【課題】動作波長を長波長化し得るとともに、利得異方性を十分に低減し得る量子半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０の上方に形成され、格子定数が半導体基板の格子定数より大きい量子ドット２０と、量子ドットの側面に接するように半導体基板の上方に形成され、格子定数が、半導体基板の格子定数の０．７９倍〜１．００５倍の範囲内であり、量子ドットの格子定数より小さく、ヤング率が、半導体基板のヤング率より小さいサイドバリア層２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】長寿命で、高い発光効率及び優れた温度特性を有する面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、熱伝導率の大きい低屈折率層１０３ａとそれよりも熱伝導率の小さい高屈折率層１０３ｂをペアとし、３０．５ペアを含む第１の下部半導体ＤＢＲ１０３_１と、５ペアを含む第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２と、１ペアを含む第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３とを有している。第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２では、低屈折率層１０３ａは３λ／４の光学厚さとなるように設定され、高屈折率層１０３ｂは、λ／４の光学厚さとなるように設定されている。第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３は、共振器構造体と第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ／４の光学厚さとなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】８５０ｎｍ帯面発光レーザにおける、高速変調化に伴う素子信頼性低下の課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】第１導電型ＧａＡｓ基板上に、第１導電型多層膜ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）層、活性層、及び第２導電型ＤＢＲ層を有する発振波長が８２０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下の面発光レーザであって、前記活性層が、圧縮性の歪みを有するＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_{１−ｙ１−ｚ１}Ｐ_ｙ１Ｓｂ_ｚ１ウェル層と、引張性の歪みを有するＧａＡｓ_１−ｙ２Ｐ_ｙ２バリア層を有する量子井戸構造を有することを特徴とする面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】素子を駆動したときに素子内部で発生する熱を速やかに素子外へ排出することができ、かつ、それを行うためのコストや消費電力の上昇を抑えることができる半導体素子、半導体光素子及び半導体集積素子を提供する。
【解決手段】例えば、ｎ型半導体基板１３上に形成された、ｐ型半導体層１７とｎ型半導体層（ｎ型半導体基板）１２の間の活性層１１の領域で、電子とホールが再結合することにより動作する半導体レーザにおいて、電子とホールが再結合する活性層１１の領域の上側にトンネル接合層１６が形成し、半導体素子（半導体レーザ）の上面を放熱面とした構成とする。 （もっと読む）

【課題】活性層を量子効果が抑制される構造とすることにより、特性が向上される半導体発光素子の提供。
【解決手段】所定のエネルギー値のバンドギャップを有するとともに引張り歪が導入される１以上の井戸層と、前記所定のエネルギー値より大きいエネルギー値のバンドギャップを有するとともに前記井戸層と交互に配置される２以上の障壁層と、隣り合う前記井戸層と前記障壁層の間にそれぞれ配置されるとともに、前記井戸層側の端から前記障壁層側へ、前記所定のエネルギー値から連続的に増加するバンドギャップを有する２以上の中間層とを、基板の上方にそれぞれ備える。 （もっと読む）

【課題】素子を駆動したときに素子内部で発生する熱を速やかに素子外へ排出することができ、かつ、それを行うためのコストや消費電力の上昇を抑えることができる半導体素子、半導体光素子及び半導体集積素子を提供する。
【解決手段】例えば、ｎ型半導体基板１３上に形成された、ｐ型半導体層１７とｎ型半導体層１２の間の活性層１１の領域で、電子とホールが再結合することにより動作する半導体レーザにおいて、電子とホールが再結合する活性層１１の領域よりもｎ型半導体基板１３側に、トンネル接合層１６を形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】活性層での発光波長を所望の波長となるように調整でき、歩留まりを向上させる半導体光素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】イオウがドープされたｎ型ＩｎＰ基板１の上に、順次、ｎ型ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＡｓＰ活性層３、ｐ型ＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＡｓＰキャップ層１１を成長させる。再成長温度から再成長の際の短波長シフト量を予想し、最終的に得たいＧａＩｎＡｓＰ活性層３のＰＬ発光のピーク波長の値である１．４８μｍに、予想した短波長シフト量分を足した値１．５０μｍを求めておき、１．５０μｍのピーク波長が得られるようにＧａＩｎＡｓＰ量子井戸層の組成を設計しておく。 （もっと読む）

【課題】利得波長の短波長シフトを抑制できるとともに、多重量子井戸構造の設計の自由度が高い光半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ／Ｖ族化合物半導体からなり、主障壁層の間に井戸層が介挿された量子井戸構造を複数有する多重量子井戸構造を備えた光半導体装置において、前記主障壁層と前記井戸層との間に、前記主障壁層と略同一のバンドギャップエネルギーと、前記井戸層と同じＶ族組成とを有するように成長させた極薄障壁層を備える。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた長波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。発振時のＩｎＧａＡｓＰバリア層及びＩｎＧａＡｓＰガイド層のキャリア密度を２×１０^１７／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を制御しつつ、偏光方向が安定している面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 レーザ光が射出される射出面上に、射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内には、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、射出領域の中心部の反射率が相対的に高い部分は、射出面内の互いに直交する２方向（Ｘ軸方向とＹ軸方向）に関して長さが異なっており、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接している電流注入領域は、形状異方性を有している。 （もっと読む）

【課題】優れた窒化物半導体装置を簡単な工程で製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１０上にｎ型Ａｌ_０．０３Ｇａ_０．９７Ｎクラッド層１２及びｎ型ＧａＮ光ガイド層１４を形成する。ｎ型ＧａＮ光ガイド層１４上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用い、キャリアガスに水素を添加して、Ｉｎを含む窒化物系半導体からなる活性層１６を形成する。活性層１６上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いてｐ型Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ電子障壁層１８、ｐ型ＧａＮ光ガイド層２０、ｐ型Ａｌ_０．０３Ｇａ_０．９７Ｎクラッド層２２、ｐ型ＧａＮコンタクト層２４を形成する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、小型で、光量変動の少ない安定した光を射出する光デバイスを提供する。
【解決手段】 複数の発光部を有するレーザチップ１００、パッケージ部材２００及びカバーガラス３００などを有している。カバーガラス３００は、レーザチップ１００から射出された光束の光路上に配置され、レーザチップ１００から射出された光束が入射する入射面が、レーザチップ１００の射出面に対して傾斜しており、その傾斜角は、複数の発光部において最も離れている２つの発光部の一方から射出された光を反射して他方に入射させるときの傾斜角よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】量子井戸構造を備える半導体光素子であって、特性向上を実現する半導体光素子の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、積層される多層構造のうち、基板上面から、多層構造に含まれる量子井戸構造の内部にある第１の高さまでの累積歪をゼロとなるよう、第１の高さより下側に位置する各層の歪量と層厚を決定する工程と、各層に前記歪量それぞれの歪が導入され、前記層厚それぞれに、積層される工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】屈折率分布層上に活性層が配置された構成を備える窒化ガリウム系の半導体レーザ素子において、再成長の際に導入された歪みによる活性層への影響を抑える。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、ＧａＮ基板１１上に設けられ、窒化ガリウム系半導体からなり、一次元又は二次元で広がる周期的な屈折率分布を有する屈折率分布層１７と、屈折率分布層１７上に設けられた活性層２７と、屈折率分布層１７と活性層２７との間に設けられたＩｎＧａＮからなる歪緩和層２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】活性層の歪みを低減可能なIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａでは、半導体領域１３の主面１３ａは無極性又は半極性を示す。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられ、この主面１３ａは基準面ＲＣに対して１０度以上の角度を成す。第１導電型バッファ層１５の材料は半導体領域１３の材料と異なる。キャリアブロック層１９は第３の六方晶系III族窒化物半導体からなる。活性層１７は窒化ガリウム系半導体層２１ａを含む。第１導電型バッファ層１５は半導体領域１３の主面１３ａ上において格子緩和する一方で、窒化ガリウム系半導体層は歪みを内包する。第１導電型バッファ層１５の格子緩和により、窒化ガリウム系半導体層２１ａの材料と半導体領域１３の主面１３ａの材料との格子定数差に起因する応力が、活性層１７に加わることがない。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた窒化物系半導体発光素子であって、井戸層とバリア層のバンドギャップの差が大きくても、発光効率の低下と駆動電圧の上昇を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子ＬＥ１、ＬＤ１は、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して４０度以上５０度以下及び９０度より大きく１３０度以下の範囲の角度αをなす主面１１ａを有する窒化ガリウム基板１１と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、第２の窒化ガリウム系半導体領域１７と、複数のＩｎＧａＮからなる井戸層２１及び複数のＧａＮ系半導体からなるバリア層２３を含む発光層１５とを備え、複数の井戸層２１のピエゾ分極の方向は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３から第２の窒化ガリウム系半導体領域１７へ向かう方向であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ-ＩｎＰ基板１０と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層２と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層３と、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａと、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８と、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂと、半導体レーザエピタキシャル膜からなるｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９とを備え、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａにこのｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ中に回折格子のｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層６を形成し、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ及びｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をリッジに形成し、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８はｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ及びｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂよりも屈折率を高くした。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる引張り歪井戸層を有する半導体発光素子、もしくは、ＩｎＧａＡｓＰ系からなる引張り歪井戸層及びＩｎＧａＡｌＡｓ系からなる障壁層を有する半導体発光素子であって、幅広い温度範囲においても高性能かつ高信頼な半導体発光素子の提供。
【解決手段】半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。 （もっと読む）