【課題】半導体レーザ素子の劈開面の平坦性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、支持基板１と、支持基板１の表面上に形成されるとともに一対の共振器面６０を有する半導体レーザ素子部５０と、支持基板１と半導体レーザ素子部５０とを接着する半田層１４とを備え、半導体レーザ素子部５０の共振器面６０の支持基板１側の端部近傍に、半田層１４が存在しない領域である空隙部７０を有している。 （もっと読む）

【課題】接合強度を十分に維持できると共に、短時間で分離することができる、貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】この貼り合わせ基板の製造方法は、III族窒化物半導体基板及び第１支持基板のうち少なくとも一方上に、表面粗さＲ_ｒｍｓが０．１〜１００００ｎｍの表面を有する第１緩衝膜を形成する工程と、第１緩衝膜を介して、第１支持基板にIII族窒化物半導体基板を貼り合わせる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子から発生する熱を効率的に放散して温度上昇を防止し、特性と信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ等の半導体素子を構成する半導体薄膜１０を直接、高熱伝導特性を有する絶縁膜２上に接合すると共に、半導体薄膜１０の電極と導電性の基板１とをｎ側接続パッド２４によって電気的に接続する構造にしている。そのため、半導体素子から発生する熱が効率的に基板１へ伝導し、半導体素子の温度上昇を防止することができる。しかも、温度上昇を防止することができるので、半導体素子の特性や寿命が劣化することを防止することができ、優れた動作特性を示すと共に、信頼性が高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子層のｐｎ接合部分が電気的に短絡するのを抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体発光素子）５０は、半導体レーザ素子部１０と、所定の金属（たとえばＡｌなど）からなる金属基板３０とを備える。そして、半導体レーザ素子部１０は、金属基板３０の表面で支持されるとともに、金属基板３０の側面は、半導体レーザ素子部１０を支持する側の金属基板３０の表面と鋭角をなす傾斜面３１を有している。 （もっと読む）

【課題】短波長の光を放射又は吸収するよう機能する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体光デバイスの主要部に、高純度の酸化モリブデンが提供される。本発明においては、半導体光デバイスの発光領域又は吸収領域に高純度の酸化モリブデンが用いられる。これにより、深紫外波長領域の光を放射又は吸収できる安価な光デバイスが実現される。 （もっと読む）

【課題】高特性の半導体デバイスを製造することができるＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板、およびＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板を含む半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板は、ＩＩＩ族窒化物半導体層と下地基板とが貼り合わされており、ＩＩＩ族窒化物半導体層の熱膨張係数と下地基板の熱膨張係数との差が４．５×１０^-6Ｋ^-1以下であり、下地基板の熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^-1・Ｋ^-1以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体膜を、窒化物半導体膜のエピタキシャル成長用の基板とは異なる、所望の材質の基板に形成する半導体ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】第一の基板１に第一の窒化物半導体膜２を形成し、第一の窒化物半導体膜２の上に第一の窒化物半導体膜２よりも融点の高い第二の窒化物半導体膜３を形成する。次に、第二の窒化物半導体膜３の表面にキャリアー基板４を貼り合わせ、張り合わせられた第一の基板１、第一の窒化物半導体膜２、第二の窒化物半導体膜３及びキャリアー基板４を含むウェハを、第一の窒化物半導体膜２の融点より高く、かつ第二の窒化物半導体膜３の融点より低い温度で加熱処理して第一の窒化物半導体膜２を融解し、第一の基板１を除去する。更に、キャリアー基板４上に張り合わされた第二の窒化物半導体膜３の表面に第二の基板６を張り合わせ、キャリアー基板４を除去する。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長層中のクラックが抑制された高歩留の半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＮ基板１、ｎ型ＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３、ｎ型ＧａＮガイド層４、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層５、アンドープＧａＮガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＮ電子障壁層７、ｐ型ＧａＮガイド層８、ＳｉＯ₂ブロック層９、透明電極としてのＮｉ／ＩＴＯクラッド層電極１０、Ｔｉ／Ａｕパッド電極１１及びＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ電極１２を備え、ＳｉＯ₂ブロック層９はＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層５上方に位置し、開口部を有し、Ｎｉ／ＩＴＯクラッド層電極１０は開口部内に形成され、ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層５の光を透過させ、クラッド層として機能する。 （もっと読む）

本願では、次のような面放出型の半導体レーザ素子が提供される。すなわち、とりわけ電気ポンピング式の半導体レーザ素子であり、垂直の放出方向を有し、かつレーザ放射を外部の光学的な共振器（４，５）によって生成するために構成されている形式のものにおいて、横方向の主延在方向と、放射生成のために設けられた活性ゾーン（３）とを有する半導体層シーケンス（２）を備えた半導体ボディを有し、該共振器内に放射透過性のコンタクト層（６）が配置されており、該半導体ボディに導電接続されていることを特徴とする、半導体レーザ素子が提供される。
（もっと読む）