【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】処理ガスをプラズマ生成空間及び吹出路に通して吹出し、被処理物を表面処理する際、吹出路からの電界の漏洩を防止する。
【解決手段】プラズマ生成部１０の一対の電極１１，１２を対向方向に対向させ、これらの間にプラズマ生成空間１９を形成する。ノズル部２０を電気的に接地された金属製の角材２１，２２にて構成し、これをプラズマ生成部１０の処理位置Ｐを向く面に配置する。連結部材３１，３２にてノズル部２０をプラズマ生成部１０に連結して支持する。吹出路２９の吹出方向の長さをノズル部２０の吹出路２９を画成する面から上記対向方向の外側面までの寸法より大きくか略等しくする。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】長期間に亘って確実にプラズマに点火可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】軸方向に中空構造を有する中空構造体（１１）、中空構造体（１１）の内部に配置される第１電極（１２）、中空構造体（１１）のプラズマ発生領域（１３）を外面から覆う構造を有する第２電極（１４）を備え、第１電極（１２）は、中空構造体のプラズマ発生領域において変形構造（１２ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の基板サセプタに配置されるフォーカスリング付設の誘電性リングを交換することなくその誘電率を調整できるようにすることで，基板周縁部の印加電圧のばらつきを抑え，フォーカスリングの上面電位を所望の値に制御する。
【解決手段】基板Ｗを載置する基板載置部を有し，高周波電力が印加されるサセプタ１１４と，基板載置部に載置された基板の周囲を囲むように配置され，基板より高い上面を有する外側リング２１４と，該外側リングの内側に延在して基板の周縁部の下方に入り込むように配置され基板より低い上面を有する内側リング２１２とによって一体に構成されたフォーカスリング２１０と，該フォーカスリングと前記サセプタとの間に介在する誘電性リング２２０と，該誘電性リングの誘電率を可変する誘電率可変機構２５０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、矩形導波管２２の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部４０とを備えている。アンテナ部４０は、その断面において短辺をなす壁４０ａに１又は複数のスロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）

【課題】金属接合部を有する基板同士の接合を適切に行いつつ、基板接合処理のスループットを向上させる。
【解決手段】接合システムは、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面を洗浄する洗浄装置と、洗浄装置で洗浄されたウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌ同士を仮接合する仮接合装置３１と、仮接合装置３１で仮接合された重合ウェハＷ_Ｔを本接合する本接合装置とを有している。仮接合装置３１は、処理ガスのプラズマを生成して、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面の絶縁部を活性化するプラズマノズル１４０と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面の絶縁部に処理液を供給して、当該絶縁部を親水化する処理液ノズル１４１と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌの表面に接着剤を供給する接着剤ノズル１５０とを有している。本接合装置は、重合ウェハＷ_Ｔを熱処理する第１の熱処理板及び第２の熱処理板と、第２の熱処理板上の重合ウェハＷ_Ｔを押圧する加圧機構とを有している。 （もっと読む）

【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。
【解決手段】ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。プラズマ生成管１１の外側には、円筒形のＣＣＰ電極１３が配置されていて、ＣＣＰ電極１３よりも下流側には、プラズマ生成管１１の外周に沿って巻かれたコイル１２を有している。供給管１０とプラズマ生成管１１との接続部における供給管１０の開口には、セラミックからなる寄生プラズマ防止管１５が挿入されている。 （もっと読む）

【課題】大型の処理対象物の表面に対して分布が均一な処理を安価に行うことができる技術を提供する。
【解決手段】基板５に対して相対移動可能に設けられ、処理ガス供給源８から供給された処理ガスを放電させ、当該処理ガスのラジカルを基板５に向って放出するためのラジカル放出器１０を備える。ラジカル放出器１０は、処理ガス供給源８から処理ガスのプラズマがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された第１〜第４の拡散室１１〜４１と、第１〜第４の拡散室１１〜４１にて拡散された処理ガスのプラズマを混合するプラズマ形成室５１とを有する。プラズマ形成室５１には、基板５の相対移動方向に対し直交するスリット状のスリット５３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

本発明は、低圧プラズマ工程によって被覆された適応性ナノコーティングに関する。本発明はまた、そのような適応性ナノコーティングを、三次元ナノ構造体、特に導電性および非導電性要素を含む三次元構造体の上に形成する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマを発生させるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】円筒形電極１を有する円筒チャンバー部と、前記円筒チャンバー部を、ガス導入口１０を有する第１チャンバー室２と、ガス排出口１１を有する第２チャンバー室３とに仕切るように、前記円筒チャンバー部に配置されたオリフィス４と、前記第２チャンバー室内において前記円筒形電極の中心軸に設置されている棒状電極と、前記第１チャンバー室において設置された、前記円筒形電極とは異なる電位を印加できるサブ電極６とを具備したプラズマ発生装置において、前記円筒形電極と棒前記状電極の間に電界を印加しプラズマを発生させ、さらに、前記円筒形電極と前記サブ電極間に電界を印加してプラズマを発生させ、前記第１チャンバー室と前記第２チャンバー室のプラズマ領域が前記オリフィスの穴を通して接続している。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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【課題】電子密度分布を均一に制御し、プラズマ処理を被処理体に施すことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容された筒状の処理室１２内に処理ガスを供給してプラズマを生成し、生成したプラズマにて被処理体Ｗにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置に、前記処理室１２内の略中央部に光を照射する第１光照射手段と、前記処理室１２内の周壁側の領域に光を照射する第２光照射手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置のロール電極を電源電極とし、かつ該ロール電極の軸部には電圧が印加されないようにし、ロール電極と回転駆動部との接続構造及びロール電極の支持構造を簡素化する。
【解決手段】ロール電極１の金属製の軸部１０を電気的に接地し、金属製の外筒部２０に電源３を接続する。絶縁材料からなる環状の絶縁連結部３０にて、軸部１０と外筒部２０を絶縁しつつ連結する。 （もっと読む）

【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）