【課題】特性を向上することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、基板１と、基板１の上面１ａ上に形成されたＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層４とを備えている。ＡｌＧａＮ層２は第１ＡｌＧａＮ層２ａと、第１ＡｌＧａＮ層２ａ上に形成された第２ＡｌＧａＮ層２ｂとを有しており、第１ＡｌＧａＮ層２ａのＡｌ濃度は第２ＡｌＧａＮ層２ｂのＡｌ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】リッジ上電極の形成が容易なリッジ型半導体素子の製造方法及びリッジ型半導体素子を提供する。
【解決手段】
平坦部から突出するようにリッジ部を形成する第１の工程と、前記リッジ部上に嵩上げ層（９）を形成する第２の工程と、前記リッジ部の側面、前記平坦部の上面、嵩上げ層（９）の側面、及び嵩上げ層（９）の上面を保護層（１０）で覆う第３の工程と、フォトレジスト（１５）を回転塗布して、前記リッジ部の頭部においてのみフォトレジスト（１５）を開口させる第４の工程とを備えるリッジ型半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の上昇、出力特性のバラつき、これらを同時に抑制した、分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層の端面からレーザ光を出射する分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層上に形成された化合物半導体からなる光ガイド層と、光ガイド層上に形成された化合物半導体からなるクラッド層４とを備えている。クラッド層４は、第１クラッド層４Ａ、第２クラッド層４Ｂ、及び第３クラッド層４Ｃを光ガイド層上に順次積層してなり、第１クラッド層４Ａの表面は周期的な凹凸面を有しており、回折格子が形成されている。ここで、第２クラッド層４Ｂの屈折率は、第１クラッド層４Ａ及び第３クラッド層４Ｃの屈折率のいずれよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 熱飽和現象が抑制された光出力の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_ｘ Ｇａ_１−ｘ ）_ｙ Ｉｎ_１−ｙ Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。活性層４からｐ型クラッド層６へのキャリアのオーバーフローを抑制するとともに、ｎ型クラッド層２に熱伝導率の高い材料を用いて熱飽和現象を抑制することにより、光出力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】タイプＩＩ発光を抑制することにより発光効率を向上させることの可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層１２（ｎ型グレーデッド層１３）と活性層１６（ガイド層１５）との間に、スペーサ層１４が設けられている。スペーサ層１４は、伝導帯下端がｎ型クラッド層１２、ｎ型グレーデッド層１３、ガイド層１５および活性層１６の伝導帯下端よりも高い準位となるようなバンド構造を有しており、ｎ型クラッド層１２と活性層１６とのタイプＩＩ発光を抑制するような材料および厚さにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型クラッド層における電子の溢れ出しを抑制し、温度特性を向上させると共に、活性層への光閉じ込めが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓからなる基板１０上に、Ａｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｎ型クラッド層１２、ＧａＩｎＰからなる活性層１３、およびＡｌ_ｘＧａ_1-xＰからなるｐ型クラッド層１５を有する。活性層１３とｐ型クラッド層１５との間にＧａＰからなる電子障壁層１４が設けられる。クラッド層と活性層との間の屈折率差を確保することができると同時に、伝導帯におけるバンド不連続を大きくとることができる。 （もっと読む）

【課題】高い効率と高い出力を有する半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】本発明のレーザダイオードは、導波領域を内部に有する半導体材料からなる本体を含んでいる。この導波領域は、約５×１０^１６／ｃｍ^３以下のドーピングレベルを有するように、意図的なドーピングが行われていない。導波領域の内部には、光子の光モードを発生させる手段、例えば少なくとも一つの量子井戸量域、が存在している。導波領域の両側には、反対の導電型のクラッド領域が位置している。少なくとも５００ナノメートルである導波領域の厚さ、ならびに導波領域およびクラッド領域の組成は、発生する光モードが導波領域からクラッド領域に約５％を超えて重畳しない程度に導波領域中の光モードを閉じ込めるものである。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を検出するための検出器を別に設ける必要がない半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０は、基板１と、キャビティ２と、正極電極４と、負極電極５と、観測部６と、電流源７とを備える。キャビティ２は、基板１上に設けられる。そして、キャビティ２は、活性層を含み、レーザ光を出射する。正極電極５は、リング形状からなる平面形状を有し、キャビティ２上に形成される。負極電極５は、基板１の裏面に形成される。観測部６は、一部の正極電極４を切り欠くように形成される。そして、半導体レーザ１０の操作者は、発振したレーザ光を観測部６を通して観測する。電流源７は、観測結果に応じた指示Ｃｏｍを受け、その受けた指示Ｃｏｍによって指定された発振モードで半導体レーザ１０を発振させるための電流を正極電極４へ供給する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のアスペクト比が大きく、基本モードでの発光から１次モードでの発光に移行するキンクレベルが高く、光出力効率（ｄＰ／ｄＩ）の変化が小さい半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成された活性層と、活性層の一方の面に積層された第１ガイド層と、第１ガイド層に積層され、少なくとも一部に電流狭窄部が形成された第１クラッド層と、活性層の他方の面に積層された第２ガイド層と、第２ガイド層に積層された第２クラッド層と、第２クラッド層に積層されたコンタクト層とを含む半導体レーザにおいて、第１ガイド層の有する正規化周波数を、第２ガイド層の有する正規化周波数より大きくし、かつ第２クラッド層の層厚が第１クラッド層の層厚より厚い。 （もっと読む）

【課題】ガリウム、砒素および窒素をIII−Ｖ化合物から成る半導体層を有する活性領域の歪みを調整可能な構造を有する半導体光素子が提供される。
【解決手段】半導体光素子１１では、第１のクラッド層１５は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体から成り、また基板１３上に設けられている。第２のクラッド層１７は、第２導電型III−Ｖ化合物半導体から成る。活性領域１９は、第１のクラッド層１５と第２のクラッド層１７との間に設けられている。活性領域１９は、ガリウム、砒素及び窒素をIII−Ｖ化合物半導体から成る半導体層２１を有する。第１のクラッド層１５の第１導電型III−Ｖ化合物半導体は、基板１３と第１のクラッド層１５との界面において、ＧａＡｓ半導体に格子整合する。第１のクラッド層１５の第１導電型III−Ｖ化合物半導体は、活性領域１９と第１のクラッド層１５との界面で、第１のIII−Ｖ化合物半導体に格子整合する。 （もっと読む）

【課題】素子特性の低下を抑制することが可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】この半導体素子（窒化物系半導体レーザ素子）は、２種類の３族元素であるＡｌおよびＧａと窒素とからなるＡｌＧａＮ基板１と活性層５との間に、ＡｌＧａＮ基板１と同一の構成元素からなるとともに、Ａｌ_０．０７Ｇａ_０．９３ＮからなるＡｌＧａＮ基板１のＡｌ組成比（７％）より高いＡｌ組成比（１５％）を有するＡｌ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎからなる高Ａｌ組成層２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
ＩｎＮ結晶及びＩｎＮを主成分とする混晶を含む活性層を備え、より高性能な光電変換機能素子を提供すること。
【解決手段】
ｐ型のＧａＮクラッド層、ＩｎＮ活性層、ｎ型のＩｎＮを主成分とする混晶を含むクラッド層の順に積層されてなる光電変換機能素子とする。また、ＩｎＮ活性層と、ｐ型のＧａＮクラッド層との間に、ＩｎＮを主成分とする混晶を含む中間層を有してなることを特徴とする光電変換機能素子とする。 （もっと読む）

【課題】素子不良の発生を防ぐことができて、その上、半導体レーザ素子の信頼性を向上でき、半導体レーザ素子の電気抵抗を下げることができる半導体レーザ素子の製造方法及びその半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レジストパターン２４をエッチング用マスクとして用いるエッチングを行うことにより、Ｉｎ_０．５Ｇａ_０．５Ｐ選択除去層１０の上面上にある誘電体膜を除去して、Ｉｎ_０．５Ｇａ_０．５Ｐ選択除去層１０の上面の全部を露出させる。Ｉｎ_０．５Ｇａ_０．５Ｐ選択除去層１０を除去することによって、Ｉｎ_０．５Ｇａ_０．５Ｐ選択除去層１０の上面に誘電体膜の残留があっても、この誘電体膜の残留をＩｎ_０．５Ｇａ_０．５Ｐ選択除去層１０と共に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】活性領域の平坦性が得やすい分布帰還型回折格子を含むIII−Ｖ化合物半導体光素子を提供する。
【解決手段】活性領域９は、ｎ型ＩｎＰ半導体領域５とｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層７とから構成される分布帰還型の回折格子１１に光学的に結合されている。回折格子１１がｎ型ＩｎＰ半導体領域５とｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層７からなるので、回折格子１１を作製する際に生じる可能性のあるｎ型不純物のコンタミネーションの影響やヘテロ障壁に起因する抵抗の影響を受けにくい。回折格子１１では、ｎ型ＩｎＰ半導体領域５とｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層７との屈折率差△ｎは、ＩｎＧａＡｓＰ層とＩｎＰ層とから成る回折格子の屈折率差より大きいので、ｎ型ＩｎＰ半導体領域５とｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体層７との界面に形成される回折格子のための起伏の高さＨを小さくしても、積△ｎ×Ｈの大きさが著しく小さくなることはない。 （もっと読む）