【課題】コア・シェル構造のクラスターを高速で効率良く製造するクラスター製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】クラスター製造装置は、一列に並べられかつ同一方向に向けられたアブレーション面31〜33をそれぞれ有する複数のターゲット材料21〜23と、該アブレーション面31〜33に一定の繰り返し周波数のレーザ51〜53を同時に照射するレーザ手段と、該アブレーション面31〜33にそってこれと平行にキャリヤガス15を流すガス手段とを備えている。該キャリアガス15の流れ方向に隣り合うターゲット材料21、22において、上流側ターゲット材料21にレーザ51が照射されプルームP1が発生し、キャリヤガス15によって、下流側ターゲット材料22上まで搬送される間に、プルームP1中にコアが形成され、その周囲に下流側のターゲット22で生成したプルームP2によるシェルが形成される。 （もっと読む）

【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置１は、チャンバー１０と、基材Ｆを搬送する搬送手段２０、２００、２０１と、基材Ｆの表面を改質するＥＣＲプラズマ生成装置３と、基材Ｆの該表面に薄膜を形成する成膜装置６と、を備える。ＥＣＲプラズマ生成装置３は、マイクロ波を伝送する矩形導波管３１と、該マイクロ波が通過するスロット３２０を有するスロットアンテナ３２と、スロット３２０を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面３３０はスロット３２０から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部３３と、誘電体部３３の裏面に配置される支持板３４と、支持板３４の裏面に配置される永久磁石３５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。 （もっと読む）

【課題】低圧下で高密度のプラズマを生成可能なＥＣＲプラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ生成装置４は、マイクロ波を伝送する矩形導波管４１と、該マイクロ波が通過するスロットを有するスロットアンテナ４２と、スロットを覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面はスロットから入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部４３と、誘電体部４３の裏面に配置される支持板４４と、支持板４４の裏面に配置される永久磁石４５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。マグネトロンスパッタ成膜装置１は、ＥＣＲプラズマ生成装置４を備え、基材２０とターゲット３０との間にＥＣＲプラズマＰ１を照射しながら、マグネトロンプラズマＰ２による成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】ターゲットであるCu₂Oから、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜（堆積膜）又はCuO被膜を選択的に形成できると共に、そのCu₂O被膜の形成に際して、そのCu₂O被膜の膜質制御を簡単に行うことができる被膜形成方法を提供する。
【解決手段】ターゲットとして、Cu₂Oを用い、Ａｒをプラズマ化するための投入電力とＡｒを含む全ガス圧力とを、前記Cu₂Oからのスパッタ粒子をO₂流量比が高まるに伴ってCu₂O,Cu₄O₃,CuOに順次、変化し得るように設定し、その上で、前記投入電力及び前記全圧力の下で、O2流量比を調整する。これにより、的確に、単一結晶相からなる有用なCu₂O被膜又はCuO被膜のいずれかを選択的に形成できるようにする。また、Cu₂O被膜の形成に際しては、O₂流量比調整により広い範囲で抵抗率（キャリア密度）を調整して、Cu₂O被膜の膜質特性の変更を簡単に行えるようにする。 （もっと読む）

【課題】高い水蒸気バリアー性能を有するバリアーフィルムとその製造方法及びそのバリアーフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】基材１上にガスバリアー層２を備えたバリアーフィルム１０を製造する場合、基材１上にポリシラザンを含有した塗布液を塗布して成膜した塗膜に、真空紫外光を照射する処理を施した後に、１００℃以上２５０℃以下の加熱処理を施すことによって、水分透過率の低下を図ったガスバリアー層２を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Ｐｂ（４０６ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｐｂ、Ｚｒ（４６８ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｚｒ、Ｔｉ（４５３ｎｍ）のスペクトル強度Ｉ_Ｔｉをそれぞれ求める。Ｉ_Ｐｂ／（Ｉ_Ｚｒ＋Ｉ_Ｔｉ）の値をＰ_１としたとき、０．４＜Ｐ_１＜０．７を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】発光素子、光電変換素子等を含む各種光学素子の増強要素として有用なプラズモン材料を製造するための方法を提供する。
【解決手段】３０個以上の金属系粒子が互いに離間して二次元的に配置されてなる金属系粒子集合体を製造する方法であって、１００〜４５０℃の範囲内に温度調整された基板上に、１ｎｍ／分未満の平均高さ成長速度で金属系粒子を成長させる工程を含む金属系粒子集合体の製造方法である。該製造方法により、平均粒径が２００〜１６００ｎｍ、平均高さが５５〜５００ｎｍ、平均高さに対する平均粒径の比で定義されるアスペクト比が１〜８である金属系粒子からなる金属系粒子集合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基材およびドライコーティング層との密着がよく、生産能率の高く、高ガスバリア性を有したガスバリア性フィルムと生産方法を提供すること。
【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置した装置構成において、電極間に不活性ガスを圧力０．５Ｐａ以上５０Ｐａ未満で導入して、電極間に高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム基材表面にプラズマ処理を施し、基材とガスバリア層間に十分な密着性能を与える。また、真空蒸着法により酸化珪素（ＳｉＯ_ｘ）からなるガスバリア層を形成する際、蒸着法と高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることで、生産性が高く、高いバリア性を有するガスバリア性フィルムを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のＴＦＴ特性を示すＩＧＺＯからなる半導体層を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜対象物上にＩＧＺＯ膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が０．１Ｐａ以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にＩＧＺＯ膜を形成する成膜工程（Ｐ２、Ｐ３）と、酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気中で当該ＩＧＺＯ膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程（Ｐ５、Ｐ６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属機能物質粒子ガスを生成し、当該生成金属機能物質粒子ガスをＣＶＤチャンバー側に供給することが可能なプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルを囲繞する筐体とを備えている。前記電極セルは、第一の電極３と、放電空間６と、第二の電極１と、誘電体２ａ，２ｂと、平面視において中央部に形成された貫通口ＰＨとを、有する。円筒形状の絶縁筒部２１が、貫通口ＰＨの内部に配設されており、円筒形状の絶縁筒部２１側面部に噴出孔２１ｘを有する。さらに、プラズマ発生装置は、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａに配設される導電性部材を備えている。 （もっと読む）

【課題】コア・シェル構造のクラスターを生成する。
【解決手段】同一パルス周期の第１レーザ51および第２レーザ52を用いる。第１レーザ51を第１ターゲット材料21に照射して第１プルームP1を発生させる。第１レーザ51の照射時から遅延時間Tdの経過後に、第２レーザ52を第２ターゲット材料22に照射して第２プルームP2を発生させる。遅延時間Tdの経過中に、第１プルームP1中にクラスターCを生成して、これに第２プルームP2を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】船舶用ピストンリングにおいて、摺動面の耐摩耗性をより向上させることである。
【解決手段】船舶用ピストンリング１０であって、金属材料で形成されるピストンリング本体１２と、ピストンリング本体１２の摺動面１３にイオンプレーティングで被覆され、ＣｒＮで形成されるＣｒＮ被覆層１４と、を備え、ＣｒＮ被覆層１４は、７０μｍ以上の膜厚で形成されており、Ｘ線回折によるＣｒＮ（２００）面のピーク強度がＣｒＮ（１１１）面のピーク強度より大きい。 （もっと読む）

【課題】真空下、可撓性支持体にロール方式で多層薄膜形成を行う生産工程において支持体や成膜面にキズの発生しないガイドロール機構を組み込んだ真空成膜装置、及びこれを用い発光寿命の改善された生産性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【解決手段】可撓性支持体（ウェブ）を支持し、真空中でウェブの搬送方向を３０度以上、２４０度以下、変更するためのガイドロール機構であって、搬送中、前記可撓性支持体は、ガイドロールの両端部においてのみガイドロールに接触し、かつ、少なくとも接触部分の一部において、可撓性支持体をガイドロール上に押さえる機構を設けたことを特徴とするガイドロール機構。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の下に形成された電極が薄い圧電薄膜素子を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３上の少なくとも一部の上に犠牲層を形成する。犠牲層の上を含め第１の電極３の上に圧電薄膜４を形成する。圧電薄膜４の上に第２の電極５を形成する。圧電薄膜４の犠牲層の上に位置する部分の少なくとも一部に貫通孔４ａを形成する。このため、圧電薄膜４を確実に除去するために圧電薄膜４の厚さを超えてエッチングを行った場合であっても、圧電薄膜４の下方に位置する犠牲層がエッチングされるにとどまる。よって、犠牲層の下方に位置する第１の電極３がエッチングされることを防止することができる。その後、犠牲層を除去する。 （もっと読む）

【課題】真空計への成膜材料の付着を抑制し、真空計の機能の低下を回避することが可能な成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を成膜する成膜装置において、基板が通過する真空環境を形成する真空容器１２３と、真空容器１２３内の真空度を測定する真空計１と、真空計１への付着を抑制する付着抑制手段１０とを備える構成とする。このように、真空計１への成膜材料の付着を抑制する付着抑制手段１０を備える構成とすることで、真空計１への成膜材料の付着を抑制し、真空計１の機能の低下を緩和することができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によってＭｇＦ_２薄膜を形成するとともに、実用上問題のない反射率特性を維持しつつ、耐擦傷性の高い反射防止膜を提供する。
【解決手段】波長５００ｎｍにおける屈折率が１．３４〜１．４４のポーラスＳｉＯ_２層と、ポーラスＳｉＯ_２層の基板から遠い面に隣接するように形成された、膜厚５〜５０ｎｍのＭｇＦ_２層と、を有する。また、成膜圧力を０．５〜１０Ｐａに設定してＳｉＯ_２をスパッタリング成膜する第１工程と、第１工程で成膜したＳｉＯ_２上に、粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状ＭｇＦ_２をターゲットとし、Ｏ_２ガス雰囲気でＭｇＦ_２をスパッタリング成膜する第２工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化リン酸リチウム膜の成膜速度を高めつつ、該窒化リン酸リチウム膜における膜特性の安定性を高めることの可能な窒化リン酸リチウム膜の成膜方法、該方法を用いて窒化リン酸リチウム膜を成膜する装置、及び該方法によって成膜された窒化リン酸リチウム膜を提供する。
【解決手段】
窒素とアルゴンとが含まれる真空槽１１内でリン酸リチウムのターゲット１３をスパッタして窒化リン酸リチウム膜を基板Ｓに成膜する。スパッタ装置のターゲット１３には、インジウム層１４を介して銅からなるバッキングプレート１５が接合され、バッキングプレート１５には、インジウム層１４を温調する冷却水が循環される。スパッタ時には、真空槽１１内の圧力を０．２５Ｐａ以上１．０Ｐａ以下とし、ターゲット１３に３．５Ｗ／ｃｍ^２以上５．７Ｗ／ｃｍ^２以下の電力密度で高周波電力を供給し、インジウム層１４の温度を２０℃以上６０℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】可視光域の透過性がよく、水蒸気バリア性にも優れるガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材フィルム１に対向配置させた１組又は２組以上のデュアルターゲット４２を備えた反応性マグネトロンスパッタリング装置２０を用い、その装置２０内の成膜圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とし、デュアルターゲット４２を構成する各ターゲット４３，４３の法線方向の磁束密度を基材フィルム１の幅方向（ＴＤ方向）で２５０Ｇ以上として、基材フィルム１を移動させながら基材フィルム１上に酸化珪素膜２を成膜する、ガスバリアフィルム１０の製造方法によって、上記課題を解決した。デュアルターゲット４２には交流波形又はパルス波形の電圧を印加することが望ましい。 （もっと読む）