【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク（５３）の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第１の希釈液と撥水処理液とを混合して第１の希釈撥水処理液を生成し、第１の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。また、混合タンク（５３）から第１の希釈撥水処理液を供給する第１供給流路（５４）の中途部に撥水処理液を希釈する第２の希釈液を供給し、第１の希釈撥水処理液を第２の希釈液で希釈して第２の希釈撥水処理液を生成し、第２の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、剥離液の残渣を除去できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に開口を有するレジストマスクを形成する工程と、該基板のうち該開口により露出した部分に所定の処理を施す工程と、アリールスルホン酸を含む剥離液を用いて該レジストマスクを剥離する工程と、リンス液を用いて該剥離液の残渣を除去する工程と、該基板上に膜を形成する工程と、を備える。そして、該リンス液の溶解度パラメータは１２．９８から２３．４３までのいずれかの値であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【解決課題】ＳＶが２０００ｈ^−１を超えるような大きなＳＶで通水しても、更に、触媒の充填層高を薄くしても過酸化水素の分解除去又は溶存酸素の除去を可能にする、高性能触媒を提供すること。
【解決手段】有機多孔質アニオン交換体に、平均粒子径１〜１００ｎｍの白金族金属のナノ粒子が、担持されている白金族金属担持触媒であり、該有機多孔質アニオン交換体は、平均粒子径が水湿潤状態で１〜５０μｍの有機ポリマー粒子が凝集して三次元的に連続した骨格部分を形成し、その骨格間に平均直径が水湿潤状態で２０〜１００μｍの三次元的に連続した空孔を有し、全細孔容積が１〜５ｍｌ／ｇであり、水湿潤状態での体積当りのアニオン交換容量が０．３〜１．０ｍｇ当量／ｍｌであり、アニオン交換基が該有機多孔質アニオン交換体中に均一に分布していること、該白金族金属の担持量が、乾燥状態で０．００４〜２０重量％であること、を特徴とする白金族金属担持触媒。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Ｗの被処理面Ｗａの少なくとも一部を被覆する被覆手段１３を備え、保持手段１１に保持された被処理物Ｗの被処理面Ｗａと被覆手段１３との間に間隙ｇを形成した状態にて、処理液供給手段１４により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Ｗの被処理面Ｗａと対向する位置に配される対向電極３１ａと、被処理物Ｗに接続可能な被処理物用電極３２との間に、電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、優れたパーティクル除去率で基板の被処理面を洗浄することができる基板洗浄方法および基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】凍結洗浄処理前に基板に対してライトエッチングを実行している。ライトエッチングにより基板の表面が軽くエッチング除去されてパーティクルと基板表面の接触部分が減少し、凍結膜を構成するＤＩＷが接触除去部分に回り込む。そして、その接触除去部分に回り込んだＤＩＷが凍結されて凍結膜の一部となった後に除去される。その結果、パーティクル除去率が向上される。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、各種基板をリンス液により洗浄処理した後、乾燥させる基板処理方法及び基板処理装置に関するものである。
【解決手段】リンス液吐出ノズルヘッドよりリンス液を基板主面の全面に行き渡せ、基板を洗浄する基板洗浄工程と、
前記基板洗浄工程が終了した前記基板を低速で回転させると同時に、リンス液吐出ノズルヘッドより、リンス液を吐出しながら前記基板の中心近傍から徐々に前記基板の外周へと前記リンス液吐出ノズルヘッドを移動し、リンス液を大きな液塊として前記基板上から排出させ、基板を乾燥する基板乾燥工程と、
前記基板乾燥工程が終了した前記基板の外周に残ったリンス液を飛散させるため前記基板を前記基板乾燥工程のときより高速で回転させる飛散工程を有することを特徴とする基板処理方法及び基板処理装置にある。 （もっと読む）

【課題】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上部のフォトレジストを除去する基板処理装置１は、基板を支持する支持部１０と、基板上部のフォトレジストを除去する乾式処理部２０と、基板上部のフォトレジストを除去する湿式処理部３０を有する。基板は、支持部によって支持された状態で、基板上部のフォトレジストは、乾式処理部２０によって１次的に除去され、湿式処理部３０によって２次的に除去される。乾式処理部２０は、基板上面にプラズマを供給するプラズマ供給ユニット２００と移動ユニットを有し、移動ユニットは、プラズマ供給ユニット２００と基板の相対的な位置を変化させる。 （もっと読む）