【課題】信頼性を向上させることができる光半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】ｎ−ＩｎＰ基板１上に、分離溝１３で互いに分離された光半導体素子１４，１５を形成する。光半導体素子１４，１５の上面に、Ｐｔを含む電極２１，２２をそれぞれ形成する。電極２１，２２に電気的に接続された電極２４を形成する。電極２４を給電層とした電解メッキ法により電極２１，２２上にＡｕメッキ層２６，２７をそれぞれ形成する。Ａｕメッキ層２６，２７を覆うレジスト２３をフォトリソグラフィにより形成する。レジスト２３をマスクとして電極２４をエッチングして電極２１と電極２２を電気的に分離する。電極２４を形成する際に、分離溝１３内に電極２４が形成されないようにする。 （もっと読む）

【課題】光源装置を小さくすることができ、装置全体の小型化を図ることができるテラヘルツ波発生装置、カメラ、イメージング装置および計測装置を提供すること。
【解決手段】テラヘルツ波発生装置１は、光パルスを発生する光源装置３と、前記光源装置３で発生した光パルスが照射されることによりテラヘルツ波を発生するアンテナとを備え、前記光源装置３は、光パルスを発生する光パルス発生部４と、前記光パルス発生部４で発生した光パルスに対し、可飽和吸収に基づくパルス圧縮を行う第１のパルス圧縮部５と、前記第１のパルス圧縮部５でパルス圧縮がなされた光パルスに対し、群速度分散補償に基づくパルス圧縮を行う第２のパルス圧縮部７と、前記第１のパルス圧縮部５の前段、または前記第１のパルス圧縮部５と前記第２のパルス圧縮部７との間に設けられ、光パルスを増幅する増幅部６とを有する。 （もっと読む）

【課題】波長可変動作を行わせても出力が低下せず、低消費電力で高出力動作が可能な半導体レーザ素子およびそれを備える半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層２４に沿って回折格子層２５を設ける。前方ＤＦＢ領域Ｓ１の回折格子層２５には、格子間隔がレーザ光の出力方向に連続的に変化するチャープ回折格子３０を形成し、後方ＤＦＢ領域Ｓ２の回折格子層２５には、格子間隔が一定の領域を含む均一回折格子３１を形成する。活性層２４を挟んで回折格子層２５と反対側には、活性層２４とは独立して電流を注入可能なチューニング層２２を設ける。後方ＤＦＢ領域Ｓ２にチューニング電極２８を設け、前方ＤＦＢ領域Ｓ１とは独立して、後方ＤＦＢ領域Ｓ２のチューニング層２２に電流を注入する。 （もっと読む）

【課題】所望の波長以外の波長が出力されるのを防ぐためにブランキング動作をしつつ、波長切り替え時の電流変化に起因する熱変動による波長ドリフトを抑制し、波長安定性を高める光素子の波長制御方法を提供することにある。
【解決手段】光素子の波長制御方法であって、光素子として、制御電流Ｉｔを注入して屈折率を制御する波長制御領域である非活性導波路層２３と、利得電流Ｉａを注入して利得を制御する活性層領域である活性導波路層２２とを有する電流制御型の波長可変半導体レーザを用い、所定の波長の光出力のあるチャンネル１状態と、前記光出力を遮断した光遮断状態と、前記チャンネル１状態とは異なる波長の光出力のあるチャンネル２状態とを制御する波長制御過程において、前記光遮断状態中に、非活性導波路層２３に電流を投入するようにした。 （もっと読む）

【課題】飽和特性により利得が減少することを抑制することができ、変調速度の高速化を図ることが可能となる半導体光増幅器を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に配された半導体による光増幅媒体とを有し、該光増幅媒体に入力される光信号を増幅する半導体光増幅器であって、
前記基板上に、前記光増幅媒体を光励起するための複数の半導体レーザが、該光増幅媒体に近接配置されている構成とする。その際、これらの複数の半導体レーザは、前記光増幅媒体の光導波方向と直交する方向から励起光を照射可能に配置される。 （もっと読む）

【課題】高効率かつ高出力な光出力特性を得ることができる半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】第１の活性コア層を有する入力側光増幅導波路部と、前記入力側光増幅導波路部に接続し、前記第１の活性コア層よりも幅の広い第２の活性コア層を有する出力側光増幅導波路部と、を備え、前記第１の活性コア層と前記第１の活性コア層の幅方向に隣接するクラッド部との比屈折率差、および前記第２の活性コア層と前記第２の活性コア層の幅方向に隣接するクラッド部との比屈折率差が、前記第１の活性コア層におけるキャリア密度および光閉じ込め係数が前記第２の活性コア層におけるキャリア密度および光閉じ込め係数のそれぞれよりも高くなるように、設定されている。 （もっと読む）

【課題】良好なアイ開口を得ることができる直接変調型半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１の信号光１１７を出力する第１の半導体レーザ１２８と、第１の半導体レーザ１２８の活性層１２２に吸収される波長を含む第２の信号光１１３を出力する第２の半導体レーザ１２７とを独立して有し、第２の信号光１１３が活性層１２２に入射するように、第１の半導体レーザ１２８と第２の半導体レーザ１２７とを直列に配置し、伝送速度Ｘ１のＮＲＺ信号電流１２９を入力し、伝送速度Ｘ１の１ビット分の時間幅を１周期とする周波数Ｘ２の正弦波信号電流１１１を入力すると共に、ＮＲＺ信号電流１２９及び正弦波信号電流１１１の位相を、第１の信号光１１７の各ビットの時間幅の中心に正弦波となる第２の信号光１１３の強度の極大点がくるようにした。
制御する。 （もっと読む）

ディジタル平面ホログラフィに基づくホログラムパターンを有する集積平面光学装置が提供される。該装置は、複数の平面光学要素を支持する半導体基板と下部クラッド層とからなる。該下部クラッド層は光伝搬／配光層を支持する。ホログラムパターンに従って前記平面光学要素へ伝搬される光線およびそこから伝搬される光線の性質および方向を制御するため、ホログラムパターンからなる相互接続した複数のパターン要素が、該光伝搬／配光層に埋め込まれている。これは、かかる要素を含む層の素材とは異なる屈折率を持った、特定の位置、形状および屈折率のパターン要素を提供することにより、達成される。前記パターンの設計および製造方法が、本明細書に記載される。 （もっと読む）

【課題】緩和振動周波数を向上させて、良好なアイ開口を得ることができる直接変調型半導体レーザを提供する。
【解決手段】第１の信号光１１７を出力する第１の半導体レーザ１２８と、第１の半導体レーザ１２８のＩｎＧａＡｓＰ活性層１２２に吸収される波長を含む第２の信号光１１３を出力する第２の半導体レーザ１２７とを独立して有し、第２の信号光１１３がＩｎＧａＡｓＰ活性層１２２に入射するように、第１の半導体レーザ１２８と第２の半導体レーザ１２７とを直列に配置し、同一の信号電流１１１をｐ型電極１０８及びｐ型電極１２５に入力した。 （もっと読む）

【課題】動作帯域幅の拡大が期待できる光注入レーザにおいて、注入レーザからの光を主レーザに効率的に吸収させることができる半導体レーザを提供する。
【解決手段】主レーザ１０と、主レーザ１０に光を注入する注入レーザ１２とが同一基板１４上に集積化されている。注入レーザ１２の共振器方向は主レーザ１０の共振器方向と異なる。注入レーザ１２は単一モードレーザである。注入レーザ１２の発振波長は、主レーザ１０の吸収波長のピークである。これにより、注入レーザ１２からの光を主レーザ１０に効率的に吸収させることができる。また、注入レーザ１２が複数のレーザからなり、その複数のレーザの注入光の強度は、主レーザ１０の共振器方向の電界分布が一様となるように、それぞれ主レーザ１０の共振器方向で異なることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、３種類のレーザ光源、すなわち、ダイオードレーザ、（一体的に接続された複数のダイオードレーザの形の）複合ダイオードレーザ、ならびに、その増幅器がダイオードレーザの独創的な光共振器と、独創的なレーザ放射結合から構成された（一体的に接続された駆動レーザダイオードおよび半導体増幅素子の形の）複合半導体光増幅器に関する。ダイオードレーザの光共振器の２つの反射材料は、上述の３種類のレーザ放射光源に分類され、その両側でとりうる最大の反射率を有し、活性層を迂回して、実際上完全な反射防止（０．０１％未満）光端面を有するダイオードレーザの本発明の改変されたヘテロ構造の広バンド幅の半導体層を通って活性層からの放射結合が行なわれる。本発明は、広い波長帯において、超高出力、高性能、高速かつ高信頼の、単一周波数、シングルモードおよびマルチモードの３種類の高品質レーザ放射光源の設計を可能にし、その生産を簡略化し、生産コストを削減する。
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【課題】外周部分のクラッド層とコア層の屈折率差をフォトニックバンドギャップの形成に十分な大きさとし、活性部分のクラッド層の抵抗を下げた、波長が１．３μｍおよび１．５５μｍの半導体レーザを提供する。
【解決手段】光を発生する活性部分と、発生した光からレーザ光を得るための共振器の外周部分とを同一基板上に形成する。基板１１はＩｎＰ基板である。活性部分は、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第１導電型のクラッド層１２と、ＡｌＧａＩｎＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰからなる活性層を含むコア層２１と、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第２導電型のクラッド層１７とを有する。外周部分は、第１導電型のクラッド層を酸化した第１のクラッド層２２と、コア層２７と、第２導電型のクラッド層を酸化した第２のクラッド層２５とを有する。外周部分に、所定の周期で複数の空孔２６が配列された２次元フォトニック結晶を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光プロファイルにおける明暗を生じなくする。
【解決手段】少なくとも一つの半導体レーザチップを具備する半導体レーザ装置が提供され、半導体レーザチップは電磁放射を放出する活性層を含む。さらに、少なくとも一つのコーナーリフレクタ１が半導体レーザチップ中に形成される。コーナーリフレクタ１は第１と第２の反射面１４、１５を有し、第１と第２の反射面１４、１５は互いに対して９０度未満の角度で配置される。これにより、半導体レーザ装置により放出される放射の向上した発光特性がもたらされる。 （もっと読む）

半導体チップは、ＡＲ被覆をもつ１組のファセットと、回折格子に対して異なる相対位置を有するＨＲ被覆をもつ第２の組のエッチファセットとを備えた少なくとも２つのＤＦＢエッチファセットレーザを有する。これにより、エッチファセットのそれぞれと回折格子との間に位相の差が生成され、それが２つのレーザキャビティの動作特性を変化させ、その結果、レーザのうちの少なくとも一方が許容される性能を提供する。その結果、２つのキャビティ構成は製作されたチップの歩留りを非常に改善する。 （もっと読む）

【課題】 複数の半導体レーザ構成部に含まれる特定の層に対して、素子特性に影響を及ぼすことなく、同一の工程で不純物を拡散させることが可能なモノリシック型半導体レーザ素子の製造方法および不純物拡散方法を提供する。
【解決手段】 第１半導体レーザ構成部２２Ａの第１被拡散領域５６内の第１配置部分７１に第１不純物含有体５４を配置し、第２半導体レーザ構成部２３Ａの第１被拡散領域５６よりも不純物の拡散速度の高い第２被拡散領域５７内の第２配置部分７２に第２不純物含有体５５を配置した後、加熱して不純物を拡散させる。このとき、第１配置部分７１のうちで第１不純物含有体５４に接する第１接触部分７３の厚み方向一表面が、第１配置部分７１の厚み方向一表面全体に占める割合を、第２配置部分７２のうちで第２不純物含有体５５に接する第２接触部分７４の厚み方向一表面が、第２配置部分７２の厚み方向一表面全体に占める割合よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】光学的にポンピングされるレーザと、レーザを光学的にポンピングする半導体レーザとから成る改善されたレーザ装置を提供すること。この装置は殊に、光学的ポンピングの改善された効率を特徴とし、このレーザ装置の構造サイズは比較的小さく、製造コストは比較的低い。さらに、レーザを光学的にポンピングするための有利な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を含んでおり、少なくとも２つまたは２つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出するレーザ装置、および半導体レーザは、モノリシックに集積された、重なり合って配置された複数の活性領域を有しており、少なくとも２つまたは２つより多い活性領域は異なる波長のポンピングビームを放出する、レーザを光学的にポンピングするための半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】ある波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、他の波長の光を取り出すことが可能となる発光装置を提供する。
【解決手段】誘導放出により生じる光をレーザ光として出力するＬＤと、希土類イオンを含む発光体と、を備えた発光装置であって、前記発光体は、前記ＬＤから出力された光を受け、該光を前記希土類イオンに吸収させることで放出される光を、外部へ出力する発光装置とする。 （もっと読む）

【課題】横方向酸化によって、電流素子層が形成された面発光型半導体発光素子において、簡便かつ低コストな製法により高性能化、高機能化、高信頼性化、長寿命化を図ることが可能な素子構造を提供する。
【解決手段】第１の半導体多層膜反射鏡６、半導体活性層４、クラッド層３及び５は凸部形状のメサ部となっている。半導体多層膜反射鏡２の最上層２ａ及び半導体多層膜反射鏡６の最下層６ａは、その側面から発光領域１７に向かって横方向酸化されることによって電流狭窄部８を形成している。前記半導体多層膜反射鏡２あるいは半導体多層膜反射鏡６はその結晶方向に対して酸化されやすい第１方向と酸化されにくい第２方向を呈する酸化異方性を持ち、前記第１の方向に沿った前記発光領域から前記電流路狭窄部までの距離が前記第２の方向に沿った前記発光領域から前記電流路狭窄部までの距離よりも長くなっている。 （もっと読む）

本発明は、垂直主放射方向において放射を放出する光学的にポンピングされる面発光型の垂直放射体（１）と、垂直主放射方向を横断する方向に延びるポンプ主放射においてポンプ放射を放出する、少なくとも１つのモノリシックに集積されたポンプ放射源（２）とを有する半導体レーザ装置に関する。第１の実施形態によれば、ポンプ放射源（２）の少なくとも１つの垂直部分が、ポンプ主放射方向を横断し、且つ垂直主放射方向を横断する横方向においてポンプ放射に対して屈折率導波型に構成されている。第２の実施形態によれば、ポンプ放射源（２）が少なくとも１つの垂直部分において、ポンプ主放射方向を横断する横方向では別の垂直部分よりも狭い幅を有する。このようにして適切な寸法設計ではポンプ放射のモードが完全にまたは少なくとも部分的に垂直方向においてこの部分から押し出され、これにより導電層におけるポンプ放射の吸収損失が低減される。
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【課題】入力されたレーザ光の状態に応じて異なるレーザ光を出力できる新規な半導体レーザ装置、およびそれを用いた光集積回路を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、活性層２６を含む半導体レーザ１０を備える。活性層２６は、互いに対向する端面２６Ａおよび端面２６Ｂと、互いに対向する２つの端面とを有する。それら４つの端面は、それぞれ、仮想の菱形の第１〜第４の頂点３２Ａ〜３２Ｄの位置に存在する。半導体レーザ１０は、対角線３２ＡＢに沿って端面２６Ａから出射されるレーザ光（Ｌａ）と、仮想の菱形の経路３２に沿って伝搬するレーザ光が端面２６Ａから出射されたレーザ光（Ｌｒ）とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能である。レーザ光（Ｌａ）の強度とレーザ光（Ｌｒ）の強度とは、半導体レーザ１０に入射されるレーザ光３５および３６と上記電流とによって制御される。 （もっと読む）