【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に混合して使用する、発泡剤成分と発泡助剤成分とを有する２剤型半導体基板用洗浄剤であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、さらに、前記発泡剤成分および／または前記発泡助剤成分が界面活性剤を含有し、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液のｐＨが７．５未満となる、２剤型半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】煩雑な操作を必要とすることなく、比較的簡単な操作で、ウエハの洗浄に使用する超純水中にｎｇ／Ｌ（ｐｐｔ）レベルの金属イオンが存在していても、ウエハ表面を金属元素で汚染させることのないウエハの洗浄技術を提供する。
【解決手段】金属イオンと親和性のある物質を超純水に添加してなるウエハ用洗浄水。このウエハ用洗浄水を用いたウエハの洗浄方法。ウエハ洗浄用の超純水中に、金属イオンと親和性のある物質を添加しておくことにより、これが超純水中の金属イオンを捕捉して水中に安定に存在させることにより、洗浄時にウエハ表面へ移行して付着することを有効に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基材から不要な有機および無機の残渣および汚染物質を除去するのに用いられる半水性の洗浄組成物を提供する。
【解決手段】この洗浄組成物は、ｐＫａ値が約５〜約７の少なくとも３つのカルボン酸基を有する多塩基酸を含む緩衝系を含んでなる。この洗浄組成物はまた、グリセロールなどの多価溶媒を含む。フッ化物イオン源が本発明の洗浄組成物にさらに含まれ、主として基材からの無機残渣の除去に関与する。本発明の洗浄組成物は毒性が低く、環境にやさしい。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも1X10^-6の水性酸解離定数を持つ一種以上のカルボン酸成分が、酸化物（二酸化ケイ素もしくはドープした二酸化ケイ素など）のエッチングの間に利用される方法を含む。二種以上のカルボン酸も利用できる。カルボン酸の例としては、トリクロロ酢酸、マレイン酸、クエン酸を含む。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスの基板を洗浄するための剥離および洗浄組成物であって、少なくとも１種の有機剥離溶媒、少なくとも１種の求核性アミン、剥離組成物が約９.６ないし約１０.９の水中ｐＨを有するように、求核性アミンの重量の約３％ないし約７５％を中和するのに十分な量の少なくとも１種の窒素不含弱酸であって、水性溶液中のｐＫ値２.０またはそれ以上および１４０より小さい当量を有する弱酸、ジエチレングリコールおよびジエチレングリコールアミンからなる群から選択される少なくとも１種の金属除去化合物、および水を含む組成物、並びにこれらの組成物を用いてマイクロエレクトロニクスの基板を洗浄する方法。 （もっと読む）