【課題】容量を低減しつつ熱衝撃に強い半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】レーザ光を出力するレーザ素子であって、基板２０と、基板２０の表面と垂直な方向に順次形成された下部反射層３０及び上部反射層９０と、下部反射層３０及び上部反射層９０の間に形成された活性層５０と、活性層５０に流れる電流を狭窄する電流狭窄層７０とを備え、電流狭窄層７０は、基板２０の表面と平行な平行面における電流狭窄層７０の端部から、平行面に沿って電流狭窄層の中心に向かう方向に延伸して形成され、中心側に設けられた先端部と端部との間に屈曲点が無いか、または、複数の屈曲点が形成された酸化層を有するレーザ素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】温度変動による共振波長の変動を低減したレーザ素子を提供する。
【解決手段】基板と、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部と、基板の表面と垂直な方向に順次形成され、内部光の少なくとも一部を反射させることで内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを備え、共振部は、下部反射層および上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、活性層に正孔を注入するｐ型クラッド層、および、活性層に電子を注入するｎ型クラッド層を含む半導体層と、下部反射層および上部反射層の間に、共振方向において半導体層と直列に設けられ、半導体層とは熱光学係数の符号が異なる調整層とを有するレーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】高コスト化を招くことなく、放熱性及び耐腐食性に優れた面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 下部半導体ＤＢＲは、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａと第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂから構成され、共振器構造体に近い第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂは、ｎ−Ａｌ_０．９８Ｇａ_０．０２Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを３ペア有している。そして、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、３λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。また、第２下部半導体ＤＢＲ１０３ｂの低屈折率層は、第１下部半導体ＤＢＲ１０３ａの低屈折率層であるｎ−ＡｌＡｓと高屈折率層であるｎ−Ａｌ_０．３Ｇａ_０．７Ａｓとの間の熱抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ層の回折格子が形成された界面で非発光再結合が生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板１０上に設けられ、ＧａＡｓのバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを少なくとも一部に有する活性層１８と、活性層１８上に設けられ、活性層１８から発振される光を伝搬する導波路であるＧａＡｓ層（ＧａＡｓ導波路層２０及び回折格子層２２）と、回折格子層２２の上面に設けられた回折格子２６と、回折格子２６を埋め込むように設けられた埋め込み層２４と、活性層１８と回折格子２６との間に設けられ、活性層１８から回折格子層２２と埋め込み層２４との界面へのキャリアのオーバーフローを抑制するキャリアストップ層３４と、を備える半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化が可能な面発光レーザを提供すること。
【解決手段】基板上に形成された下部多層膜反射鏡と、下部多層膜反射鏡上に形成された第１導電型コンタクト層と、第１導電型コンタクト層上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型クラッド層と、第２導電型クラッド層上に形成された電流狭窄部を有する電流狭窄層と、第２導電型高導電率層上に形成された第２導電型コンタクト層と、第２導電型コンタクト層上に形成された上部多層膜反射鏡と、第２導電型コンタクト層上に形成された第２導電型側電極と、第１導電型コンタクト層上に形成された第１導電型側電極と、を備え、２５℃〜９０℃の環境温度の変化に対して、４ｄＢ以上の消光比を取る為の変調時のバイアス電流を中心とする変調領域での微分抵抗の変動量が１５Ω以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザでは、温度にはほとんど依存せずに、内部での光パワーの量、即ち外部で観測される光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有するものがある。光出力量が大きいほど進行する初期故障モードのスクリーニングが不十分であり、初期故障率が従来の活性層材料を有する半導体レーザに比べてやや高めである。
【解決手段】製造工程中に室温などの平均的な動作温度に比べて低い温度での大光出力の試験を取り入れることが有効である。これにより、光出力量が大きいほど進行する初期故障モードを有する素子を排除し、期待寿命を延ばす。 （もっと読む）

【課題】活性層から発するレーザ光の電極間共振を抑えて電気変換効率を十分に高くすることのできる半導体レーザ装置を得る。
【解決手段】基板２ａおよび活性層５を有し、活性層５から発するレーザ光のエネルギーが、基板２ａのバンドギャップエネルギーよりも小さい値に設定された半導体レーザ装置において、基板２ａのキャリア濃度は、２．２×１０^１８ｃｍ^−３以上に設定されている。 （もっと読む）

【課題】自励発振特性と通常の半導体レーザとしての特性とを両立した分離電極タイプの窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、基板上に、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、ｎ側電極、ｐ側電極、および共振器を少なくとも含み、該ｎ側電極は、該ｎ型半導体層または該基板に接触し、該ｐ側電極は、該ｐ型半導体層または該基板に接触し、該ｐ側電極および該ｎ側電極の少なくとも一方は、該共振器の長手方向に対して交差する分割領域によって電気的に２領域以上に分離されており、該活性層は、複数の井戸層を含む多重量子井戸構造を有し、該複数の井戸層のうち、該ｎ型半導体層に最も近くなる側に位置する井戸層は、該ｐ型半導体層に最も近くなる側に位置する井戸層に比べて層厚が薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半極性の主面上に形成される長波長のIII族窒化物半導体レーザダイオードおいて、活性層の結晶品質の低下を抑制しつつ、安定した発振モードを得る。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザダイオード１１は、半極性の主面１３ａを有するIII族窒化物基板１３と、Ａｌを含むIII族窒化物からなるｎ型クラッド層１５と、活性層１７と、Ａｌを含むIII族窒化物からなるｐ型クラッド層１９と、ｎ型クラッド層１５と活性層１７との間に設けられた第１光ガイド層２１と、ｐ型クラッド層１９と活性層１７との間に設けられた第２光ガイド層２３とを備える。光ガイド層２１，２３は、ＧａＮからなる第１の層３１，３５と、ＩｎＧａＮからなる第２の層３３，３７とを含み、各光ガイド層２１，２３における第１及び第２の層の合計厚さは０．１［μｍ］より大きい。 （もっと読む）

【課題】フォトルミネッセンス強度が高い井戸層を有する量子井戸構造、半導体レーザ、フォトルミネッセンス強度が高い化合物半導体層を製造する方法及び化合物半導体層のフォトルミネッセンス強度を用いてＭＢＥ装置の状態を管理する方法を提供する。
【解決手段】量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板と、前記基板上に形成された、Ａｌ_xＧａ_1−xＡｓ（０．８≦ｘ≦１）からなる低屈折率層とＡｌ_yＧａ_1−yＡｓ（０≦ｙ＜ｘ）からなる高屈折率層との周期構造から形成され、かつ該低屈折率層および高屈折率層の少なくとも１層がｎ型である下部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡の上側に設けられた、低屈折率層と高屈折率層との周期構造から形成される上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に設けられた活性層と、少なくとも前記下部多層膜反射鏡と前記活性層との間に設けられた、前記活性層に電流を注入するための下部電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】閾値電流が低く、スロープ効率の高い面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】基板上に、活性層を挟んで配置された下部多層膜反射鏡と上部多層膜反射鏡とによって構成される光共振器構造を有する、ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる面発光レーザ素子であって、光が存在あるいは通過する領域に配置され、Ｃが添加されるとともに、前記Ｃの添加によって発生する前記基板に対する引っ張り歪を補償して該基板に対する圧縮歪を発生させる量の歪補償元素を結晶組成として含むｐ型半導体層を備える。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりが高い一次元アレイ素子の製造方法および信頼性が高い一次元アレイ素子を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料からなる一次元アレイ素子の製造方法であって、エピタキシャル成長を用いて、主表面として（１００）面を有する基板の該主表面上に、素子領域中の一部に活性領域を有する単一素子を＜０１１＞方向に対してゼロよりも大きい角度をなす配列方向に複数配列して構成した一次元アレイ素子を複数形成し、該形成した一次元アレイ素子を素子分離する。 （もっと読む）

【課題】Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】Ｎソースガスを時刻ｔ２で急激に増加して、時刻ｔ２１において定常値に到達する。時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。また、時刻ｔ２にＩｎソースガスの供給を開始した後に、Ｉｎソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻ｔ２２において定常値に到達する。この実施例では、Ｉｎソースガスが時刻ｔ２２で定常値に到達するが、この時刻は、時刻ｔ２１よりも遅い時刻である。時刻ｔ２と時刻ｔ２２との差は時間△ｔ２０である。時間△ｔ２０は時間△ｔ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】メサポストの側面に形成される引出し配線から、メサポスト内の積層に引加される応力を低減する。
【解決手段】メサポスト１２２の側面を、逆テーパ形状又は庇形状の側面として、側面の上部が下部よりも突出する構造に形成する。引出し配線１２０を、基板と垂直の方向からのビームで堆積する平行平板方式のスパッタリングと、基板と斜め方向からのビームで堆積するプラネタリー方式のスパッタリングとの２段階で堆積する。引出し配線１２０とメサポスト１２２の側面との間に、空隙１３０が形成され、引出し配線１２０からメサポスト１２２の側面に引加される応力が低減する。 （もっと読む）

【課題】生産性、信頼性に優れる面発光レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、第１のＤＢＲ層と、半導体層の酸化により形成された誘電体層を有する第２のＤＢＲ層と、前記第１のＤＢＲ層と前記第２のＤＢＲ層との間に形成された活性層と、前記活性層に流入する電流を狭窄するために、電流狭窄用半導体層の酸化により形成された酸化狭窄層と、を備え、前記第２のＤＢＲ層の前記半導体層の酸化速度が、前記電流狭窄用半導体層の酸化速度よりも小さいことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】トータルのデバイス長が短い集積型光デバイスを搭載することで小型な光モジュールを実現する。
【解決手段】第１導波路型光素子部と第２導波路型光素子部とを、基板に垂直な方向に集積することで素子長の短い集積型光デバイスを実現する。第１導波路型光素子部と第２導波路型光素子部の光学的な結合には、それぞれに集積形成した４５°傾斜全反射ミラーを用いる。即ち、第１導波路型光素子部で生成した光は第１導波路型光素子部の端部に形成された全反射ミラーで上方に折れ曲がり、この光を第２導波路型光素子部の端部に形成された４５°傾斜全反射ミラーで全反射して第２導波路型光素子部に結合する。また、第１導波路型光素子部は、基板面に垂直な方向に光を出射する光出射部分に出射光を集束するレンズ素子を有し、第２導波路型光素子部は、基板面に垂直な方向から光が入射する光入射部分に入射光を集光するレンズ素子を有する。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザの信頼性及び電流注入効率を向上する。
【解決手段】面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。上部半導体積層は、１×１０¹⁹cm^-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−Ｖ族半導体からなる炭素ドープ層１１５を活性層１０５の近傍に有する。炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。積層方向において電流狭窄部に隣接する領域の水素濃度が、電流狭窄部の水素濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄領域内に実質的に均一に電流を注入することを可能にする。
【解決手段】基板１と、半導体活性層４と、半導体活性層４に対して基板と反対側に設けられた第１半導体多層膜反射鏡層６および半導体活性層４に対して基板側に設けられた第２半導体多層膜反射鏡層２と、電流狭窄領域９と、半導体活性層は反対側の第１半導体多層膜反射鏡層上に、電流狭窄領域を覆うように設けられた半導体電流拡散層７と、反対側の半導体電流拡散層上に電流狭窄領域を取り囲むように設けられた第１電極１１および基板の半導体活性層と反対側に設けられた第２電極１３を有し、半導体電流拡散層は、第１および第２半導体電流拡散膜が積層された構造を有し、半導体活性層により近い半導体電流拡散膜７１は、電流狭窄領域の中心から遠い周辺部分が電流狭窄領域の中心に近い中央部分に比べて抵抗が高く、かつ活性層から遠い半導体電流拡散膜７２と比べて抵抗を高くする。 （もっと読む）

【課題】活性層の平坦性を高くすると共に、表面酸化しないクラッド層を備えた光半導体素子とする。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１０２上に、ＩｎＧａＡｓバッファ層１２１と、格子緩和したＩｎＧａＡｓ１２２を形成して擬似的なＩｎＧａＡｓ基板する。この基板上に、量子井戸層１３１を下クラッド層１１１と上クラッド層１１３で挟んだ半導体構造を構成する。このとき、下クラッド層１１１をＩｎＡｌＧａＡｓとして活性層の平坦性を高くし、上クラッド層１１３をＩｎＧａＰとして表面酸化（劣化）せず信頼性を向上した。 （もっと読む）