【課題】回折格子を高精度に作製し、単一モード発振を安定して得ることが可能な量子カスケードレーザの製造方法を提供する。
【解決手段】量子カスケードレーザの製造方法は、可撓性を有する樹脂フィルムにマザースタンパを押しつけて、第１の溝パターンの凹凸が反転した第２の溝パターンＰ２を有する樹脂スタンパ２０１を作製する工程と、活性層が半導体基板上に形成されたウエハを作製する工程と、ウエハのうち活性層側の表面にレジスト膜３０４を形成する工程と、樹脂スタンパをレジスト膜３０４に空気圧により押しつけて、第２の溝パターンＰ２の凹凸が反転した第３の溝パターンＰ３をレジスト膜３０４に形成する工程と、レジスト膜３０４をマスクとしてウエハのエッチングを行い、ウエハの表面に回折格子を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で小型なＤＦＢレーザの中で、特に、前方光出力が高く、単一モード特性の高い活性層分離型位相シフトＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】活性層分離型位相シフトＤＦＢレーザにおいて、量子井戸活性層を一定間隔でエッチングした不連続に分離した活性層を有し、前記活性層が形成するＤＦＢ共振器の一部にシフト量がλ／１０以上かつλ／４以下の位相シフトを設けることとした。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流までのプラズマ効果による発振波長の短波長化、又は発振後の温度上昇に伴う発振波長の長波長化が生じても、活性領域のブラッグモードが常に分布反射鏡領域の有効反射帯域から外れることなく、安定した良好な単一モード発振を得ることのできる、信頼性の高い半導体レーザを実現する。
【解決手段】第１の回折格子１１を有する活性領域１と、第２の回折格子１２を有する分布反射鏡領域２とを備え、第２の回折格子１２は、第１の回折格子１１から伝搬する光の波長に応じて光路を変更する第１の部分１２Ａと、第１の部分１２Ａから入射される光の波長に整合した格子周期を有する、例えば円弧形状の各格子を持つ第２の部分１２Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハから作製される複数の半導体光素子の特性のばらつきを抑制し、歩留まりが向上する半導体光素子、及び、その製造方法の提供。
【解決手段】活性層と、活性層の上方もしくは下方に形成される回折格子層を備える多層構造を含む、半導体光素子において、回折格子層は、前方端面から、光の出射方向に沿って、後方端面より内側に位置する後端に亘って延伸するよう形成される、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光出力の飽和を抑制し、十分な特性が得られるようにしながら、安定した単一横モード動作を実現できるようにする。
【解決手段】光半導体装置を、活性領域１と、活性領域１の一端側に設けられ、第１回折格子６を装荷した第１導波路１０を有する第１分布反射鏡領域２とを備えるものとし、第１回折格子６を、結合係数が第１導波路１０の幅方向で同一であり、幅方向両側部分が第１導波路１０の幅方向に平行な幅方向中央部分に対して活性領域１の反対側へ傾いているものとする。 （もっと読む）

【課題】良好な単一モード発振の安定性を保ちながら、光出力の前方後方比の高い分布帰還型半導体レーザを実現する。
【解決手段】光導波路に回折格子が形成されている構造の分布帰還型半導体レーザであって、前記光導波路の一部領域において、回折格子（ＧＴＧ１）により屈折率に分布を設けた部分と、前記回折格子が無く均一の屈折率の部分（スペース８）が、交互に繰り返し形成されており、前記回折格子が無く均一の屈折率の部分（スペース８）が、レーザ発振波長の半整数倍となる光学路長であり、回折格子（ＧＴＧ１）により屈折率に分布を設けた部分は少なくとも該回折格子５周期以上である。 （もっと読む）

【課題】高出力・高ＳＮ比で波長可変域が大きな半導体レーザ及び光モジュールを提供する。
【解決手段】各々異なる波長で単一モードレーザ発振可能なＤＦＢレーザ３０１ａ〜３０１ｊと、第１の接続導波路３０２ａ〜３０２ｊと、ＤＦＢレーザ３０１ａ〜３０１ｊから発振されて第１の接続導波路３０２ａ〜３０２ｊを伝搬したレーザ光を合流させる第１の光合流回路３０３と、第２の接続導波路３０８ａ〜３０８ｂと、第２の接続導波路３０８ａ〜３０８ｂを各々伝搬したレーザ光同士を互いに合流させる第２の光合流回路３０６と、第２の光合流回路３０６で合流させたレーザ光を出力する１つの出力導波路３０７とを有し、所望のＤＦＢレーザからレーザ光を発振することにより、波長可変光源とした。 （もっと読む）

【課題】 ピーク波長間隔を変化させることなくピーク波長をシフトさせることにより、波長制御を容易とする。
【解決手段】 波長可変レーザ１００は、第１の回折格子３１が設けられている領域である回折格子形成領域１０ｄと、回折格子形成領域１０ｄと光導波方向に連続して位置する利得領域１０ｅと、を含む第１の光導波路１０ａを備えるＤＦＢ部２と、第２の回折格子３２ａが設けられると共に第１の光導波路１０ａと光学的に結合している第２の光導波路１０ｂを備えるＤＢＲ部３と、ＤＦＢ部２の第１の光導波路１０ａにおける回折格子形成領域１０ｄにＤＦＢ部波長制御電流を注入する位置に設けられたＤＦＢ部波長制御電極４５と、ＤＦＢ部２の第１の光導波路１０ａにおける利得領域１０ｅにＤＦＢ部波長制御電流より大きな利得用電流を注入する位置に設けられた利得用電極４１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】位相シフト量の変動が少ないλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に設けられたレーザ共振器内の第１領域（回折格子形成領域）と第２領域（位相シフト領域）の実効屈折率が異なるλ／４位相シフト分布帰還型半導体レーザ素子を製造するに際し、活性層３上に２層の回折格子層（第１回折格子層５、第２回折格子層７）を形成し、回折格子９を形成するためのエッチング工程に先だって、第１領域の第２回折格子層７を除去することによって、回折格子形成領域の表面と位相シフト領域の表面とを実質的に同一の構造とし、エッチングのばらつきに起因する位相シフト量の変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】メサストライプ構造を有するリッジ導波路型半導体レーザ素子の高出力化を推進する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、素子１個当たり３本のメサストライプ部を有している。真ん中に配置された主メサストライプ部（ＭＳ１）は、発振波長よりも広い幅を有してり、その両側に配置された２本の副メサストライプ部（ＭＳ２）は、発振波長よりも狭い幅を有している。また、主メサストライプ部（ＭＳ１）と副メサストライプ部（ＭＳ２）の間隔は、発振波長よりも狭くなっている。発振波長よりも狭い幅の副メサストライプ部（ＭＳ２）は、横モードカットオフへの影響がほとんど無いので、キンクレベルの低下もほとんど無い。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザにおいて、所望の光出力が得られるように注入電流値を大きくした場合にも、安定した単一波長動作及び低しきい値動作を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザを、半導体基板上に、電流注入によって利得を発生しうる光導波路と、位相シフトを有し、光導波路の全長にわたって光導波路に沿って設けられる回折格子とを備えるものとし、光導波路に電流注入を行なっていない状態で、両端部の近傍領域のブラッグ波長が、位相シフトの近傍領域のブラッグ波長よりも長くなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】レーザの外部に波長基準となる追加の素子を必要とせずに、光伝送のためのチャネル波長の高速な切り替えを可能にする発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、半導体光素子１１と、外部光学反射鏡１８と、ファブリペローエタロン１９とを備える。半導体光素子１１の光反射器１３では、回折格子２１ａ、２１ｂ、２１ｉの周期は互いに異なる。電極２３ａ〜２３ｉは、回折格子２１ａ〜２１ｉのためにそれぞれ設けられている。ファブリペローエタロン１９は、半導体光素子１１の第１の端面１５ａと外部光学反射鏡１８との間に設けられている。ファブリペローエタロン１９および利得導波路１７は、レーザキャビティ内において直列に配置されている。半導体光素子１１の第２の端面１５ｂからレーザ光Ｌが出射する。光反射器１３および外部光学反射鏡１８の各々は、発光装置１１のレーザキャビティのための反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】λ／４位相シフトＤＦＢレーザにおいて、空間的なホールバーニング（キャリア密度低下）を引き起こし、出力光のパワーが小さくなることを防止する。
【解決手段】λ／４位相シフトＤＦＢレーザは、誘導放出光を生成するための活性層４０と、この活性層４０の下又は上に積層され、単一縦モード化を図るための回折格子層３０と、活性層４０及び回折格子層３０を上下の方向から挟み込むように積層された上部クラッド層４１，４１ａ及び下部クラッド層２１とを有している。そして、回折格子層３０において、活性層４０を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子３３が形成された回折格子形成領域３１と、前記回折格子３３が形成されていない回折格子非形成領域３２とが、交互に周期的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】良好な単一軸モード歩留まりを維持しつつ、素子の光出力前後比を向上させる分布帰還型半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明にかかる分布帰還型半導体レーザは、位相シフト部を有する回折格子構造４と、回折格子構造４を埋め込んで設けられたガイド層３と、活性層１とを備えた分布帰還型半導体レーザであって、位相シフト部を境に、伝送用信号光を出射する共振器端面を含む側の領域を前方領域、監視用信号光を出射する共振器端面を含む側の領域を後方領域としたとき、ガイド層３は、後方領域の一部の組成と前方領域の組成が異なるものである。 （もっと読む）

【課題】利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、単一モード歩留まりを高くするとともに、前端面側の高出力効率を得る。
【解決手段】利得結合型分布帰還型半導体レーザにおいて、レーザ光を放出する前端面１３には低反射率のコーティングが施され、後端面１５には高反射率のコーティングが施された非対称コーティングが行われている。さらに、光導波路に沿って吸収型の回折格子１０が設けられ、この回折格子に位相シフト領域１１を設けた構造とする。上記構造とすることにより、発振波長の単一モード歩留まりを高くするとともに、前端面１３側の出力効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 安定なセルフパルセーション動作を実現することのできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】 半導体レーザは、ｎ型ＩｎＰ基板１と、ｎ型ＩｎＰ基板１上に形成されたｎ型ＩｎＰクラッド層２と、ｎ型ＩｎＰクラッド層２上に形成されたＩｎＧａＡｓＰ光導波層３と、前方分布帰還型活性領域１０１と、後方分布帰還型活性領域１０３と、回折格子５を埋め込むように形成されたｐ型ＩｎＰクラッド層４とを備えている。前方分布帰還型活性領域１０１または後方分布帰還型活性領域１０３の回折格子５はその一部に位相シフト６を有している。位相シフト６を有する前方分布帰還型活性領域１０１または後方分布帰還型活性領域１０３において、ストップバンドの長波長端近傍でのレーザ発振が短波長端近傍のレーザ発振よりも選択的に生じるように、位相シフト６を有する回折格子５が調整されている。 （もっと読む）

【課題】 従来、位相シフト型の分布帰還型半導体レーザ素子は、縦モードの戻り光耐力向上のためにλ/4シフト構造が用いられてきたが、λ/4シフト位置での光子密度が周囲と比較して極端に高く、電子密度が低いために、チャーピングが大きく、直接変調した場合に長距離伝送に適さないという課題があった。
【解決手段】 λ/4の位相シフト構造の代わりに導波路中の回折格子にλ/8の位相シフト構造を採用し、そのλ/8の位相シフト構造の位置を導波路の中央よりも後方向端面側に形成し、かつ、前方向端面コーティング膜の反射率が後方向端面コーティング膜の反射率が小さくすることで、戻り光耐力を保つとともに、シフト位置での光子密度の低減し、チャーピングを抑制することが可能となる。 （もっと読む）