【課題】複数の半導体レーザ素子を同時に精度よく位置決めすることができる。
【解決手段】半導体レーザチップ６の端面に対して垂直な方向と当該端面に平行な少なくとも１方向とにおける位置決めを行い、当該位置決めした位置に吸引固定する治具４と、半導体レーザチップ６を位置決め固定した状態の複数の治具４を、各半導体レーザチップ６のコーティングを施す端面の位置が揃うように、それらの端面を上向きに並べて固定する台座８、Ｙ方向押さえ３０、および、Ｚ方向押さえ３１，３２とを備えた半導体レーザ素子の製造装置である。また、台座８およびＹ方向押さえ３０に、露光用マスクとの位置決めを行うためのアライメント９も設けた。これにより、半導体レーザチップ６の端面に、マスクパターンを用いて高精度に区分けされたコーティングを施すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、チップに付着及び堆積する汚染物質を低減して発光素子の長寿命化及び動作の安定化を図るとともに、気密封止する構成を必要としない、または、厳密な制御を伴わず容易に気密封止することのできる半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収膜５がレーザチップ１の光出射側の最表面に形成される。光吸収膜５は、酸素欠損膜又は酸化パラジウムを備えるとともに、光が通過する位置に配置される。 （もっと読む）

【課題】下部ＤＢＲ反射鏡等を構成するＡｌ組成の高いＡｌＧａＡｓ、ＡｌＡｓ等の層の側面からの酸化を防ぐ構造を有する面発光型レーザ技術の提供。
【解決手段】半導体基板の表面上に、下部反射鏡と活性層と電流狭窄層と上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程（ステップＳ１０１）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることによりメサ構造を形成するメサ構造形成工程（ステップＳ１０２）と、半導体層形成工程により形成された半導体膜を半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程（ステップＳ１０３）と、素子分離溝の壁面、メサ構造の上面および側面に半導体材料からなる再成長層を形成する再成長層形成工程（ステップＳ１０４）と、再成長層上に、絶縁体からなる保護膜を形成する保護膜形成工程（ステップＳ１０５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子の共振器面に、レーザ光出射部に対応した光吸収層を加工による損傷を軽減して製造することを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層を形成する工程と、
前記共振器面上に、反射ミラーと、保護膜と、光吸収層とを順次形成する工程と、
前記光吸収層に前記導波路領域に対応する開口部を形成する開口部形成工程とを具備する窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体レーザ素子をＯｐｅｎ−Ａｉｒパッケージで動作させた場合においても、電圧上昇を引き起こすことなく、安定に長時間動作することができる窒化物半導体発光素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板であるｎ型ＧａＮ基板１０１と、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に形成されたｐ型窒化物半導体層を含む窒化物半導体層とを備え、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層１０８の下のｐ型ＡｌＧａＩｎＮクラッド層１０７と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＮ層１０６からなるｐ型窒化物半導体層に形成された電流注入領域の上方に、窒化シリコン膜から構成される保護膜１１３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】共振器面として、密着性が非常に良好で、十分な放熱性を確保することができ、信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板と、該基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と電気的に接続する電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジ側面から該リッジ両側の窒化物半導体層の上面にかけて形成されたＡｌ含有窒化物膜からなる第１膜と、前記窒化物半導体層に形成された共振器面と前記窒化物半導体層の上面に形成された前記第１膜を被覆し、かつＡｌ含有窒化物膜からなる第２膜とを備えていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】水素の移動による素子寿命の短縮を改善可能な窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体領域１３−１は第１領域１３ａ−１及び第２領域１３ｂ−１を含む。第２領域１３ｂ−１は第１領域１３ａ−１に沿って延在する。第１領域１３ａ−１は、ｐ型導電性のリッジ部を含む。III族窒化物半導体領域１３−１はｐ型ドーパント及び水素を含む。電極１７−１は、第１領域１３ａ−１のリッジ部の上面１３ｃ−１に接触する。金属層１９−１は、水素を吸蔵可能にする格子欠陥を高密度で有しており、また第２領域１３ｂ−１上に設けられる。誘電体層２１−１は金属層１９−１上に設けられ、誘電体層２１−１は、シリコン酸化膜，シリコン窒化物，シリコン酸窒化物，酸化ハフニウム，タンタル酸化物等からなる。 （もっと読む）

【課題】内側金属電極層を酸化から保護することにより、素子の抵抗値の上昇を防止して、動作電流などの素子特性の悪化を防止する。
【解決手段】内側金属電極層１３５と空気が接触する端面を含む部分を誘電体膜１４０，１４１でカバーすることにより、大気と内側金属電極層１３５との接触を完全に遮断することができる。したがって、従来のように内側金属電極層１３５の空気接触による酸化を防ぐことができるため、内側金属電極層１３５の酸化による劣化の発生を抑制できて、信頼性に優れた半導体レーザ素子２００を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】埋め込み型半導体レーザとハイメサリッジ型変調器との間の光の反射を抑える。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が設けられている。光の進行方向において埋め込み型半導体レーザ１２とハイメサリッジ型変調器１４が結合されている。埋め込み型半導体レーザ１２は、活性層１６を持つ導波路リッジ１８と、導波路リッジ１８の両サイドを埋め込む埋め込み層２０とを有する。ハイメサリッジ型変調器１４は、変調層２２を持つハイメサリッジ２４と、ハイメサリッジ２４の側面に接するシリコン窒化膜２６と、シリコン窒化膜２６上に設けられたシリコン酸化膜２８とを有する。シリコン窒化膜２６とシリコン酸化膜２８の合計膜厚は１μｍ以上である。これにより、ハイメサリッジ型変調器１４の等価屈折率は、埋め込み型半導体レーザ１２の等価屈折率の０．９９８倍から１．０倍になる。 （もっと読む）

【課題】端面保護膜により発生する応力が緩和され長期信頼性を確保することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０上に、下部クラッド層２１、活性層２２、上部クラッド層２３およびコンタクト層２４をこの順に含む半導体層２０（レーザ構造部）を積層し、上部クラッド層２３の上部に帯状の突条部（リッジ）２０Ａを形成する。突条部２０Ａの上面，側面および裾部に上部電極３１を形成すると共に、基板１０の裏面に下部電極３２を形成する。前端面Ｓ１の突条部２０Ａの両側に２対の凹部２０Ｂ設けたのち、前端面Ｓ１の表面に保護膜４１を形成する。これにより前端面Ｓ１に形成する保護膜４１の接触面積が少なくなり、前端面Ｓ１に発生する応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ、活性層を含む共振器構造体、被選択酸化層を有する上部半導体ＤＢＲなどが積層されている。そして、下部半導体ＤＢＲが含まれるベース部の外形は、基板の表面に直交する方向からみたとき、角部が無くマクロ的に滑らかな形状であり、下部半導体ＤＢＲのエッチング面は、不動態化膜１１５と保護層１１１とによって被覆されている。この場合は、不動態化膜１１５にクラックが入るのを抑制でき、従来よりも信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子を安定的に動作させることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体レーザ素子）は、活性層２５を有し、共振器端面２ａおよび２ｂが形成された半導体素子層２と、共振器端面２ａの表面上に形成された無機誘電体層３０と、無機誘電体層３０の共振器端面２ａとは反対側の表面上に形成されたフッ化高分子層３８とを備える。そして、無機誘電体層３０の厚みは、フッ化高分子層３８の厚みよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】結露することがなく、信頼性の高い面発光レーザモジュールを提供する。
【解決手段】基板面に対し垂直方向に光を出射する面発光レーザを有する面発光レーザ素子と、前記面発光レーザの光をモニタするための受光素子と、前記面発光レーザ素子及び前記受光素子を設置するための領域が設けられているパッケージと、透明な材料により形成された窓部を有し、前記面発光レーザ及び受光素子を覆うため、前記パッケージと接続するためのリッド接続部を有するリッドと、を有し、前記パッケージには、前記リッド接続部と接続されるパッケージ接続部が設けられており、前記面発光レーザから出射された光が前記窓部において反射し、前記面発光レーザに入射することなく前記受光素子に入射するように、前記リッドは前記パッケージに接続されており、前記リッドまたは、前記パッケージと前記リッドとの間には水分を透過する水分透過領域が設けられていることを特徴とする面発光レーザモジュールを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化絶縁物による電流狭窄構造を有するストライプ状リッジ構造の半導体レーザにおいて、酸化絶縁物による電流狭窄構造部分からクラック等が発生するのを防止または抑制する。
【解決手段】基板１０と、基板内の活性層１４と、基板に設けられた第１および第２の溝４２、４４と、溝４２と４４の間に形成されＡｌ含有化合物半導体を含む層を有するリッジ４６とを備え、Ａｌ含有化合物半導体を含む層は、第１の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、第２の溝の全周囲にわたって設けられた酸化絶縁物２０と、リッジ内の両側の酸化絶縁物２０に挟まれたＡｌ含有化合物半導体と、を有し、リッジ内において、両側の酸化絶縁物２０により電流狭窄構造を形成し、基板の端面には酸化絶縁物２０は露出しない。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝の壁面からの酸化がされにくい信頼性の高い面発光レーザーを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される下部反射鏡と、半導体膜からなる活性層と、半導体膜からなる電流狭窄層と、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することにより形成される上部反射鏡とをエピタキシャル成長により形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜の一部をエッチングすることにより、メサ構造を形成するメサ構造形成工程と、前記半導体層形成工程により形成された半導体膜を前記半導体基板の表面までエッチングすることにより素子分離溝を形成する素子分離溝形成工程と、前記素子分離溝の壁面に、絶縁体からなる絶縁体保護膜を形成する絶縁体保護膜形成工程と、前記絶縁体保護膜上に金属材料からなる金属保護膜を形成する金属膜形成工程と、を有することを特徴とする面発光型レーザーの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】偏光方向を制御することができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、ｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、レーザ光を出射する光出射口１１２Ａが形成されたｐ側電極１１２と、光出射口１１２Ａを部分的に覆うように形成され、レーザ光の発振波長に対して透明な材質から構成され、長手方向と短手方向に異方性を有する絶縁膜１２０とを有し、絶縁膜１２０が形成された上部ＤＢＲ１０６の反射率は、絶縁膜１２０が形成されていない上部ＤＢＲ１０６の反射率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】電極による光吸収を抑制した信頼性の高い半導体素子を提供すること及び簡便な半導体素子の製造工程を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジ上に形成された電極と、を備えてなる半導体素子であって、電極は、リッジの上面に対して平坦部と、該平坦部の両側に傾斜部とを有しており、リッジの側面から前記電極の傾斜部に至る領域に保護膜を被覆している。 （もっと読む）

【課題】保護膜に起因する応力を低減して、素子寿命の長い面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】本面発光型半導体レーザ素子は、ＧａＡｓ基板１２上に、一対の半導体多層膜反射鏡と、一対の半導体多層膜反射鏡の間に配置された活性層とを有し、基板に直交する方向にレーザ光を出射する酸化狭窄型面発光型半導体レーザ素子である。そして、抵抗率が１０⁵ Ω・ｃｍ² 以上の高抵抗半導体層からなる保護膜が、上部多層膜反射鏡上に、直接、又は他の化合物半導体層を介して設けられている。 （もっと読む）