【課題】小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を維持しながら光パワーモニタとしての機能を併せ持つ光パワーモニタ集積ＤＦＢレーザを提供する。
【解決手段】分布ブラッグ反射領域が集積された半導体レーザにおいて、前記半導体レーザの導波路の活性層が細線構造を有し、前記分布ブラッグ反射領域の吸収電流により前記半導体レーザの出力をモニタすることとした。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ破壊を抑制した信頼性の高い半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板上に形成され、窒化物半導体層を含む共振器１０２と、を備える。共振器の端面の下端１０２ａは、半導体基板と接しないように切欠領域１０１ａを有する。この切欠領域によって、共振器の端面近傍の領域に掛かる歪を、端面近傍の領域間の領域に掛かる歪より小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】電極形成などのために基板をハンドリングする際や基板の薄膜化を行う際に割れが生じるのを抑え、半導体発光素子や半導体素子を歩留まり良く製造する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板１の第１の主面にＧａＮ系半導体層からなる発光素子構造およびｐ側電極を形成する。発光素子構造およびｐ側電極を形成する際にｎ型ＧａＮ基板１の外周部に形成される傷１７を含む所定の部分をダイサーなどにより切除する。この後、ｎ型ＧａＮ基板１を第２の主面側から薄膜化する。こうして薄膜化されたｎ型ＧａＮ基板１の第２の主面にｎ側電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ素子において上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗の増加を抑制し、レーザ素子の動作電圧を低減させ得る半導体レーザ素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は半導体レーザにおいて上部電極と半導体層とのコンタクト抵抗を低減可能なレーザ構造を提案する。本発明によるとp型コンタクト層上にコンタクト防護層を挿入した構造とし、絶縁膜RIE後に熱処理を行うことでコンタクト抵抗増加の影響を及ぼすp型コンタクト層への反応性イオンの侵入やp型コンタクト層のエッチングによる高抵抗化の影響を与えることなくコンタクト用開口部を形成することができる。こうして、コンタクト抵抗の増加を抑制し、レーザ素子の動作電圧を低減できる半導体レーザ素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体の加工性をドライエッチングにより向上させる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
【解決手段】インジウムを含む化合物半導体であるエッチング対象物１０にマスクパターン１１Ｐを形成し、ヨウ化水素ガスと三塩化ホウ素との２成分からなる混合ガスである第１のガスからなるプラズマをエッチング対象物１０に入射させてエッチング対象物１０の表面を選択的にエッチングすることにより半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、混合ガスの総流量に対するヨウ化水素ガスの流量の比である配合比が４０％〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】 活性層への電流注入効率を向上させることができる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本製造方法は、ｐ型ＩｎＰ基板の表面上に、ｐ型バッファ層、活性層、及びｎ型クラッド層を含む半導体メサ部を形成する工程と、ｎ型半導体層を、ｐ型ＩｎＰ基板の露出した表面及び半導体メサ部の側面に、堆積する工程と、活性層の側面を露出させるよう半導体メサ部の側面に堆積したｎ型半導体層を選択的にエッチングする工程と、エッチングする工程の後に、ｎ型半導体層上且つ半導体メサ部の側部に半絶縁性の埋込層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特性の優れたデバイスを再現性よく製造することのできるＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化ガリウム基板は、加速電圧が１３ｋＶ以上の電子が照射された際に得られるカソードルミネッセンスのスペクトルのうち、窒化ガリウムのバンドギャップに対応する波長における第１のピークの第１の強度が、第１のピークより長波長側に観測される第２のピークの第２の強度の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】第１半導体部および第２半導体部を含む半導体素子を作製する際に半導体の曲がりを小さくする。
【解決手段】絶縁体マスク１７を用いて、ＬＤエリア１ｂに第１半導体部１９を形成し、ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する。絶縁体マスク１７内では、キャップ層１５に近い下部では線膨張率が高く、キャップ層１５から遠い上部では線膨張率が低い。ＥＡエリア１ｃに第２半導体部３７を形成する前に、エッチング端面１９ａ側から第１半導体部１９の最上層であるキャップ層１５を部分的にエッチングする。これで、境界１ｄ近傍で、絶縁体マスク１７とキャップ層１５との間にギャップＧを生じさせると、このギャップＧ部分の絶縁体マスク１７において、キャップ層１５に近い下部１７ｅは多く膨張し、キャップ層１５から遠い上部１７ｆは少なく膨張する。その結果、境界１ｄ近傍の絶縁体マスクが上に曲がる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体表面にプラズマプロセスによるダメージを与えることなく、化合物半導体と金属電極との接触抵抗を低減し、両者の接触部におけるオーミック特性を改善することができる化合物半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】塩素ガスとハロゲンガスとから成ると共にこの塩素ガスを標準状態で０．０５〜１０．０％の体積の割合で含む混合ガスにより、プラズマを生成する。そして、ｎ型ＧａＮ層１０３を、このｎ型ＧａＮ層１０３に含まれる元素の塩化物の沸点以上の温度に加熱すると共に、上記プラズマ中のラジカルを、上記ｎ型ＧａＮ層１０３における金属電極１０４と接する表面に接触させて、このｎ型ＧａＮ層１０３の表面を加工する。 （もっと読む）

【課題】互いに波長が異なる複数のレーザ光を出力する半導体レーザアレイにおいて、複数のレーザ光をそれぞれ発生する複数の発光領域における利得ピーク波長を、当該レーザ光の波長にそれぞれ対応するように一意に且つ精度よく制御する。
【解決手段】半導体レーザアレイ１０は、互いに波長が異なる複数のレーザ光を出力する。半導体レーザアレイ１０は、半導体基板と、半導体基板上に形成され複数のレーザ光それぞれを発生する複数の発光領域１７Ａ〜１７Ｅとを備える。複数の発光領域１７Ａ〜１７Ｅは、レーザ光の波長に対応する周期Λａ〜Λｅでもって並んで設けられた複数の量子細線１９Ａ〜１９Ｅを各々有する。発光領域１７Ａ〜１７Ｅにおける量子細線１９Ａ〜１９Ｅの細線幅Ｗａ〜Ｗｅは、当該発光領域が発生するレーザ光の波長に対応する幅であり、少なくとも二つの発光領域同士で細線幅が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に少なくともＩＩＩ族元素と窒素とアルカリ金属元素とを含む原料溶液５からＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ系基板２２上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記ｐ型電極を含む発光構造体が形成された状態で、前記基板の下部面の全面を最初の状態から当該基板が所定の厚さになるまでエッチングする段階と、前記所定の厚さになるまでエッチングされた前記基板の下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含む。これにより、ダメ−ジがない基板の下部面にｎ型電極が形成されるので、発光素子、特に半導体レ−ザダイオ−ドの特性を向上させ得る。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子において、ドライエッチングにより生じたダメージ層を除去することにより、電気特性、光学特性が改善された窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドライエッチングによって形成されたメサ構造を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、窒素プラズマを含む雰囲気中で、前記ドライエッチングにより露出した面を、プラズマ処理する工程（Ａ）を含むことを特徴とする。工程（Ａ）の前にドライエッチングにより露出した面の清浄化を行なうアッシング工程（Ｂ）を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法は、ウルツ鉱構造を有するｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をＲＩＥ法によりエッチングする工程と、その後、エッチングされたｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極８を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】活性層が受けるダメージを低減すると共に活性層に含まれるＡｌの酸化を防止できる半導体発光素子の製造方法、及び活性層に含まれるＡｌの酸化が防止された半導体発光素子を提供する。
【解決手段】まず、III−Ｖ族化合物半導体基板１２上にIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａを形成する。次に、III−Ｖ族化合物半導体層１６ａ上にエッチングマスクＭを形成する。次に、エッチングマスクＭを用いてIII−Ｖ族化合物半導体層１６ａをドライエッチングすることによって、複数の周期的な凹部４４を有する第１の回折格子領域Ｇ１を形成する。次に、エッチングマスクＭを用いて、ＡｌＧａＩｎＡｓを含む活性層１８を凹部４４内に埋め込む。次に、活性層１８上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる酸化防止層２３を形成する。このようにして、分布帰還型の半導体発光素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化物系半導体からなる基板を形成する工程と、前記基板の裏面側を加工する工程と、前記基板の裏面近傍の転位を低減する工程と、前記転位が低減された前記基板の裏面上にｎ側電極を形成する工程とを窒化物系半導体素子の製造方法が備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体基板などの窒素面と電極とのコンタクト抵抗を低減することが可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型の窒化物系半導体からなる基板と、前記基板の上面上に形成された、ｎ型層、活性層およびｐ型層を含む窒化物系半導体層と、前記ｐ型層上に形成されたｐ側電極と、前記基板の裏面上に形成されたｎ側電極とを備えた窒化物系半導体素子を窒化物系半導体装置が含み、前記基板は、裏面側が加工されているとともに、前記基板の前記ｎ側電極との界面近傍における転位は、低減されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物基板裏面とそこに形成される電極との間における、コンタクト抵抗の低減および安定性の向上することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置は、半導体素子が形成されるｎ型ＧａＮ基板１と、当該ＧａＮ基板１の裏面に形成された金属電極であるｎ電極１０とを備える。ＧａＮ基板１とｎ電極１０との間には、窒化物半導体以外の材料であってシリコンを含むものから成る接続層２０が形成される。 （もっと読む）