【課題】光出力の低減を抑制しつつ比較的に低い閾値電圧で駆動可能な半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子の作製方法とを提供する。
【解決手段】端面発光型の半導体レーザ素子１１であって、六方晶系半導体からなる支持基体１の主面１ａの上に設けられた活性層３と、活性層３上に設けられたｐ型窒化物半導体領域４と、ｐ型窒化物半導体領域４上に設けられたＩＴＯ電極５ａと、を備え、ｐ型窒化物半導体領域４のｐ側クラッド層４ｃは、０．１８μｍ以上０．２２μｍ以下の範囲の膜厚を有し、ＩＴＯ電極５ａは、活性層３の発振波長の光に対し２．５×１０^３ｃｍ^−１以上３．０×１０^３ｃｍ^−１以下の光吸収係数を有する。 （もっと読む）

【課題】迷光を抑制し、かつ発光強度を向上させることができるリッジ型半導体レーザ素子を得る。
【解決手段】半導体基板１上に下クラッド層２、活性層３、及び上クラッド層４が順に積層されている。上クラッド層４にリッジ５が設けられ、リッジ５の両側に凹部６が設けられている。凹部６の底面に回折格子７が設けられている。リッジ５の上面にｐ電極９が接続されている。このｐ電極９は回折格子７の上方に延在している。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含む化合物半導体とＩｎを含まない化合物半導体とのへテロ界面におけるＩｎの拡散／偏析による変成層を少なくする。
【解決手段】この発明に係るＬＤ４０は、ｎ−半導体基板１２と、このｎ−半導体基板１２上に配設され、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰまたはｎ−ＧａＩｎＰで形成された第１ｎ−クラッド層４２ａと、この第１ｎ−クラッド層４２ａの上に配設された、ｎ−ＡｌＧａＡｓの第２ｎ−クラッド層４２ｂと、この第２ｎ−クラッド層４２ｂと第１ｎ−クラッド層４２ａとの間に介在し、第１ｎ−クラッド層４２ａに対応してｎ−ＡｌＧａＡｓＰで形成され、ＩＩＩ属元素のＡｌ、Ｇａは第２ｎ−クラッド層４２ｂと同じ組成で、Ｖ属元素のＡｓとＰの組成はＰよりもＡｓを多くした挿入層４２ｃと、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】外形が円形状であり、十分なレーザ発振特性を有する半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０では、半導体層１１は外形がリング状であり、活性層１２と、活性層１２の両側に形成された第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂと、第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂ上に形成された第１および第２コンタクト層１５ａ、１５ｂと、第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂの外周側壁および内周側壁が選択的に改質され、第１および第２クラッド層１４ａ、１４ｂの屈折率より低い屈折率を有する第１および第２改質層１４ｃ、１４ｄを含んでいる。第１および第２電極１７、１９が、第１および第２コンタクト層１５ａ、１５ｂに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】高出力化を図ることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、窒化物系半導体からなる活性層５と、その活性層５上に形成され、窒化物系半導体からなるｐ型クラッド層８とを備えている。そして、ｐ型クラッド層８内の活性層５側の領域の屈折率がｐ型クラッド層８内の活性層５側とは反対側の領域の屈折率よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制することのできる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】主面１０１ａを有する窒化物半導体基板と、主面１０１ａ上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層１０５と、活性層１０５上に形成された第２導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層と活性層１０５との間、活性層１０５と第２導電型クラッド層との間、第１導電型クラッド層中、および第２導電型クラッド層中のいずれかに形成された電流狭窄層１０９とを備えている。窒化物半導体基板の主面１００ａは、｛０００１｝面から傾斜した面であり、第２導電型クラッド層は、超格子構造を有する超格子層１１１を含む。 （もっと読む）

【課題】キャリア密度の精密な制御が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶基板１０５と、対称性６ｍｍの六方晶系結晶から構成され、単結晶基板１０５上に形成された半導体層１０１と、半導体層１０１上に形成されたソース電極１０２、ドレイン電極１０３及びゲート電極１０４とを備え、半導体層１０１を構成するＧａＮ層１０６及びＡｌＧａＮ層１０７の主面は六方晶系結晶のＣ軸を面内に含み、半導体層１０１内のチャネル領域１０１ａの長手方向は六方晶系結晶のＣ軸と平行である。 （もっと読む）

【課題】劈開が容易で且つ微小リーク電流を抑制した窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。半導体層積層体１００は、光を出射する前方端面１０８と前方端面１０８と反対側の後方端面１０９との間にストライプ状に延びるリッジ部１１０と、リッジ部１１０の両側方に形成された第１溝部１１２と、第１溝部１１２によりリッジ部１１０と分離された台座部１１３と、台座部１１３における前方端面１０８及び後方端面１０９を含む領域にそれぞれ形成され、第１溝部１１２と分離した第２溝部１１４とを有している。第２溝部１１４の深さは、第１溝部１１２よりも深い。 （もっと読む）

【課題】光モード形状の急激な変化による光の散乱ロスを低減することの可能な半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高台部２７がリッジ部２５の両端部の両側面に接しており、その部分において、活性層２２からリッジ部２５の両側面に接する表面までの厚さが共振器端面側で厚く、リッジ部２５の中央側で薄くなっている。これにより、共振器端面側の横方向屈折率分布の方が、リッジ部２５の中央側の横方向屈折率分布よりも緩やかとなっている。高台部２７の両端部において、共振器端面寄りの厚い部分からリッジ部２５の中央寄りの薄い部分にかけて緩やかな傾斜面２７Ａが形成されており、厚さが連続的に変化している。これにより、横方向屈折率分布が、厚い部分から薄い部分にかけて、傾斜面２７Ａの緩やかさに応じた緩やかさで連続して変化しているので、横方向屈折率分布の、共振器方向の変化が緩やかとなる。 （もっと読む）

【課題】単一の基板上に集積される半導体光素子間の電気的な分離性能を緩和可能な構造を有する集積化半導体光素子を提供する。
【解決手段】集積化半導体光素子１１では、第１のクラッド層１５は第１導電型半導体からなる。第１の半導体光素子１１ａのための第１の活性層１７は、主面１３ａの第１のエリア１３ｃ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。第２の半導体光素子１１ｂのための第２の活性層１９は、主面１３ａの第２のエリア１３ｄ及び第１のクラッド層１５上に設けられる。第１の活性層１７は第２の活性層１９に突き当て接合されている。第２のクラッド層２１は、第２の活性層１９上に設けられ、第２導電型半導体からなる。第３のクラッド層２３は、第１の活性層１７上に設けられ、第１導電型半導体からなる。第２のクラッド層２１及び第３のクラッド層２３はｐｎ接合２７を構成する。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め及びキャリア閉じ込めを提供できるクラッド層を有するIII族窒化物半導体レーザダイオードを提供する。
【解決手段】（２０−２１）面ＧａＮ基板７１上にｎ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７２を格子緩和するように成長する。ｎ型クラッド層７２上にＧａＮ光ガイド層７３ａを格子緩和するように成長する。光ガイド層７３ａ上に活性層７４、ＧａＮ光ガイド層７３ｂ、Ａｌ_０．１２Ｇａ_０．８８Ｎ電子ブロック層７５及びＧａＮ光ガイド層７３ｃを格子緩和しないように成長する。光ガイド層７３ｃ上にｐ型Ａｌ_０．０８Ｇａ_０．９２Ｎクラッド層７６を格子緩和するように成長する。ｐ型クラッド層７６上にｐ型ＧａＮコンタクト層７７を格子緩和しないように成長して、半導体レーザ１１ａを作製する。接合７８ａ〜７８ｃの転位密度は他の接合における転位密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】非極性面上に形成される発光素子において光閉じ込め性を向上できると共に転位による光学ロスを低減できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】コア半導体領域１５、第１クラッド領域１７及び第２クラッド領域１９はＧａＮの支持基体１３の非極性の主面１３ａ上に搭載される。コア半導体領域１５は活性層２１及びキャリアブロック層２３を含む。第１クラッド領域１７はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６を含む。ｎ型ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５と活性層２１との間に設けられる。界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度は界面２７ａにおけるミスフィット転位密度より大きい。ＡｌＧａＮクラッド層２５はＧａＮ支持基体１３に対して格子緩和し、ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６はＡｌＧａＮクラッド層２５に対して格子緩和している。 （もっと読む）

【課題】トレンチから基板の裏面にかけて連続的に金属膜を形成することなく、クラッド層の薄膜化と高Ａｌ組成化とを実現して、クラックフリーの半導体発光素子を提供する。
【解決手段】導電性基板１と、導電性基板１上に形成された窒化物半導体からなる第１導電型の第１クラッド層２と、第１クラッド層２上に形成された活性層４と、活性層４上に形成された第２導電型の第２クラッド層６とを備え、第２クラッド層６に光導波路７が形成される。光導波路７の少なくとも真下における導電性基板１には、導電性基板１を貫通する溝が形成される。 （もっと読む）

【課題】再生系光ディスクシステムの光源に十分に使用可能な、安定した自励発振特性を有するIII族窒化物からなる半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１の上に形成され、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮからなるｎ型クラッド層１３と、ｎ型クラッド層１３の上に形成されたＭＱＷ活性層１５と、ＭＱＷ活性層１５の上に形成され、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮからなるｐ型クラッド層１９と、ｐ型クラッド層１９の上に形成されたｐ型コンタクト層２０と、基板１１とｎ型クラッド層１３の間に形成され、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＮからなるｎ型反射抑制層１２とを有している。ｎ型クラッド層１３におけるＡｌ組成ｘ、ｐ型クラッド層１９におけるＡｌ組成ｙ及びｎ型反射抑制層１２におけるＡｌ組成ｚは、ｘ＜ｚで且つｙ＜ｚの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減、結晶歪みの抑制およびサイドリーク電流の発生抑制を実現し得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０Ａは、下部電極層１１と、下部電極層１１上に形成された下部クラッド層２３と、下部クラッド層２３上に形成された発光層２４，２５，２７と、電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂと、これら電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂ上に形成された上部クラッド層２８と、上部クラッド層２８上に形成された上部電極層１２Ａとを備える。上部クラッド層２８は、方向１３の分極電界を有する第１電界層２８６と、逆方向１４の分極電界を有する第２電界層２８５とを含む。 （もっと読む）

【課題】偏光方向が安定した面発光型半導体レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と、活性層と、選択酸化層と、上部反射鏡と、活性層と選択酸化層と上部反射鏡においてメサ構造が形成されており、上部電極と下部電極の間に電流を流すことにより、半導体基板面に対し垂直にレーザー光を発する面発光型半導体レーザーにおいて、半導体基板は、（１００）面を傾斜させた面を表面とするものであって、活性層は、基板に対し圧縮歪みを有する量子井戸層と、スペーサ層により構成されており、スペーサ層は、ＩｎＰに、Ａｌ、Ｇａ、Ａｓのうち1又は2以上の材料を加えた材料により構成されるものであって、半導体基板に対し圧縮歪みを有することを特徴とする面発光型半導体レーザーを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

電気的励起レーザシステム及びその方法が開示される。システムは、シリコンのマイクロリング共振器を含む。III−Ｖ族半導体材料から形成された量子井戸は、マイクロリング共振器と光学的に結合されて光学利得を提供する。III−Ｖ族半導体材料から形成され、第１のタイプのキャリアでドーピングされた台形バッファが量子井戸に光学的に結合される。リング電極が台形バッファに結合される。台形バッファにより、リング電極がマイクロリング共振器の光学モードから実質的に分離されることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】外周部分のクラッド層とコア層の屈折率差をフォトニックバンドギャップの形成に十分な大きさとし、活性部分のクラッド層の抵抗を下げた、波長が１．３μｍおよび１．５５μｍの半導体レーザを提供する。
【解決手段】光を発生する活性部分と、発生した光からレーザ光を得るための共振器の外周部分とを同一基板上に形成する。基板１１はＩｎＰ基板である。活性部分は、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第１導電型のクラッド層１２と、ＡｌＧａＩｎＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰからなる活性層を含むコア層２１と、ＡｌＩｎＡｓまたはＡｌＧａＩｎＡｓからなる第２導電型のクラッド層１７とを有する。外周部分は、第１導電型のクラッド層を酸化した第１のクラッド層２２と、コア層２７と、第２導電型のクラッド層を酸化した第２のクラッド層２５とを有する。外周部分に、所定の周期で複数の空孔２６が配列された２次元フォトニック結晶を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体を使って、発光効率が高く、スペクトル線幅の狭い青色乃至紫色発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは下側クラッド層と、前記下側クラッド層上に形成された窒化物半導体よりなる発光層と、前記発光層上に形成された上側クラッド層と、前記下側クラッド層に接触した下側オーミック電極と、前記上側クラッド層に接触し、光学窓を形成された上側オーミック電極と、を含み、前記下側クラッド層と前記発光層と前記上側クラッド層とは、マイクロキャビティを形成している。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＡｌＧａＮ系超格子構造の低抵抗化を実現できる化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造を提供する。
【解決手段】ホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＡｌＧａＮ層とホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＧａＮ層とが交互に積層された、Ｍｇを含有しｐ型導電性を示すＡｌＧａＮ系超格子構造を備えた化合物半導体の製造方法において、前記ＡｌＧａＮ層の成長時にはＭｇ原料を供給せず、前記ＧａＮ層の成長時に供給するＭｇ原料の供給時間ｔ_Ｍｇを前記ＧａＮ層の成長時間ｔ_Ｗよりも短く設定する。 （もっと読む）