【課題】低い誘電率、向上したエッチング抵抗性、優れたバリアパフォーマンスを具備する誘電バリアを形成する方法を提供する。
【解決手段】前駆物質を処理チャンバへ流すことと、前記前駆物質が、有機ケイ素化合物と炭化水素化合物の混合物を備えており、かつ、前記炭化水素化合物が、エチレン、プロピン、または、これらの組合わせを備え、前記半導体基板上に炭素−炭素結合を有する炭化ケイ素ベースの誘電バリア膜を形成するために、前記処理チャンバ内において前記前駆物質の低密度プラズマを生成することと、前記前駆物質中の前記炭素−炭素結合の少なくとも一部が、前記低密度プラズマ内に生き残り、かつ、前記誘電バリア膜内に存在し、制御された量の窒素を導入することにより、前記誘電バリア膜から炭素−炭素二重結合（Ｃ＝Ｃ）、および／または、炭素−炭素三重結合（Ｃ≡Ｃ）を除去することと、を備える方法。 （もっと読む）

【課題】実効的な低配線間容量を維持しつつ、高密着性かつ高い配線間絶縁信頼性を有する多層配線技術を提供する。
【解決手段】第一の絶縁膜は、シリコン、酸素及び炭素を含むシロキサン構造を含む少なくとも１層以上の絶縁膜であり、第一の絶縁膜内部のシロキサン構造は炭素原子数がシリコン原子数よりも多く、第一の絶縁膜と金属との界面及び第一の絶縁膜と第二の絶縁膜との界面のうち少なくとも何れか一方に、第一の絶縁膜内部よりも単位体積当たりの炭素原子数が少なく、且つ酸素原子数が多い改質層が形成されていることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】特定の構造を有する有機ケイ素化合物を、化学気相成長法（ＣＶＤ）により成膜し、炭素含有酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜として使用する。
【解決手段】少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子１に対し、酸素原子が０．５以下の原子比を有する有機ケイ素化合物、例えば下記一般式（１）を原料として用い、ＣＶＤにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる膜を封止膜としてガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ^１，Ｒ^２は互いに結合し環状構造を形成してもよい。Ｒ^３，Ｒ^４は炭素数１〜２０の炭化水素基または水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】有機シリケート（ＯＳＧ）膜内の炭素含有種の少なくとも一部分を除去すること。
【解決手段】本明細書中に記載されているのは、酸化剤等の、しかし酸化剤に限られない薬品を用いてＯＳＧ膜を処理する工程、ＯＳＧ膜紫外線を含むエネルギー源に曝す工程、またはＯＳＧ膜を薬品で処理する工程およびＯＳＧ膜をエネルギー源に曝す工程により、有機シリケート（ＯＳＧ）膜内の炭素含有種の少なくとも一部分を除去するための方法である。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドの炭化を防止でき、成膜容器内にパーティクルが残ることなくポリイミドを除去することができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸二無水物よりなる第１の原料を気化させた第１の原料ガスと、ジアミンよりなる第２の原料を気化させた第２の原料ガスとを成膜容器６０内に供給することによって、成膜容器６０内に搬入している基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置１０におけるクリーニング方法であって、成膜容器６０内を酸素雰囲気にした状態で、成膜容器６０を加熱機構６２により３６０〜５４０℃の温度に加熱することによって、成膜容器６０内に残留しているポリイミドを酸化して除去する。 （もっと読む）

【課題】原料である環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、かつ空孔形成剤を用いることなく、大きな空孔を形成する多孔質層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】トランジスタが形成されたシリコン基板１０上にＳｉＯ_２を主成分とする層間絶縁膜２が設けられ、さらに層間絶縁膜２の上には、多孔質層間絶縁膜１が設けられている。多孔質層間絶縁膜１には配線９０およびビア９１が埋め込まれている。
なお、この多孔質層間絶縁膜１は、環状シロキサンと、少なくとも１つの酸素原子を含む有機化合物と、を含む混合原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜している。これにより、大きな空孔径のかご型構造を有する層間絶縁膜が得られるようになる。すなわち、環状シロキサンの環の径を大きくすることなく、より大きな空孔を形成することが可能となる。大きな空孔の形成が膜密度低減に貢献し、その結果、多孔質絶縁膜の比誘電率低減が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体デバイスにおける銅表面との電気的接続の信頼性を向上させることである。
【解決手段】本発明は、半導体デバイス上の銅層又は銅ボンディングパッドの表面を酸化に対して保護する方法を提供する。層又はボンディングパッドの表面が、プラズマで酸化層を除去することによって洗浄される。プラズマ強化堆積プロセスを用いて層の洗浄された表面上にポリマー層が形成され、酸化ガスへの曝露に対し層の洗浄された表面が保護される。 （もっと読む）

【課題】保護膜の成膜時に圧電体膜が水素によって還元されることがなく、圧電体膜を水分から保護する保護膜を有する圧電体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、圧電体膜１６上に、水素を含まない原料ガスを用いたＣＶＤ法によりＣ_ａＦ_ｂ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＮ_Ｃ膜、Ｃ_ａＦ_ｂＯ_ｄ膜及びＣ_ａＦ_ｂＮ_ＣＯ_ｄ膜のいずれかの膜１５を形成する圧電体の製造方法であって、前記原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする圧電体の製造方法である。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。 （もっと読む）

【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Ｓｉ_ｖＯ_ｗＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚ（ここで、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖは１０〜３５原子％、ｗは１０〜６５原子％、ｘは５〜３０原子％、ｙは１０〜５０原子％、及びｚは０〜１５原子％）で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が２．６未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 （もっと読む）

【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程（２）該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程（３）充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高い機械強度および低い屈折率と比誘電率を示す電気絶縁膜の材料として好適なジシロキサン誘導体及びその製造法、作製した膜及びその膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、ｎは４または５を表し、ｎが４のときＲ^１はブチル基を除く炭素数３〜６のアルキル基等を表し、ｎが５のときＲ^１は炭素数２〜６のアルキル基等を表す。Ｒ^２は水素原子またはメチル基を表す。）で表されるジシロキサン誘導体及びその製造法、さらに該ジシロキサン誘導体を材料としてプラズマ誘起化学気相蒸着法によって成膜し、それを絶縁膜として用いる。 （もっと読む）

【課題】特性の向上した多孔性シリカガラスフィルムを提供する化学気相蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群から選択される少なくとも１つの前駆体、及び前駆体とは区別されるポロゲンを含めたガス状試薬を導入すること（ここに、ポロゲンは、非分岐構造及び２又はそれ未満の不飽和の度合いを有するＣ_４〜Ｃ_１４環状炭化水素化合物である）；エネルギーを真空チャンバー中のガス状試薬に適用してガス状試薬の反応を誘導し、基材上に予備的フィルムを蒸着させること（ここに、予備的フィルムはポロゲンを含有する）；及び不安定有機物質の実質的に全てを予備的フィルムから除去して細孔及び２．６未満の誘電定数を有する多孔性フィルムを提供することを含む、多孔性有機シリカガラスフィルムを製造するための化学気相蒸着方法。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。第１、第２のバリア絶縁膜１０３、１０６は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の構成を複雑化させることなく、モフォロジーの良好な膜を形成可能で、かつ成膜装置の稼働効率を向上可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜原料堆積チャンバー１７内において、半導体基板２８の表面に、成膜原料を溶媒中に溶解させることで形成される液状の成膜原料液を供給し、成膜原料液に含まれる溶媒を液体から気体に相変化させることにより、溶媒中に溶解している成膜原料を半導体基板２８の表面に堆積させ、その後、成膜原料堆積チャンバー１７とは異なる反応チャンバー１８内において、加熱或いは反応試薬の添加により、半導体基板２８の表面に形成された成膜原料を反応させることで、半導体基板２８の表面に膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置に適した化合物を原料として、ガスバリア及び半導体用のバリア膜、エッチストップ膜、ハードマスク膜等として使用できる有機窒化ケイ素含有膜を形成し、それらの膜を用いたガスバリア膜及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも一つの水素原子がケイ素原子に直結し、且つ少なくとも一つの水素原子が窒素原子に直結した構造を有する有機窒化ケイ素化合物（例えば、一般式（１）等で表される化合物）を原料として用い、化学気相成長法により封止膜を形成してガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。
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【課題】軽量であり、かつ強固な信頼性を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】集積回路チップは、プラスチックの基板１０１と、基板１０１上に配されたポリマー誘電体１０３と、電極同士の間に形成された有機半導体材料１１２および受動層１１４の少なくとも１つのを含むアクティブデバイス１０４と、少なくとも１つのアクティブデバイス１０４に隣接する導電性ポリマー１０６および／または１０８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復
【解決手段】第１の誘電率および少なくとも１つの表面を有するケイ素含有誘電体材料の層の誘電率の修復方法であって、ケイ素含有誘電体材料の層の第１の誘電率が第２の誘電率まで増加しており、該方法は、ケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面と、ケイ素含有流体とを接触させるステップ、そしてケイ素含有誘電体材料の層の少なくとも１つの表面を、紫外線照射、熱、および電子ビームからなる群から選択されるエネルギー源に曝すステップ、の各ステップを含み、ケイ素含有誘電体材料の層は、ケイ素含有誘電体材料の層をエネルギー源に曝した後の第２の誘電率より低い第３の誘電率を有する、方法。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一性を向上させることができるプラズマ成膜装置及び方法を提供する。
【解決手段】原料ガスをプラズマ状態にし、プラズマ状態の原料ガス同士を反応させて、基板Ｗ上に成膜を行う際、基板にバイアスを印加するプラズマ成膜装置１において、基板Ｗにバイアスを印加する電極１１の半径Ｒ２を、基板の半径Ｒ１より大きくした。 （もっと読む）