【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。このＩｎＡｌＧａＮ層は非等方的な歪みを内包する。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子自体の温度が上がっても、偏光角の温度変化を小さく抑えることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】
ｎ型ＧａＡｓ基板１０１から上方に向かって、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層１０４、アンドープＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１０８がこの順で配置されている。この第１クラッド層１０４および第２クラッド層１０６のそれぞれにおいて、多重量子井戸活性層１０５側の部分の基板１０１に対する格子不整合率は、多重量子井戸活性層１０５側とは反対側の部分の基板１０１に対する格子不整合率よりも大きい。これにより、多重量子井戸活性層１０５が発熱しても、多重量子井戸活性層１０５近傍の部分において横方向に縮める応力が作用するようにできる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性向上した半導体基板を実現し、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型電極３２と、ｎ型電極３１と、ｐ型電極３２に接続され、複数のｐ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型積層構造（１６〜２０）と、ｎ型電極３１に接続され、複数のｎ型窒化物系III−Ｖ族化合物半導体であるｎ型積層構造（１１〜１４）と、ｐ型積層構造（１６〜２０）とｎ型積層構造（１１〜１４）との間に形成された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１５とを備え、ｎ型積層構造（１１〜１４）がＳｉを５ｘ１０17ｃｍ-3以上２ｘ１０19ｃｍ-3以下の濃度で含有し、厚さが０．３ｎｍ以上２００ｎｍ以下のドープ層１０と、ドープ層１０よりも活性層１５側に設けられた超格子層１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。
【解決手段】この発明に係るＬＤ４０は、ｎ−半導体基板１２と、このｎ−半導体基板１２上に配設され、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成された第１ｎ−クラッド層４２ａと、この第１ｎ−クラッド層４２ａの上に配設された、ｎ−ＡｌＧａＡｓの第２ｎ−クラッド層４２ｂと、この第２ｎ−クラッド層４２ｂと第１ｎ−クラッド層４２ａとの間に介在し、第１ｎ−クラッド層４２ａに対応してｎ−ＡｌＧａＡｓＰで形成され、ＩＩＩ属元素のＡｌ、Ｇａは第２ｎ−クラッド層４２ｂと同じ組成で、Ｖ属元素のＡｓとＰの組成はＰよりもＡｓを多くした挿入層４２ｃと、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】活性層における電力変換効率を悪化させることなく、かつ電極とキャップ層との接触抵抗を低減可能とする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、互いに対向する第１の面１ａ及び第２の面１ｂを有する第１導電型の半導体基板１と、第１の面１ａの上方に形成された第１導電型のクラッド層４と、クラッド層４上に形成された活性層５と、活性層４上に形成された第２導電型のクラッド層６と、クラッド層６の上方に形成された第２導電型のリッジ１２と、リッジ１２上に形成された第１の電極１４と、第２の面１ｂに形成された第２の電極１５と、を備えている。リッジ１２は、多結晶膜又は結晶粒子の集合体膜であり、かつ第１の電極１４に接続する第２導電型の接触抵抗低減化膜１１を備えている。 （もっと読む）

本発明は端面発光半導体レーザーに関している。この半導体レーザーは、放射ビームを生成する活性領域（１）と、前記活性領域（１）にて生成された放射ビームを半導体レーザー内に誘導するのに適した全導波路（８）とを有し、前記全導波路（８）は、第１のｎ型ドープ層（４）と第２のｎ型ドープ層（５）とを含み、前記第２のｎ型ドープ層（５）は第１のｎ型ドープ層（４）と活性領域（１）との間に設けられている。また前記第２のｎ型ドープ層（５）の屈折率ｎ₂は前記第１のｎ型ドープ層（４）の屈折率ｎ₁よりも大きさｄｎだけ大きい。
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【課題】安定で真円に近い近視野像を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｎ-ＩｎＰ基板１０と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第１のＳＣＨ層２と、ＩｎＧａＡｌＡｓ活性層１と、ｉ-ＩｎＧａＡｌＡｓ（０．９５μｍ組成）第２のＳＣＨ層３と、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａと、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）高屈折率層８と、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂと、半導体レーザエピタキシャル膜からなるｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９とを備え、ｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａにこのｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ中に回折格子のｐ‐ＩｎＧａＡｓＰ（１．１μｍ組成）光ガイド層６を形成し、ｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂ及びｐ⁺-ＩｎＧａＡｓＰキャップ層９をリッジに形成し、ｐ-ＩｎＧａＡｓＰ高屈折率層８はｐ-ＩｎＰ第１のクラッド層７ａ及びｐ-ＩｎＰ第２のクラッド層７ｂよりも屈折率を高くした。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の上昇、出力特性のバラつき、これらを同時に抑制した、分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層の端面からレーザ光を出射する分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層上に形成された化合物半導体からなる光ガイド層と、光ガイド層上に形成された化合物半導体からなるクラッド層４とを備えている。クラッド層４は、第１クラッド層４Ａ、第２クラッド層４Ｂ、及び第３クラッド層４Ｃを光ガイド層上に順次積層してなり、第１クラッド層４Ａの表面は周期的な凹凸面を有しており、回折格子が形成されている。ここで、第２クラッド層４Ｂの屈折率は、第１クラッド層４Ａ及び第３クラッド層４Ｃの屈折率のいずれよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】出射光の偏向の応答速度が速い半導体光素子と、該半導体光素子を備え、波長掃引時のモードホップをリアルタイムに抑制することができる波長掃引光源を提供する。
【解決手段】ｎ型半導体基板２１と、ｎ型半導体基板２１上に形成され、光を発し該光を伝搬させる活性層２４を有する発光領域２２と、発光領域２２の活性層２４と光学的に結合され、活性層２４から伝搬された光を伝搬させる導波路層２６を有し、注入される屈折率調整領域注入電流Ｉ_rに応じて導波路層２６の等価屈折率を調整する屈折率調整領域２３と、を備え、屈折率調整領域２３側の出射端面２０ａと導波路層２６の光軸との交差角θ₁が非直角であり、屈折率調整領域注入電流Ｉ_rにより導波路層２６の等価屈折率ｎ₁が調整されることにより、出射端面２０ａから出射された光の出射端面２０ａに対する出射角θ₂が変化される。 （もっと読む）

【課題】 ドループ特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子および半導体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】 Ｉｎ（Ｇａ_(1-x)Ａｌ_x）Ｐ（０＜ｘ＜１）を含むｎ型クラッド層２と、Ｉｎ（Ｇａ_(1-y)Ａｌ_y）Ｐ（０＜ｙ＜１）を含むｐ型クラッド層６と、ｎ型クラッド層２およびｐ型クラッド層６の間に位置する、ＡｌＧａＡｓを含む層からなる活性層４と、を備える半導体レーザ素子Ａであって、ｐ型クラッド層６は、これよりも活性層４から離間した本体層６１よりもＡｌの組成比ｙが大である高Ａｌ含有層６２を有する。 （もっと読む）

【課題】発振閾値電流密度が低く、かつ作製歩留まりの高い窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】量子井戸構造の発光層と、前記発光層の上に設けられたｐ型窒化物半導体層との間に接して、層厚が２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である中間層が形成され、かつ、前記中間層が、ケイ素が添加された第１の窒化物半導体層と、前記第１の窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に接するアンドープの第２の窒化物半導体層とを少なくとも備えた窒化物半導体レーザ素子とする。 （もっと読む）

【課題】 熱飽和現象が抑制された光出力の高い半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、活性層４の下方にＡｌ_ｘ１Ｇａ_１−ｘ１Ａｓからなるｎ型クラッド層２を、活性層４の上方に（Ａｌ_ｘ Ｇａ_１−ｘ ）_ｙ Ｉｎ_１−ｙ Ｐからなる障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６をそれぞれ備えている。障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。活性層４からｐ型クラッド層６へのキャリアのオーバーフローを抑制するとともに、ｎ型クラッド層２に熱伝導率の高い材料を用いて熱飽和現象を抑制することにより、光出力を向上させる。 （もっと読む）

【課題】素子特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、窒化物系半導体からなる活性層５と、活性層５上に形成された上部クラッド層８と、上部クラッド層８の途中の深さまでドライエッチングされることによって形成されたリッジ部１１とを備えている。上部クラッド層８は、ＡｌＧａＮから構成されており、上部クラッド層８中には、屈折率の異なるエッチング終点モニター層８ａが形成されている。このエッチング終点モニター層８ａは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮの組成から構成されており、そのＡｌ組成比ｘは、０．１５以上０．３以下に設定されている。また、上記エッチング終点モニター層８ａは、０．０１５μｍ以上０．０３μｍ以下の厚みに形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有半導体層を有する水平共振器・垂直出射型半導体レーザ素子において、Ａｌ含有半導体層の酸化に起因する光出力特性の劣化を抑制する。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板１０１の主面上には、下層から順に下部クラッド層１０２、活性層１０３および上部クラッド層１０４が積層されている。上部クラッド層１０４は、高濃度のＡｌを含有するＡｌＧａＡｓまたはＡｌＧａＩｎＰで構成されている。上部クラッド層１０４の上部には、上部クラッド層１０４に含まれるＡｌの酸化を防止する機能を兼ね備えた出射面層１０５が形成されており、この出射面層１０５の上部には、電極コンタクト層１０６が形成されている。出射面層１０５は、ＩｎＧａＰで構成されており、電極コンタクト層１０６は、ＧａＡｓで構成されている。 （もっと読む）

【課題】活性層の劣化を抑制することを目的とする。
【解決手段】活性層１０５上に形成されるクラッド層を２段構成にし、活性層１０５に近い方のクラッド層の水素濃度を他方のクラッド層の水素濃度より低くし、さらに、少なくとも活性層１０５に近い方のクラッド層を超格子構造にすることにより、水素の活性層１０５への拡散を抑制することができ、活性層の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増加を抑えつつ、基板モードを低減することで素子特性を向上できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、端面発光型の半導体光素子１であって、ｎ型ＧａＡｓ基板３上に設けられたｎ型下部クラッド層５と、ｎ型下部クラッド層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられたｐ型上部クラッド層１０とを備え、ｎ型ＧａＡｓ基板３は活性層７よりも高いバンドギャップを有し、ｎ型下部クラッド層５は活性層７よりも低いバンドギャップを有する下部クラッド光吸収層４と活性層７よりも高いバンドギャップを有する第１下部クラッド光透過層５ａとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥の発生とリーク電流の発生を防止し、発光効率の飽和が抑制され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体レーザ２と第２の半導体レーザ３とを備え、第１の半導体レーザは、第一クラッド層１２と、第一拡散防止層１３と、第二クラッド層１４と、禁制帯幅がＥ１の第一量子井戸活性層１５とが順に積層されて構成され、第２の半導体レーザは、第四クラッド層２２と、第二拡散防止層２３と、第五クラッド層２４と、禁制帯幅がＥ２の第二量子井戸活性層２５とが順に積層されて構成されている。窓領域における第一拡散防止層と第二クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ１のｐｎ接合が形成され、窓領域における第二拡散防止層と第五クラッド層との間に立ち上がり電圧がＶ２のｐｎ接合が形成され、Ｅ１とＶ１とがＥ１＜ｅ×Ｖ１を満たし、Ｅ２とＶ２とがＥ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減、結晶歪みの抑制およびサイドリーク電流の発生抑制を実現し得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０Ａは、下部電極層１１と、下部電極層１１上に形成された下部クラッド層２３と、下部クラッド層２３上に形成された発光層２４，２５，２７と、電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂと、これら電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂ上に形成された上部クラッド層２８と、上部クラッド層２８上に形成された上部電極層１２Ａとを備える。上部クラッド層２８は、方向１３の分極電界を有する第１電界層２８６と、逆方向１４の分極電界を有する第２電界層２８５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層から拡散されるＺｎが活性層中では低濃度になるようにして、活性層の結晶品質の劣化を低減できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に第1のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、活性層６と、Ｚｎをドープした第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７と、ｐ型エッチング停止層８とが順次積層され、、このｐ型エッチング停止層８上には、Ｚｎをドープした第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９とｐ型ＡｌＧａＩｎＰキャップ層１０とからなるリッジ部１１が形成され、更にｐ型エッチング停止層８上には、リッジ部１１を挟持する一対のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層１２が形成されており、第１のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と活性層６との間に、第１のｎ型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層４よりも低濃度の第２のｎ導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を設けた。 （もっと読む）