【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】液化炭酸ガスの蒸留過程における加熱および冷却に必要なエネルギーを、相互に交換して利用することにより、工程全体に必要なエネルギーを低減することのできる炭酸ガス洗浄装置および炭酸ガス洗浄方法を提供する。
【解決手段】クリーニングブロックＡの蒸発器４および凝縮器５を用いた炭酸ガスの蒸留操作により、洗浄槽１から回収された液化炭酸ガスに混入した不純物を除去して、この蒸留後の液化炭酸ガスを洗浄に再使用する炭酸ガス洗浄装置において、炭酸ガス蒸留工程の蒸発器４に温熱を供給する温熱供給手段の一部である加熱用熱交換器１２と、同じ炭酸ガス蒸留工程の凝縮器５に冷熱を供給する冷熱供給手段の一部である冷却用熱交換器１３と、圧縮機１０および膨張弁１１を備えたヒートポンプを構築し、このヒートポンプ内の作動流体を通じて、上記蒸発器４側で必要な熱量（温熱）と、上記凝縮器５側で必要な熱量（冷熱）とを輸送・交換する。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄するにあたって、洗浄液を除去あるいは乾燥させるときに、洗浄液の表面張力によりパターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄すること。
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

本発明は一般的には、基板を洗浄するためのシステムに関する。より特定的には、本発明は、シリコンウエハを含む半導体基板から、高密度二酸化炭素マトリクスに含まれる反応性逆ミセルまたはマイクロマルジョンのシステムを用いて、残留物を化学的に除去するための方法に関する。反応性ミセル系中の様々な反応性化学薬品を使用して、エッチング残留物および金属残留物を、商業的なウエハ製造および処理に対し十分なレベルまで洗浄し、除去してもよい。

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