【課題】高スループット、かつ、低コストで、均一な深さを持つ回折格子を有する光半導体素子を製造できるようにする。
【解決手段】光半導体素子の製造方法を、基板１の上方に、表面に回折格子５が形成される第１半導体層４を形成する工程と、二光束干渉露光法によって形成されたマスクを用いて第１半導体層４をエッチングして、第１半導体層４の表面に回折格子５の周期の２倍の周期を有する凹凸構造５Ｘを形成する工程と、凹凸構造５Ｘの凹部に、凹凸構造の半分の深さまで、第１半導体層４と異なる材料からなる第２半導体層６Ａを形成する工程と、凹凸構造５Ｘを形成するためのエッチングと同一条件で、第２半導体層６Ａをマスクとして、第１半導体層４を選択的にエッチングして、第１半導体層４の表面に回折格子５を形成する工程とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】大面積で低コストな基板を用いながら、分極に起因する光学利得の低下が抑制された半導体レーザを提供する
【解決手段】基板上に、クラッド層２、７で挟持された活性層４を有する窒化物半導体レーザ。活性層は、基板の主面とは異なるように制御された面方位を有する領域を備え、制御された面方位を有する活性層領域の少なくとも一部を含むように光導波路が形成されている。例えば、基板は、底部基板１３とその主面上に形成された下地層１６とを備え、下地層は、底部基板の主面とは異なるように制御された面方位の領域を有し、下地層における制御された面方位の領域の上部に、制御された面方位を有する活性層領域が形成されている。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１５０（窒化物半導体発光素子）は、結晶成長面１ａを有し、結晶成長面１ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含むｎ型ＧａＮ基板１と、掘り込み領域３に形成され、窒化物半導体の結晶成長を抑制する成長抑制膜５と、ｎ型ＧａＮ基板１の結晶成長面１ａ上に形成されたｎ型クラッド層１１を含む半導体素子層１０とを備えている。上記掘り込み領域３は、凹部２を含んでおり、上記成長抑制膜５は、凹部２内における結晶成長面１ａより低い位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散又はイオン注入等によらない端面窓構造の形成を可能とし、窒化物半導体を用いた場合においても端面窓構造を有する半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１の所定の領域の上を除いて基板１１の上に選択的に成長した半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、活性層１４を含み、光を出射する前方端面２０Ａと交差する方向に延びるストライプ状の光導波路を有している。活性層１４は、所定の領域の周縁部に形成された異常成長部１４ａと、異常成長部１４ａの周囲に形成され、異常成長部１４ａを除く活性層１４の他の部分と比べて禁制帯幅が大きい禁制帯幅増大部１４ｂとを有している。光導波路は、異常成長部１４ａと間隔をおき且つ前方端面２０Ａにおいて禁制帯幅増大部１４ｂを含むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を抑制することが可能な窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子（窒化物系半導体発光素子）５０は、（１−１００）面からなる主表面を有する発光層６、光出射面２０ａおよび光反射面２０ｂを有する半導体レーザ素子部２０と、光出射面２０ａに対して角度θ_１（＝約６２°）傾斜して延びるとともに発光層６の主表面と交差する（１−１０１）面からなる反射面２１ａとを含む反射部２１と、半導体レーザ素子部２０および反射部２１（半導体レーザ素子層３）に接合される支持基板３０とを備える。そして、反射面２１ａは、半導体レーザ素子部２０の発光層６で発生したレーザ出射光を、光出射面２０ａに対して角度θ_２（＝約３４°）傾斜した方向に反射するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】発光部を形成するための下地層（基部）の設計自由度を高くすることができ、しかも、高い発光効率を得ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、基板１０の｛１００｝面である主面上に形成された下地層１１、下地層１１の頂面上に形成された発光部２０、並びに、下地層１１が形成されていない基板１０の主面の部分の上方に形成され、発光部２０を構成する活性層２３の露出した側面を少なくとも覆う電流ブロック層４０を具備しており、下地層１１は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から成り、基板１０の主面上にエピタキシャル成長法にて形成されており、基板１０の＜１１０＞方向と平行に延び、基板１０の該＜１１０＞方向に垂直な仮想平面で切断したときの断面形状が台形であり、該台形の２つの斜辺に相当する斜面が｛１１１｝Ｂ面であり、台形の上辺に相当する頂面が｛１００｝面である。 （もっと読む）

紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）アレイ１２、及び安定したｃｗ出力を呈するＡｌＩｎＧａＮ多重量子井戸活性領域５００を用いて該紫外発光ダイオードアレイを製造する方法。ＬＥＤは、その上に紫外発光アレイ構造を有するテンプレート１０を備える。テンプレートは、第１のバッファ層３２１、そして第１のバッファ層上に第２のバッファ４２１を備える。好ましくは双方のバッファ層内に歪み緩和層がある。次に、第１のタイプの導電率を有する半導体層５００が存在し、続いて、１９０ｎｍ〜３６９ｎｍの範囲の放射スペクトルを有する量子井戸領域６００を提供する層が存在する。次に、第２のタイプの導電率を有する別の半導体層８００が適用される。第１の金属コンタクト９８０は、第１の層と電気的に接触する電荷拡散層であり、ＬＥＤアレイの間にある。第２のコンタクト９９０が第２のタイプの導電率を有する半導体層に適用され、ＬＥＤが完成する。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを十分に向上させることができる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、塩酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりＧａＮ基板１の欠陥集中領域１ｂをエッチングし、底面１２に突起１３を有するストライプ状の溝１０を形成する。次に、ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体層２０，２０ａを形成するとともに、低欠陥領域１ａ上の窒化物系半導体層２０に素子構造部２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】回折格子としてフォトニック結晶構造を含む窒化物半導体レーザで、好適なΓ_ｗｅｌｌ、Γ_ｐｃを提供すると共にＡｌＧａＮ内の内部応力を低減する。
【解決手段】二次元回折格子層１７は、二次元フォトニック結晶構造２１を有しており、また第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。活性層１９は、第１導電型クラッド領域１３と二次元回折格子層１７との間に設けられる。第１導電型クラッド領域１３は、少なくとも第１および第２のＡｌＧａＮ層２５、２７を含む。第１のＡｌＧａＮ層２５は第２のＡｌＧａＮ層２７と活性層１９との間に設けられ、第１のＡｌＧａＮ層２５は第１導電型クラッド層１３において活性層１９に最も近い。第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成は第１導電型クラッド領域１３において最も大きく、第２のＡｌＧａＮ層２７のＡｌ組成は第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】製造の過程において臨界膜を越えることを避けることが可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の領域１１ａ上の半導体メサ１１ｄ上および第２の領域１１ｂ上のそれぞれに、クラッドおよび歪み量子井戸構造のための複数の半導体膜２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａを成長するので、第１の領域１１ａ上に成長される半導体膜２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａは、第２の領域１１ｂ上に成長される複数の半導体膜から実質的に分離される。これ故に、半導体メサ１１ｄ上には、実質的に分離された半導体膜２１ａ、２３ａ、２５ａ、２７ａが堆積される。歪みを内包した量子井戸構造のための半導体膜２３ａの結晶が弾性的に変形でき、実質的に分離された半導体膜２３ａの応力が転位等の発生無しに低減される。 （もっと読む）

【課題】埋め込み構造の形状のばらつきを低減可能な、半導体光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】キャップ膜１９上に［０１１］方向に沿って伸びるエッジを有するマスク２９を形成する。ＩｎＰである第２導電型クラッド層３７、エッチングされた活性領域３５、および第１導電型クラッド層３３を含むメサ構造３１を形成する。そして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａにおいてマストランスポートを引き起こして、第２導電型クラッド層３７の側面３７ａに（１１０）面側面３７ｂを形成する。該マストランスポートの後に、マスク３９を用いて埋め込み領域を形成する。マスク２９およびキャップ層１９を除去した後に、第２導電型III−Ｖ化合物半導体領域を成長する。 （もっと読む）

【課題】 積層される活性層について十分に広い有効発光波長範囲が得られながら、当該活性層について転位密度が低減されて十分に大きい発光効率を得ることができる半導体装置用基材およびその製造方法の提供。
【解決手段】 半導体装置用基材は、基板と、この基板上に形成されたＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層と、このＧａＩｎＮＰバッファ層またはＧａＮＰバッファ層上に形成された積層体である機能素子形成用下地層とよりなり、機能素子形成用下地層は、その最上層が高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層よりなり、当該機能素子形成用下地層中には低結晶性ＡｌＧａＮ半導体層を有することを特徴とする。半導体装置用基材においては、基板の表面に溝部が形成されていることが好ましい。また、高結晶性Ａｌ_x Ｇａ_1-x Ｎ半導体層を構成するＡｌの組成比率ｘは、０．０１〜０．２５であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】活性層の変形を抑え、隣り合う活性層同士を好適に光結合できるとともに、活性層のＰＬ発光強度を十分に得ることができる集積型の半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、半導体レーザ素子部２ａ及び半導体変調素子部２ｂを備える。これらの素子部２ａ及び２ｂは、それぞれ光導波路部１２ａ及び５２ａを有する。光導波路部１２ａは、ｎ型半導体層８、活性層６、及びｐ型半導体層１０が積層されてなる。光導波路部５２ａは、光導波路部１２ａと共有のｎ型半導体層８、活性層４６、及びｐ型半導体層５０が積層されてなる。ｎ型半導体層８と活性層４６との間には、ＩｎＡｓＰ層４４が形成されている。また、半導体光素子１は、表面におけるエッチピット密度が５００ｃｍ^−２以下であるＩｎＰ基板４を有する。 （もっと読む）

【課題】 高精度のフォトニック結晶を含む半導体発光素子を容易に得ることができる製造方法およびその製造方法を用いた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 フォトニック結晶効果を有する構造３，５を含む素子を製造する方法であって、結晶反転領域４を含むＧａＮ系半導体層３を形成する工程と、結晶反転領域４をウェットエッチングにより除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム基板の表面の高転位エリアの数よりも少ない高転位エリアを表面に有する窒化ガリウム膜を含むエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハは、窒化ガリウム膜１７上に設けられた窒化ガリウム系半導体領域３３を含む。窒化ガリウム系半導体領域３３にはボイド３５が含む。ボイド３５は、窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけられており、窒化ガリウム膜１７の各高欠陥エリア１７ｅは窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅの一つに関連づけられている。窒化ガリウム基板１５の高欠陥エリア１５ｅに関連づけてボイド３５を形成することにより、該ボイド３５が高欠陥エリア１５ｅの欠陥の少なくとも一部の伝搬を阻止できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、掘り込み領域内において、側面部と底面部の境界に窪みを形成するとともに、丘の両端部に突起部を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】表面に広い低欠陥領域を有する窒化物半導体の製造方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１００の上にバッファ層１００ａを介して種結晶部１０５をストライプ状に形成する。次に、２段階の成長条件で種結晶部１０５から結晶を成長させ、窒化物半導体層１０７を形成する。その第１段階では、成長温度１０３０℃で層厚み方向の断面が台形型の低温成長部１０７ａを形成し、第２段階では成長温度１０７０℃で横方向成長を支配的に進行させ、低温成長部１０７ａ間に高温成長部１０７ｂを形成する。窒化物半導体層１０７の表面では、低温成長部１０７ａの上方においてヒロックや通常の格子欠陥が低減される。 （もっと読む）