【課題】 珪素の高い初期効率と電池容量を維持しつつ、サイクル特性に優れ、充放電時の体積変化を減少させた非水電解質二次電池の負極用として有効な活物質としての珪素粒子からなる負極活物質の製造方法を提供する。
【解決手段】 非水電解質を用いる二次電池用の負極活物質の製造方法であって、金属珪素を原料とした電子線蒸着法により、温度を８００−１１００℃に制御した基板上に、１ｋｇ／ｈｒを超える蒸着速度で、蒸着膜厚が２−３０ｍｍの範囲で珪素を堆積させる工程と、該堆積させた珪素を粉砕・分級して、前記負極活物質を得る工程とを含むことを特徴とする非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】苛酷な使用環境下で使用される切削工具や金型等において、ＳｉＣ皮膜の耐剥離性を大幅に改善することにより、工具の耐久性が改善することができる被覆工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具の基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、該硬質皮膜は、原子比でＳｉよりもＣが多く、組織に立方晶の結晶構造相を含むＳｉＣ皮膜であり、
前記中間皮膜は、ＡｌｘＭｙからなる窒化物または炭窒化物（但し、ｘ、ｙは原子比を示し、ｘ＋ｙ＝１００、かつ、ｘ＞０、かつ、ｙ≧０、Ｍは周期律表の４ａ族元素、５ａ族元素、６ａ族元素、Ｂ、Ｓｉ、Ｙから選択される１種または２種以上）であり、
前記中間皮膜の硬質皮膜側は、六方晶が主体の結晶構造である耐剥離性に優れる被覆工具である。 （もっと読む）

【課題】携帯電話やゲーム機などに組み込まれるタッチパネルの電極フィルムとして用いた際に、ペン入力耐久性に優れた透明導電性フィルム及びこれを用いたタッチパネルを提供することにある。さらに、有機エレクトロルミネッセンス、色素増感型太陽電池等の低抵抗な透明電極が必要とされる用途に最適な電気特性に優れた透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がＳｎＯ２の含有量が２〜１２質量％の結晶質なインジウム−スズ複合酸化物であり、透明導電性薄膜層をハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い水蒸気バリアー性能を有するバリアーフィルムとその製造方法及びそのバリアーフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】基材１上にガスバリアー層２を備えたバリアーフィルム１０を製造する場合、基材１上にポリシラザンを含有した塗布液を塗布して成膜した塗膜に、真空紫外光を照射する処理を施した後に、１００℃以上２５０℃以下の加熱処理を施すことによって、水分透過率の低下を図ったガスバリアー層２を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に、酸化スズ添加酸化インジウムの透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜の膜厚方向に対して、透明プラスチックフィルム基材側から表層側に向かって酸化スズの含有量が連続的に、および／または、段階的に減少していて、かつ、表層側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が０．５〜８質量％であり、かつ、透明プラスチック基材側の透明導電膜に含まれる酸化スズの含有量が表層側の含有量より２０〜６０質量％多く、かつ透明導電膜の全体の厚みが１６〜５０ｎｍであり、かつ酸化スズの含有量が０．５〜８質量％の透明導電膜の厚みが１５ｎｍ以上である透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜時における温度上昇を抑制でき、電極の金属拡散を抑制できる圧電振動片の製造方法と、この方法で製造された圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計を提供する。
【解決手段】パッシベーション膜成膜工程は、ターゲット７７と、回転可能な回転ドラム７１と、を備えたスパッタリング装置７０を用いて行い、パッシベーション膜成膜工程は、回転ドラム７１の外周面７１ａにウエハＷを取り付けるウエハ取付工程と、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を通過するように回転ドラム７１を回転させてパッシベーション膜を成膜する回転成膜工程と、を備え、回転成膜工程は、ウエハＷがターゲット７７に対向する位置を複数回通過するように回転ドラム７１を回転させることによりパッシベーション膜を成膜することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】亀裂がなく、かつ、抵抗が低いタングステン遮光膜を得ることが可能なタングステン遮光膜の製造方法およびタングステン遮光膜を提供する。
【解決手段】本発明のタングステン遮光膜の製造方法は、基板１１の一面１１ａに窒化タングステン膜を成膜する成膜工程と、窒化タングステン膜が形成された基板１１を熱処理する熱処理工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所定の超硬合金を基材とした光学素子用成形型について、より寿命の長い離型膜をその成形面に形成可能とした光学素子用成形型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】タングステンカーバイドを主成分とする超硬合金（バインダレス超硬合金を除く）からなる基材２の成形面に、ダイヤモンドライクカーボンからなる離型膜４を形成した光学素子用成形型であって、基材２と離型膜４との間に、立方晶からなる結晶構造を有し、その表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下であるタングステンカーバイド膜３を介在させた光学素子成形用成形型１。 （もっと読む）

【課題】良好な薄膜処理方法およびその製品の提供。
【解決手段】本発明の主題の一つは、基材の第１の側上に堆積された少なくとも１層の薄い連続的な膜の処理のための方法であって、薄膜を連続に保ちながら、そしてこの薄膜を溶融するステップ無しで該薄膜の結晶化度を高めるように、この少なくとも１つの薄膜が少なくとも３００℃に昇温され、該第１の側とは反対側上の温度が１５０℃以下ように保ちたれることを特徴とする、方法。
発明の別の主題は、この方法によって得ることができる材料である。 （もっと読む）

【課題】透明樹脂基材に吸着しているガスの放出を抑え、ロール巻取りの際の巻きシワを抑制することができる透明薄膜積層体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】基材巻出し室１の基材ロール２より透明樹脂基材３を巻出し、搬送ロール４を通過後、スパッタ室５のアノードドラム６を通過させる。その際にカソード７ａ、７ｂ、７ｃとの間に電力を印加しスパッタリングで透明導電性膜の成膜を行ない、搬送ロール４を通してフィルム巻き取り室８で再びロール９に巻き上げることにより、長尺、具体的には数１００ｍ以上、場合により数１０００ｍの透明薄膜積層体を連続的に製造する。基材ロール２に巻かれている透明樹脂基材３は、基材巻出し室１の調温装置１ａによって温度０℃に冷却する。また、搬送ロール４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとアノードドラム６及びスパッタ室５内雰囲気の温度を、調温装置１２により、透明樹脂基材３と同じ０℃に冷却する。 （もっと読む）

【課題】スパッタチャンバ内を汚染することなく、バリアメタルを形成することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の成膜装置は、第１のプロセスチャンバと、第２のプロセスチャンバと、第３のプロセスチャンバと、を備えている。そして、第１のプロセスチャンバは、スパッタ処理を行うことにより、基板上に第１のバリアメタルを成膜する。また、前記第２のプロセスチャンバは、前記第１のバリアメタルが成膜された前記基板上に第１のガスを導入することにより、前記第１のバリアメタルの上層部を前記第１のガスによって表面処理し、これにより前記第１のバリアメタル上に第２のバリアメタルを形成する。さらに、前記第３のプロセスチャンバは、前記第２のバリアメタルが形成された前記基板にスパッタ処理を行うことにより、前記第２のバリアメタル上に第３のバリアメタルを成膜する。 （もっと読む）

【課題】金属カルコゲナイド膜の積層体を有する相変化メモリにおいて、読み書き動作の速度を高めることのできる相変化メモリの形成装置、及び相変化メモリの形成方法を提供する。
【解決手段】ＧｅＴｅ膜とＳｂＴｅ膜とを基板上にて交互に積層することによって相変化メモリを形成する際に、処理基板Ｓの温度を２５０℃以上３５０℃以下の所定温度に維持する。加えて、互いに異なる組成を有する二つのターゲットであるＧｅＴｅターゲット２２ａとＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂの各々を互いに異なるタイミングでアルゴンガスによりスパッタする。このとき、互いに異なる組成を有した二つ以上の金属カルコゲナイド膜であるＧｅＴｅ膜とＳｂ_２Ｔｅ_３膜とを毎秒３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の速度で前記基板上に積層する。 （もっと読む）

【課題】前駆体薄膜中のＩＢ族元素及びＩＩＩＢ族元素とＶＩＢ族元素との発熱反応を抑制し、結晶成長を良好にし、ボイド等が少ない綺麗な連続膜である化合物半導体薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）スパッタリング法により、基板上に、（ＩＢ族元素）−（Ｉｎ_ｘ、Ｇａ_１−ｘ）−（ＶＩＢ族元素）_２（但し、０＜ｘ＜１である）の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のＩｎ元素含量（ｘ）が下層から上層へと増加し、かつＧａ元素含量（１−ｘ）が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、Ｉｎ元素含量がその下の膜中のＩｎ元素含量よりも少なく、Ｇａ元素含量がその下の膜中のＧａ元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、（ｂ）工程（ａ）で形成される前駆体薄膜の少なくとも１層の形成毎に、ＶＩＢ族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】船舶用ピストンリングにおいて、摺動面の耐摩耗性をより向上させることである。
【解決手段】船舶用ピストンリング１０であって、金属材料で形成されるピストンリング本体１２と、ピストンリング本体１２の摺動面１３にイオンプレーティングで被覆され、ＣｒＮで形成されるＣｒＮ被覆層１４と、を備え、ＣｒＮ被覆層１４は、７０μｍ以上の膜厚で形成されており、Ｘ線回折によるＣｒＮ（２００）面のピーク強度がＣｒＮ（１１１）面のピーク強度より大きい。 （もっと読む）

【課題】可撓性透明基材上に結晶性の透明導電体層を有する透明導電性フィルムにおいて、透明導電体層がパターン化された場合であっても、タッチパネル等に組み込んだ際に、パターン開口部とパターン形成部との境界が視認されることによる見栄えの低下を抑制する。
【解決手段】可撓性透明基材の一方の面に結晶性導電性金属酸化物からなる透明導電体層が形成された透明導電性フィルムであって、可撓性透明基材の厚みは８０μｍ以下である。本発明の透明導電性フィルムは、１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_１と、透明導電性フィルムから透明導電体層をエッチングにより除去したものを１４０℃で３０分加熱した際の寸法変化率Ｈ_２との差Ｈ_１−Ｈ_２が−０．０２％〜０．０４３％である。そのため、タッチパネル等に組み込んだ際のパターン境界での段差が低減され、見栄えの低下が抑制される。 （もっと読む）

【課題】連続スパッタ時においても、ノジュールやパーティクルの発生を抑制することができるとともに、膜特性の均一性の高い膜が得られるＧＴＯスパッタリングターゲット、特にＦＰＤ用スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｇａ_２Ｏ_３が１〜２０ｍｏｌ％、残部ＳｎＯ_２及び不可避的不純物からなるスパッタリング用酸化物焼結体ターゲットであって、当該酸化物焼結体ターゲットの組織に観察される相において、相対密度が９７％以上、バルク抵抗率が１０００Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング用酸化物焼結体ターゲット。 （もっと読む）

【課題】４００℃以下で作製可能であり、３０ｃｍ^２／Ｖｓ以上の高い電界効果移動度と、ノーマリーオフとなる低いオフ電流を両立する薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極１６と、ゲート電極と接するゲート絶縁膜１５と、Ｉｎ（ｘ）Ｚｎ（１−ｘ）Ｏ（ｙ）（０．４≦ｘ≦０．５，ｙ＞０）で表される第１の領域Ａ１及びＩｎ（ａ）Ｇａ（ｂ）Ｚｎ（ｃ）Ｏ（ｄ）（ｂ／（ａ＋ｂ）＞０．２５０，ｃ＞０，ｄ＞０）で表され、ゲート電極に対して第１の領域よりも遠くに位置する第２の領域Ａ２を含み、ゲート絶縁膜を介してゲート電極に対向配置されている酸化物半導体層１２と、互いに離間して配置されており、酸化物半導体層を介して導通可能なソース電極１３及びドレイン電極１４と、を有する薄膜トランジスタ１。 （もっと読む）

【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が３００〜６００℃であってもよい。 （もっと読む）