【課題】シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くする。
【解決手段】基板処理装置１では、酸化膜除去部４にて基板９の一の主面上のシリコン酸化膜が除去された後、シリル化処理部６にてシリル化材料を付与して、当該主面に対してシリル化処理が施される。これにより、シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】マルチオキサイドプロセスを用いた場合においてトランジスタ特性の安定した半導体装置を得ることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６が形成された第１領域２０と、半導体基板１２表面が露出した第２領域２２とを形成する工程と、第２領域２２において露出する半導体基板１２の表面を洗浄液により洗浄する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に前記洗浄液により形成された化学酸化膜２４を、除去する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６とは膜厚の異なる第２絶縁膜２６を形成する工程と、その上にゲート電極膜を形成してそのゲート電極膜（とその下の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２６）にパターンを形成する工程とを含み、前記酸化膜を除去する前記工程は、水素ガスの存在下、温度９４０℃以上９９０℃以下、圧力３０Ｔｏｒｒ以上１５０Ｔｏｒｒ以下で前記半導体基板を処理することにより前記酸化膜を除去するものである。 （もっと読む）