【課題】温度特性に優れた長波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。発振時のＩｎＧａＡｓＰバリア層及びＩｎＧａＡｓＰガイド層のキャリア密度を２×１０^１７／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂層に埋め込まれたストライプ状構造部を有する半導体レーザ素子の製造方法であって、配線の段切れを低減することが可能な半導体レーザ素子の製造方法等を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は、リッジ導波路１７Ｒを形成する工程と、保護層２５を形成する工程と、リッジ導波路１７Ｒを埋め込むようにベンゾシクロブテンからなる樹脂層２７を形成する工程と、開口２９Ｐを有するレジスト層２９を樹脂層２７上に形成する工程と、樹脂層２７を保護層２５が露出しない深さだけエッチングする工程と、レジスト層２９の開口２９Ｐをリッジ導波路１７Ｒの延び方向と直交する方向に拡大する工程と、樹脂層２７をエッチングして保護層２５を露出させる工程と、保護層２５をエッチングすることにより、リッジ導波路１７Ｒの表面１７ＲＳを露出させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層の結晶性をより向上させ得るIII−Ｖ族化合物半導体層の製造方法、半導体光素子の製造方法、および半導体光素子を提供する。
【解決手段】Ｎ原子を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を製造する方法であって、III−Ｖ族化合物半導体層を構成する半導体結晶を半導体基板上に成長させてエピタキシャルウェハ１を形成する工程と、エピタキシャルウェハ１上におもり１０４を載せることで該半導体結晶に対して荷重を付与しつつ、該半導体結晶に対しその成長温度より高い温度で熱処理を行うアニール工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】発振しきい値電流が小さい面発光レーザ素子の製造方法および面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】垂直共振器型の面発光レーザ素子の製造方法であって、基板上に下部多層膜反射鏡を積層し、前記下部多層膜反射鏡上に活性層を含む複数の半導体層を積層する積層工程と、前記積層した半導体層上に金属からなり中心に開口部を有する円環電極を形成する円環電極形成工程と、前記形成した円環電極をマスクとして前記積層した半導体層をメサポスト状にエッチングするメサポスト形成工程と、前記形成したメサポストに、電気抵抗が増大するような前記円環電極の意図しない変質を伴う熱処理を施す熱処理工程と、前記円環電極に周方向に沿って接触する環状または円弧状の接触部を設けた引き出し電極を形成する引き出し電極形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１４と、発光層１５と、ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層１６とを含み、発光層１５は、障壁層３０ａ／井戸層３１／障壁層３０ｂ／井戸層３１／障壁層３０ｂ／井戸層３１／障壁層３０ｃの順に積層されている。そして、井戸層３１は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であり、少なくとも井戸層３１に挟まれた障壁層３０ｂは、井戸層３１のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層３３ｂと、ＧａＮ層３２ｂとを含み、ＩｎＧａＮ層３３ｂが一方の井戸層３１に接し、ＧａＮ層３２ｂがもう一方の井戸層に接する構成とする。 （もっと読む）

【課題】単一横モード発振が可能で、低いしきい値電流、低い素子抵抗を実現する面発光半導体レーザを歩留まり高く製造する。
【解決手段】面発光レーザは、下部多層膜反射鏡、ｎ型コンタクト層、活性層、ｐ型コンタクト層、及び、上部多層膜反射鏡を備える。上部多層膜反射鏡の多層膜中の最下層には、複数の空孔が２次元周期的に配列された２次元空孔配列が形成される。その上に上部多層膜反射鏡の多層膜が積層され、２次元空孔配列の形状が部分的に保持されて、周期的な屈折率の２次元分布が得られる。この屈折率の２次元分布は、中央の空孔が形成されない点欠陥に対しクラッドとして働き、光を点欠陥に閉じ込める。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子における内部電界を最小限に止め、高い発光効率を有する長波長の窒化物半導体レーザ素子を実現することを目的とする。
【解決手段】Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ≦１）からなる層を含む窒化物半導体層と、該窒化物半導体層上に形成されたＩｎ_yＧａ_1-yＮ（０＜ｙ≦１）からなる層を含む活性層とを備える窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体層の成長面が、Ｃ面｛０００１｝とのなす角度がθである面を含み、かつ前記窒化物半導体層及び活性層が、 ｘ＞（5.3049−0.09971θ＋0.0005496θ²）ｙ＋（−0.74714＋0.01998θ−0.00012855θ²)を満足する組成である窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】水素の取込量を低減可能な、窒素と他のＶ族原子とを構成元素として含むIII−Ｖ化合物半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０３で厚さ１．５μｍのｎ型のＡｌＧａＡｓクラッド層を成長する。工程Ｓ１０５でＡｌＧａＡｓクラッド層上に活性層を成長する。具体的には、工程Ｓ１０５−１で厚さ１４０ｎｍのアンドープＧａＡｓガイド層を成長し、工程Ｓ１０５−２で、レーザ光の照射をしながら厚さ７ｎｍのアンドープのＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長し、工程Ｓ１０５−３で厚さ８ｎｍのアンドープのＧａＡｓ障壁層を成長し、工程Ｓ１０５−４で、レーザ光の照射をしながら厚さ７ｎｍのアンドープＧａＩｎＮＡｓ井戸層を成長し、工程Ｓ１０５−５で厚さ１４０ｎｍのアンドープのＧａＡｓガイド層を成長する。工程Ｓ１０７で、活性層上に、厚さ１．５μｍのｐ型のＡｌＧａＡｓクラッド層を成長する。 （もっと読む）

【課題】内部の結晶欠陥が低減されるとともに応力の緩和された窒化物半導体レーザ素子に適した窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体２２を含む窒化物半導体基板１０には、以下の（１）の転位集中領域２４、および（２）の低転位領域が含まれている。その上、かかる窒化物半導体基板１０の表面は、（０００１）面から０．２°〜１°の範囲のオフ角度を有している。（１）ストライプ状の高密度の欠陥領域を底とするとともに、その底の両側にファセット面２３から成る斜面を形成することでＶ字型とし、そのファセット面２３の斜面を維持させながら成長させることにより、その斜面の下部に結晶欠陥を集中させることで、ストライプ状になり、さらに、種々の状態になっている転位集中領域２４。（２）転位集中領域２４を除く領域である低転位領域。 （もっと読む）

【課題】希土類元素イオンが添加された固体レーザー結晶を、レーザーダイオードによって励起してレーザービームを発生させるレーザーダイオード励起固体レーザーにおいて、より多くの発振波長を実現する。
【解決手段】Ｓｍ^３＋が添加された固体レーザー結晶13をＧａＮ系レーザーダイオード11によって励起し、該固体レーザー結晶13における ^４Ｇ_５／２ → ^６Ｈ_５／２ 、 ^４Ｇ_５／２ → ^６Ｈ_７／２ 、あるいは ^４Ｆ_３／２ → ^６Ｈ_１１／２ の遷移によって固体レーザービーム16を発生させる。 （もっと読む）

半導体デバイスは、ｎ側導波路層と、ｎ側導波路層と接触する活性層と、活性層と接触するｐ側導波路層とを備える。電子ブロック層が、ｐ側導波路層と接触し、周期表のＩＩＩ族からの２つの元素と、周期表のＶ族からの１つの元素との第１の組成物を含む。クラッド層が、電子ブロック層と接触するクラッド副層を含む。クラッド副層は、周期表のＩＩＩ族からの２つの元素と、周期表のＶ族からの１つの元素との第２の組成物を含む。第２の組成物は、第１の組成物とは異なる。
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【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命と発光強度を改善するとともにクラックの発生を防止する。
【解決手段】 表面が同一材料からなる凹部と凸部を有する基板と、前記基板上に形成された窒化物半導体多層膜構造を備え、前記凸部の上方において、前記窒化物半導体多層膜構造は発光部を有し、前記窒化物半導体多層膜構造は、前記凹部の上方において窪みを含んでおり、前記窪みの幅は、前記凹部の幅よりも狭いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓの格子定数より低い格子定数を有する改善された擬似基板並びにかかる擬似基板を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ製の半導体基板（１）であってその上に半導体層配列（２、１３、１４、３５）が施与された半導体基板であって、該半導体層配列（２、１３、１４、３５）は、Ａｌ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ_１−ｘＰ_ｘ［式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１］からなる多数の半導体層を含み、その際、幾つかの半導体層は、それぞれリン割合ｘを有し、その割合は、半導体層配列の成長方向でその下にある隣接する半導体層中の割合よりも大きいことを特徴とする半導体基板と該基板を含む半導体素子とによって解決される。 （もっと読む）

【課題】 高い光出力が得られるとともに、広い変調帯域を有し高速変調が可能な面発光レーザを提供する。
【解決手段】 正及び負のキャリアを注入する各々１つ以上の電極を有する面発光レーザ本体と、フォトニック結晶レーザとを備え、前記面発光レーザ本体は、前記電極から注入されたキャリアと前記フォトニック結晶レーザからのポンピング光とにより励起されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 順バイアスによる電流を狭窄でき又は逆バイアスによる強い電界を局所的に印加できる簡単な構造を有する半導体光素子を提供する
【解決手段】 半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３、活性層５、第２導電型半導体領域７、第１のＤＢＲ部８ａおよび第２のＤＢＲ部８ｂを備える。第１導電型半導体領域３は、第１導電型のＧａＡｓ半導体基板１１上に設けられる。第２導電型半導体領域７は、第１導電型半導体領域３上に設けられる。活性層５は、第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７との間に設けられる。第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。第１導電型半導体領域３、活性層５、および第２導電型半導体領域７は、第１のＤＢＲ部８ａと第２のＤＢＲ部８ｂとの間に位置している。 （もっと読む）

【課題】 電流−光出力特性を変更可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 半導体光素子１は、第１導電型半導体領域３と、活性層５と、電位制御層２と、第２導電型半導体領域７と、第１のＤＢＲ部８ａと、第２のＤＢＲ部８ｂとを備える。第１導電型半導体領域３、活性層５、電位制御層２および第２導電型半導体領域７は、第１のＤＢＲ部８ａと第２のＤＢＲ部８ｂとの間に位置する。活性層５及び電位制御層２は、第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７との間に設けられる。第１導電型半導体領域３と第２導電型半導体領域７とは、活性層５の周囲において互いにｐｎ接合を構成している。電位制御層２は、第１及び第２導電型半導体領域３、７とは異なるバンドギャップエネルギーを有する。 （もっと読む）

【課題】素子の寿命を改善できる半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性領域１３は、ｐ型半導体層１５とｎ型半導体層１７との間に設けられている。活性領域１３は、一又は複数の障壁層１９と、複数の井戸層２１ａ、２１ｂと、第１の光閉じ込め層２３と、第２の光閉じ込め層２５とを含む。障壁層１９および井戸層２１ａ、２１ｂは、第１の光閉じ込め層２３と第２の光閉じ込め層２５との間に設けられている。井戸層２１ａ、２１ｂは、Ｖ族元素として窒素および砒素を少なくとも含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。障壁層１９、第１および第２の光閉じ込め層２３、２５は、ＧａＡｓ半導体を基準にして負の歪みを有している。障壁層１９、第１および第２の光閉じ込め層２３、２５は、製造上で生じるばらつきを超えて負の歪みを有している。 （もっと読む）

一つ以上のＩＩＩ族窒化物材料領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）を含む半導体構造、及びこのような構造に関連する方法が提供される。ＩＩＩ族窒化物材料領域は転位密度が低いので、特にらせん転位密度が低いので有利である。或る実施形態では、ＩＩＩ族窒化物材料領域のらせん転位をほぼ無くすことができる。ＩＩＩ族窒化物材料領域下での歪吸収層の形成、及び／又は処理条件によってらせん転位を低くすることができる。或る実施形態では、らせん転位が低いＩＩＩ族窒化物材料領域は窒化ガリウム物材料領域を含み、この窒化ガリウム物材料領域は素子の活性領域として機能する。活性領域（例えば、窒化ガリウム物材料領域）のらせん転位を低くすることにより、種々の効果の中でもとりわけ、電子輸送能が高くなり、非放射性再結合が少なくなり、そして組成／成長に関する均一性が高くなって特性（例えば、電気特性及び光学特性）が向上する。
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【課題】複数の波長を発生させる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】所定の波長を有する光を発生させるレーザポンピング素子１００と、レーザポンピング素子１００の外部に位置し、レーザポンピング素子１００で発生した光の一部を透過させてレーザ光として出力し、残りの一部をレーザポンピング素子１００で再吸収されるように反射する外部ミラー部１１３、１１４と、を含む半導体レーザ装置において、レーザポンピング素子１００は、少なくとも２個の波長を有する光を発生させる活性層と、活性層で発生した少なくとも２個の波長を有する光について、最も高い反射率を有する多重帯域反射器と、を含み、活性層は、多重帯域反射器と外部ミラー部１１３、１１４との間の光路に位置する複数の波長を発生させる半導体レーザ装置。 （もっと読む）