【課題】シリコン基板上に形成したクラックおよび転位が少ない高品位の窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施態様によれば、シリコン基板上に下地層と積層中間層と機能層とが形成された後に、前記シリコン基板が除去された窒化物半導体素子が提供される。前記窒化物半導体素子は、前記下地層と、前記積層中間層と、前記積層中間層と、を備える。前記下地層は、ＡｌＮバッファ層とＧａＮ下地層とを含む。前記積層中間層は、前記下地層と前記機能層との間に設けられる。前記積層中間層は、ＡｌＮ中間層と、ＡｌＧａＮ中間層と、ＧａＮ中間層と、を含む。前記ＡｌＧａＮ中間層は、前記ＡｌＮ中間層に接する第１ステップ層を含む。前記第１ステップ層におけるＡｌ組成比は、前記ＡｌＮ中間層から前記第１ステップ層に向かう方向において、ステップ状に減少している。 （もっと読む）

【課題】静電耐圧が高い窒化物半導体発光素子を歩留まりが高く製造する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、成長用基板と、該成長用基板上に形成されたｎ型窒化物半導体層と、該ｎ型窒化物半導体層上に形成された発光層と、該発光層上に形成されたｐ型窒化物半導体層とを有し、ｎ型窒化物半導体層の発光層と接する側の表面から基板に向けて略垂直に延び、直径が２ｎｍ〜２００ｎｍであるパイプ穴を５０００個／ｃｍ²以下有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体メサ部の端面の発光層へのｐ型ドーパントの拡散を抑制することにより通電特性の劣化を抑制可能な構造を有する半導体光素子を提供する。
【解決手段】 半導体光素子１は、発光層２３及びｐ型クラッド層２５とを含む半導体メサ部Ｍと、ｐ型埋め込み領域１３と、を備え、半導体メサ部Ｍは、第１メサ領域Ｍａ及び第２メサ領域Ｍｂ，Ｍｃを有し、第１メサ領域Ｍａは第２メサ領域Ｍｂ及びＭｃ間に位置する。ｐ型クラッド層２５が、第１メサ領域Ｍａ内の第１部分２５_１と、第２メサ領域Ｍｂ，Ｍｃ内の第２部分２５_２とを有する。ｐ型埋め込み領域１３が、第１メサ領域Ｍａの側面上の第１部分１３_１と、第２メサ領域Ｍｂ，Ｍｃの側面上の第２部分１３_２とを有する。ｐ型クラッド層２５及びｐ型埋め込み領域１３の一方において、第２部分のｐ型ドーパントの濃度が第１部分のｐ型ドーパントの濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】ダブルヘテロ構造の活性層中へのドーパントの拡散を抑制することができ、かつ歪み層を形成せずにライフ特性が良好な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなるダブルヘテロ構造および窓層がこの順に形成された化合物半導体基板であって、前記ダブルヘテロ構造は、少なくとも下クラッド層と活性層と上クラッド層からなり、該上クラッド層は、組成が同一の、少なくともドーパント低ドープ層と、ノンドープ層と、前記ドーパント低ドープ層よりドーパント濃度が高いドーパント高ドープ層の３層がこの順に形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】ストライプ両端部での劣化現象を抑制でき、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】一対の電極層４０及び電極層５０と、前記一対の電極層４０及び電極層５０の間に形成され、活性層２０ｃ、光ガイド層２０ｂ、２０ｄ、及びクラッド層２０ａ、２０ｅを含むエピタキシャル層２０と、を有し、前記電極層４０は、前記エピタキシャル層２０と導通するストライプ４１、及び前記ストライプ４１の両側に位置し、前記エピタキシャル層２０との間に絶縁層３０が介在する電流注入部４２を備え、前記電極層４０に直交する方向における前記エピタキシャル層２０の単位面積あたりの抵抗は、前記ストライプ４１の中央部よりも、その端部側で大きいことを特徴とする半導体レーザ素子２００。 （もっと読む）

【課題】横基本モードでレーザ発振し易い、リッジ導波路型ＤＦＢレーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の上側に形成された活性層と、前記活性層の上側に形成された回折格子層と、前記回折格子層の上側に形成された、リッジ状の上部クラッド層を有し、前記上部クラッド層の両脇に於ける前記回折格子層の山と谷の高低差が、前記上部クラッド層の下側に於ける前記回折格子層の山と谷の高低差より小さい半導体レーザ。 （もっと読む）

【課題】測定雰囲気中に含まれる複数の検知対象ガスを検知することができるガス検知装置を提供する。
【解決手段】検知対象ガスを識別するための吸収線の線幅をまたぐように所定の波長幅で波長変調されたレーザ光を出射する半導体発光素子１０と、波長変調されたレーザ光を、検知対象ガスの吸収線を含む波長範囲に亘って波長変調の変調速度より遅い掃引速度で波長掃引する掃引手段１１、１２、１３とを有し、波長掃引されたレーザ光を検知対象ガスを含む測定雰囲気２中に出射する波長掃引光源１と、波長掃引光源１からのレーザ光の出射に伴って測定雰囲気２を通過するレーザ光を受光する受光部３と、受光部３からの電気信号を用いて測定雰囲気２中の検知対象ガスの濃度を測定して当該測定データを出力するガス検知部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層から拡散されるＺｎが活性層中では低濃度になるようにして、活性層の結晶品質の劣化を低減できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に第1のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、活性層６と、Ｚｎをドープした第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７と、ｐ型エッチング停止層８とが順次積層され、、このｐ型エッチング停止層８上には、Ｚｎをドープした第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層９とｐ型ＡｌＧａＩｎＰキャップ層１０とからなるリッジ部１１が形成され、更にｐ型エッチング停止層８上には、リッジ部１１を挟持する一対のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層１２が形成されており、第１のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と活性層６との間に、第１のｎ型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層４よりも低濃度の第２のｎ導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層５を設けた。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＡｌＧａＮ系超格子構造の低抵抗化を実現できる化合物半導体の製造方法、半導体レーザダイオード及びＡｌＧａＮ系超格子構造を提供する。
【解決手段】ホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＡｌＧａＮ層とホールのド・ブロイ波長近傍の膜厚のＧａＮ層とが交互に積層された、Ｍｇを含有しｐ型導電性を示すＡｌＧａＮ系超格子構造を備えた化合物半導体の製造方法において、前記ＡｌＧａＮ層の成長時にはＭｇ原料を供給せず、前記ＧａＮ層の成長時に供給するＭｇ原料の供給時間ｔ_Ｍｇを前記ＧａＮ層の成長時間ｔ_Ｗよりも短く設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、キャリアの閉じ込めを改善するためにデルタドープされた活性領域を有するレーザー構造体を含む。このレーザー構造体は、ｎ型クラッド層、ｎ型クラッド層に隣接して形成されるｎ型導波路層、ｎ型導波路層に隣接して形成される活性領域、活性領域に隣接して形成されるｐ型導波路層、およびｐ型導波路層に隣接して形成されるｐ型クラッド層を含む。レーザー構造体は、ｐ型ドーパント濃度が、活性領域のｎ型側から活性領域を横断して活性領域のｐ型側まで増加し、かつ／またはｎ型ドーパント濃度が、活性領域のｎ型側から活性領域を横断して活性領域のｐ型側まで減少するように構成される。デルタドープされた活性領域は、改善されたキャリアの閉じ込めを提供するとともに、ブロッキング層の必要性をなくし、これによって、ブロッキング層が起こす活性領域に対する応力を減少させる。
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【課題】 ダイヤモンドを用いた紫外発光、かつ大出力の発光素子を実現する。
【解決手段】 ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の間に、ダイヤモンドより大きな原子間距離で結合する不純物元素を混入させたダイヤモンド層を挿入することにより、上記ｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３と、上記不純物元素混入ダイヤモンド層５との両界面に歪を発生させ、上記両界面近傍のｐ型ダイヤモンド層２、及びｎ型ダイヤモンド層３の側で、光学遷移を間接遷移型から直接遷移型に変えると共に、正孔や電子を上記両界面近傍に局在さすことにより、高発光効率、高出力の紫外発光素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子のｐ型層における不純物濃度を制御して半導体素子の駆動電圧を低減し、高い信頼性の窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体からなる第１の層と、ｐ型窒化物半導体からなる第２の層と、第１の層と第２の層の間に発光層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、発光層は、ＡｌＧａＩｎＮからなる井戸層と、ＡｌＧａＮからなる障壁層とで構成される量子井戸構造を有し、第２の層は、ｐ型不純物濃度が第２の層の中で変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 量子ドットからなる活性層を有し、高温でも高速で動作する半導体光素子を提供することである。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板の上に積層され、第１の導電型を有する第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に積層され、伝導帯の電子及び価電子帯のホールを３次元的に閉じ込めて量子サイズ効果を発現する半導体結晶粒からなる量子ドットと、前記量子ドットを囲んで前記電子及び前記ホールを前記量子ドットに閉じ込める障壁層からなる活性層と、前記活性層の上に積層された、第２の導電型を有する第２のクラッド層を具備した半導体光増幅器において、前記障壁層のうち前記量子ドットの側面方向に位置する領域には、ｐ型の不純物がドーピングされ、前記障壁層のうち前記量子ドットの上下方向に位置する領域に、不純物がドーピングされていないことである。 （もっと読む）

【課題】 半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ低しきい値電流で高温動作に優れたリッジ導波路型光素子、特に半導体レーザの素子構造及びその作製方法を提供すること。
【解決手段】 量子井戸構造を有する光学的活性領域（例えば、レーザ活性領域）の障壁層に不純物を添加して、活性層内のキャリアの横方向拡散を低減するリッジ導波路型光素子（半導体レーザ）を構成する。この変調ドープ多重量子井戸活性層構造を有するリッジ導波路型光素子を用いた光送信モジュールおよび光通信システムに応用する。
【効果】 半導体発光素子の素子性能、歩留まりを飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光モジュール、光通信システムの高性能化、低コスト化を容易に実現できる。 （もっと読む）

【課題】劈開による端面発光部の形状異常を抑制して安定した高ＣＯＤレベルを有し、かつ低電圧動作可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層３０９と活性層３０５との間に電流注入用ストライプ状開口部が形成された電流狭窄層３０８を有し、電流狭窄層３０８は、劈開によって形成される端面近傍において発光部上部にも形成されている。 （もっと読む）

合成された半導体材料の基板と、少なくとも１つの成分濃度のそれぞれ他と異なる第１導電型の基板上の第１ミラー構造内の半導体材料層の対とを備えた、線幅の狭い光を放出する半導体材料の垂直共振器面発光レーザであって、傾斜した成分濃度を有する第１ミラースペーサ層によりそれぞれの第１ミラー対は残りのものから分離されている。第１ミラー構造上の活性領域は、少なくとも１つの活性領域スペーサ層によって分離された複数の量子井戸構造を有し、第１と同じであり第２導電型の活性領域上に第２ミラー構造がある。１対の電気配線が、前記基板、前記第１ミラー構造、前記活性領域及び前記第２ミラー構造により分離されている。 （もっと読む）

【課題】８５０ｎｍ帯面発光レーザにおける、高速変調化に伴う素子信頼性低下の課題を解決するための技術を提供する。
【解決手段】第１導電型ＧａＡｓ基板上に、第１導電型多層膜ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）層、活性層、及び第２導電型ＤＢＲ層を有する発振波長が８２０ｎｍ以上８８０ｎｍ以下の面発光レーザであって、前記活性層が、圧縮性の歪みを有するＩｎ_xＧａ_1-xＡｓ_１−ｙ１Ｐ_ｙ１ウェル層と、引張性の歪みを有するＧａＡｓ_１−ｙ２Ｐ_ｙ２バリア層とを有する量子井戸構造を有し、前記ウェル層のＰ組成ｙ１と前記バリア層のＰ組成ｙ２との間に、｜ｙ１−ｙ２｜≦０．０５の関係が成立することを特徴とする面発光レーザ。 （もっと読む）