説明

Fターム[5F157AC62]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄、すすぎ、乾燥工程の態様 (3,638) | 多槽(室) (264) | 同一槽内で複数種類の処理 (25)

Fターム[5F157AC62]の下位に属するFターム

洗浄 (7)
すすぎ (10)
乾燥 (6)

Fターム[5F157AC62]に分類される特許

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【課題】横方向に一列に配置された基板保持部を備えた複数の液処理部と、これら液処理部に対して共用化された処理液ノズルと、を備えた液処理装置において、前記処理液ノズルからの基板への処理液の落下を抑え、歩留りの低下を防ぐこと。
【解決手段】横方向に一列に配列された複数のカップ体の開口部間において処理液ノズルの移動路の下方側に、移動手段により移動する処理液ノズルから垂れた前記処理液の液滴に接触して、その液滴を処理液ノズルから除去するための液取り部が設けられている。従って、処理液ノズルが基板に処理を行うために待機部と各液処理部とを移動するにあたって、基板上への処理液ノズルからの前記液滴の落下を防ぐことができる。その結果として歩留りの低下を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第1処理室8および第2処理室9は、それぞれ、第1処理空間S1および第2処理空間S2を区画している。第2処理空間S2は、第1処理空間S1内に設けられ、第1処理空間S1に通じている。スピンチャック10に保持された基板Wは、チャック昇降機構36によって第1処理空間S1または第2処理空間S2に配置される。処理液供給機構12は、第2処理空間S2で基板Wに処理液を供給する。第1処理空間S1および第2処理空間S2の気圧は、排気機構23およびFFU24によって、第1処理空間S1の気圧が第1処理空間S1の外の気圧よりも高く、第2処理空間S2の気圧が第1処理空間S1の気圧よりも低くなるように制御されている。 (もっと読む)


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