と、半導体層の一部に電気的に接続され、ソースまたはドレインとして機能するソース・ドレイン電極と、半導体層上に設けられ、有機溶媒に可溶であると共に有機半導体と相分離する有機絶縁材料を含む保護膜とを備える。保護膜は、製造プロセスにおいて、有機溶媒に溶かされた状態（溶液の状態）で半導体層上に塗布（または印刷）されることにより形成される。有機溶媒によって半導体層の表面側の一部が溶け出すが、この溶けた部分は上記溶液と相分離する。保護膜に有機絶縁材料を用いる場合であっても、有機溶媒による半導体層の侵食の進行が抑制される。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】直接描画法によりレジストの膜パターンやパッシベーション用などの有機膜パターンを形成する際に発生し易い描画性や密着性の問題を防ぐことのできる半導体基板への有機膜パターンの直接描画プロセスにおける前処理方法を提供すること。
【解決手段】相互に異なる材料で構成された複数のパターン膜２、３、４で覆われた半導体基板１表面上に、前記複数のパターン膜２、３、４上に跨って積層される有機膜パターン５を直接描画法により形成する際に、前処理として前記半導体基板１表面を、プラズマ生成ガスとして酸素と窒素を用いてアッシングし、続いて水素と窒素をプラズマ生成ガスとして用いてクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】 重合収率が向上し、金属不純物の含有量が低減されたかご型構造を有する重合体の製造方法を提供するものである。さらには、金属不純物の含有量が低減された膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を含む有機膜及び前記有機膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造Ａと、重合反応に寄与する重合性反応基Ｂとを有する化合物を重合して、かご型構造を有する重合体を製造する方法であって、前記かご型構造を含む部分構造Ａと重合性反応基Ｂを有する化合物と、界面活性剤とを水相中で超音波処理により混合する工程を含むことを特徴とする重合体の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】 組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜の成膜の際、高周波と低周波の２周波を切り替え、膜厚方向に膜特性の変調をかけることで、低誘電率を保持したまま密着強度を向上させる。プラズマ発生のための高周波と低周波が同一電極から印加される。そして絶縁膜の成膜開始時あるいは成膜終了時の少なくとも一方において、低周波の入力が成膜開始時及び成膜終了時を除いた他のタイミングより高い。例えば絶縁膜は、厚さ方向における少なくともどちらか一方の端部が、高周波と低周波の２周波により密着層となり、密着層以外の部分は低周波の入力を低下あるいは０にすることで低誘電率絶縁膜となる。 （もっと読む）

本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】印刷法により基板表面の任意部分に平坦な絶縁被覆層を形成可能な絶縁体インクを提供する。
【解決手段】回路加工した基板に印刷する絶縁体インクにおいて、熱硬化性樹脂及び高分子量成分を含む絶縁樹脂組成物と、２５℃における蒸気圧が４．０×１０^２Ｐａ以上、１．３４×１０^３Ｐａ未満の溶剤と、を含有する絶縁体インク。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜を疎水化する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板３に多孔質絶縁膜２を形成する工程（Ｓ１０１）と、多孔質絶縁膜２が形成された基板３をチャンバー１内に配置する工程（Ｓ１０２）と、基板３が配置されたチャンバー１内にシロキサンを投入するとともに基板３を第一の温度に昇温する工程（Ｓ１０３）と、投入されたシロキサンが付着した基板３を第一の温度よりも高い第二の温度に昇温する工程（Ｓ１０４）と、を含む。Ｓ１０３では、チャンバー１内の圧力を１ｋＰａ以下とする。また、第一の温度は、チャンバー１内の圧力がシロキサンの飽和蒸気圧となる温度以上であり、かつ、多孔質絶縁膜２とシロキサンとが重合反応を開始する温度以下である。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率及び高い破壊強度、さらには良好な機械的強度及び加工性を有するポリマー複合材料を提供する。
【解決手段】本明細書に開示されているのは、ポリマー材料前駆体とナノ粒子とを混合し、それぞれのナノ粒子が基材及び基材上に配置されるコーティング組成物を含むようにすることと、ポリマー材料前駆体を重合してポリマー材料を形成し、ナノ粒子をポリマー材料内に分散させてポリマー組成物を形成することとを含む、ポリマー組成物を形成する方法である。 （もっと読む）

共有結合性有機骨格として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、追加機能性を備えた構造化有機薄膜を含む電子デバイスであって、構造化有機薄膜は、複数セグメントの厚さの構造化有機薄膜とすることができる。
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【課題】インクジェットヘッドの耐久性を低下させない溶媒を使用できるイミド系の化合物を含み、且つ、インク中にイミド系の化合物を高濃度で含有し、常温保存における保存安定性が良好で、１回のジェッティングで比較的厚い（１μｍ以上の）膜を形成でき、さらに、製膜時に耐熱性、電気絶縁性が高く、十分な機械的強度を有する、反り量の少ない絶縁膜を得ることができるインクジェット用インクを提供する。
【解決手段】モノアミン（ａ１）と酸無水物基を１つ有する化合物（ａ２）とを用いて得られるイミド化合物（Ａ）と、溶媒（Ｂ）とを含む、インクジェット用インク。 （もっと読む）

【課題】 塗布法又は印刷法により有機電子素子を形成するために用いる低誘電率絶縁材料層を低温で形成する方法、該方法で形成された層又はパターン及び有機電子素子を提供する。
【解決手段】 （ａ）基材上又は該電子素子を構成する導電層乃至は半導体層上に、フルオロポリマー分散体からなる第一の絶縁層形成材料を塗布又は印刷する工程、（ｂ）フルオロポリマー分散体の乾燥皮膜を形成する工程、（ｃ）フルオロカーボン共重合体溶液からなる第二の絶縁層形成材料を前記乾燥皮膜上に塗布又は印刷する工程、（ｄ）フルオロカーボン共重合体溶液の乾燥皮膜を形成する工程を有する低誘電率絶縁体材料層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】加熱によっても微細構造の乱れがない表面にパターンが形成された積層体を提供すること。
【解決手段】一般式（１）：Ｒ^１Ｓｉ（ＯＲ^２）_３（式中、Ｒ¹は少なくとも１つのチオール基を有する炭素数１〜８の炭化水素基、または少なくとも１つのチオール基を有する芳香族炭化水素基を表し、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基、または芳香族炭化水素基を表す。）で示されるチオール基含有アルコキシシラン類（ａ１）を加水分解および縮合して得られる縮合物（Ａ）ならびに炭素−炭素２重結合を有する化合物（Ｂ）および／またはイソシアネート基を有する化合物（Ｃ）を特定割合で含有する硬化性樹脂組成物（Ｄ）を基材に塗布して得られたパターン形成層を有する積層体を、賦型後、硬化させて得られる表面にパターンが形成された積層体を用いる。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ部を有し、かつ、高い機械的強度を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。複数の溝部を充填するように配線金属層ＰＣが形成される。層間絶縁膜ＩＬ１の酸素を熱拡散させることによってバリア金属層ＡＬの少なくとも一部を酸化することで、酸化物バリア層ＢＬ１が形成される。配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。第１の配線間領域ＩＷ１を覆い、かつ第２の配線間領域ＩＷ２上に開口部ＯＰを有するライナー膜ＬＮ１が形成される。開口部ＯＰを介したエッチングが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁層４０と、バッファ層（第２の絶縁層）６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方は、下記一般式（Ｉ）で表される高分子の端部の少なくとも一方がフッ素原子またはフッ素原子を含有する置換基で置換したものであって、理論フェノール価が２．０ＫＯＨｍｇ／ポリマーｇ以下である絶縁性高分子を主材料として構成されている。


［ただし、式中、Ｒ^１は、芳香環を含む二価の連結基を示し、式中、Ｙは、酸素原子または硫黄原子を示し、式中、Ｚは、カルボニル基または硫黄原子を含む二価の連結基を示す。また、ｎは、２以上の整数である。］ （もっと読む）