【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式（１）


で表される含フッ素３級アルコールまたは一般式（２）


で表される含フッ素３級ジオールを含む。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、下記一般式（１）で示されるベンゾトリアゾール誘導体を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
【化１】


（式中、Ｙは、脂肪族飽和多価カルボン酸残基である。） （もっと読む）

【課題】 研磨剤由来の研磨粒子や有機残渣の除去性、ならびに絶縁膜上の金属残渣の除去性に優れかつ、銅配線の耐腐食性に優れた銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって環状ポリアミン（Ａ）、水酸基を２〜５個含むポリフェノール系還元剤（Ｂ）、第４級アンモニウムヒドロキシド（Ｃ）、アスコルビン酸（Ｄ）、および水を必須成分とすることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

本発明は、ＬＣＤ製造の全プロセス用のフォトレジスト剥離組成物に関し、より具体的には、第三級アルカノールアミン、水、および有機溶媒を含む弱塩基性複合体のような統合水系フォトレジスト剥離組成物に関する。本発明の組成物は、ＬＣＤ製造プロセスにおいてＡｌおよびＣｕの金属配線の腐食を防止し、フォトレジストを除去する性能が高く、Ａｌプロセス、Ｃｕプロセス、有機膜プロセス、およびＣＯＡプロセスの全てに用いられる。
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【課題】レジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去能力に優れ、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れるだけでなく、基板の処理枚数が増えて経済性に優れたレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法を提供する。
【解決手段】本発明はレジスト剥離液組成物及びこれを用いたレジストの剥離方法に関する。前記レジスト剥離液組成物はレジストパターン及び乾式及び湿式エッチング残渣除去力に優れ、特定のポリオール化合物を含むので、アルミニウム及び／または銅を含む金属配線の腐食防止力に優れる。また、特定のアミド化合物を含むので、多数の基板を処理することができ、原価節減に大きく寄与する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、シクロヘキシル基を有する化合物を含有する半導体表面用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式（Ｉ）ＮＨ_２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ_２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ_２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）で表される化合物、−式（ＩＩ）ＮＨ_２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)_２式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じで表される化合物、−モルホリン、−Ｎ−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハの処理のための、特に半導体ウェハの洗浄および化学機械研磨のための組成物中での、過酸から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用に関する。本発明はまた、組成物の使用およびそのための組成物に関する。本発明の酸化剤の使用は、基板の腐食を制限／回避しながら良好な効果をもたらす。 （もっと読む）