【課題】スクライブにより良好なクラックを形成することができる半導体ウェハ、半導体バー、半導体ウェハの製造方法、半導体バーの製造方法、および半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェハのエピタキシャル成長層を用いて、光半導体素子（具体的には、半導体レーザ）が、複数個、当該半導体ウェハの面方向に並べて形成されている。ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層は、複数の光半導体素子の間に連続的に設けられ、当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層の下の層を少なくとも当該ＩｎＧａＡｓエピタキシャル層より上の層に対して露出させる部分（具体的に言えば、開口部、或いは、溝）を備えている。この部分に沿ってスクライビングを行うことで、垂直進展したクラックを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】発振歩留まりを改善可能な構造のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１及び第２の割断面２７、２９の各々には、支持基体１７の端面１７ｃ及び半導体領域１９の端面１９ｃが現れる。レーザ構造体１３は第１及び第２の面１３ａ、１３ｂを含み、第１の面１３ａは第２の面１３ｂの反対側の面である。第１及び第２の割断面２７、２９の各々は、第１の面１３ａのエッジから第２の面１３ｂのエッジまで延在する。半導体領域１９はＩｎＧａＮ層２４を含む。半導体領域１９は、ＩｎＧａＮ層２４を含むことができる。割断面２９は、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａに設けられた段差２６を含む。段差２６は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の一方の側面２２ａから他方の側面２２ｂへの方向に延在する。段差２６は、割断面２７、２９において、ＩｎＧａＮ層２４の端面２４ａの一部分又は全体的に形成されることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板上に、下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層及び上部半導体ＤＢＲを順次積層形成する成膜工程と、前記下部半導体ＤＢＲ、前記下部スペーサ層、前記活性層、前記上部スペーサ層及び前記上部半導体ＤＢＲの一部を除去することにより分離溝を形成する分離溝形成工程と、前記分離溝の側面にＧａのイオン注入を行なうＧａイオン注入工程と、を有することを特徴とする面発光レーザ素子の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】素子寿命の長いIII族窒化物半導体レーザ素子が提供される。
【解決手段】III族窒化物半導体レーザ素子１１は、ｍ−ｎ面と半極性面１７ａとの交差線の方向に延在するレーザ導波路を有する。レーザ導波路の両端には、レーザ共振器となる第１及び第２の端面２６、２８が設けられている。第１及び第２の端面２６、２８はｍ−ｎ面（又はａ−ｎ面）に交差する。ｃ＋軸ベクトルは導波路ベクトルＷＶと鋭角を成す。この導波路ベクトルＷＶは、第２の端面２８から第１の端面２６への方向に対応する。第２の端面２８上の第２の誘電体多層膜（Ｃ−側）４３ｂの厚さが、第１の端面２６上の第１の誘電体多層膜（Ｃ＋側）４３ａの厚さより薄い。 （もっと読む）

【課題】スクライビングの際に電極剥離が生じるようなことがなく、しかも動作電圧の安定した複数ビーム型の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板は、第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域中に、第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する結晶からなる複数の高欠陥領域を有する。高欠陥領域が基板の中央領域と両端部との３カ所にあり、それらの間に低欠陥領域が存在している。この基板の裏面側には、幾何学的な形状のｎ側電極が形成されている。ｎ側電極は、低欠陥領域の表面の一部を覆うと共に、中央領域にある高欠陥領域の表面を断続的に覆い、両端部にある高欠陥領域の表面を覆わないような形状となっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体素子の製造方法において、サファイア基板上の窒化物系半導体層を含むウエハの反りを改善して、支障なくサファイア基板のレーザリフトオフを行ない得る方法を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体素子の製造方法は、サファイア基板１上に１層以上の窒化物系半導体層２を形成する工程と、窒化物系半導体層上にサファイアより小さな熱膨張係数の導電性支持基板３の第１主面を接合する工程と、導電性支持基板の第１主面に対向する第２主面上にその導電性支持基板より大きな熱膨張係数の反り抑制基板４が加熱を含む方法で接合される工程と、その後に窒化物系半導体層からサファイア基板がリフトオフ法で除去される工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の製造方法及び発光素子の製造方法を開示する。
【解決手段】本発明の一実施形態によると、半導体基板の製造方法は、基板の上に第１の半導体層を形成し、第１の半導体層の上にパターン状に金属性材料層を形成し、第１の半導体層の上及び金属性材料層の上に第２の半導体層を形成するとともに、金属性材料層より下層部分の第１の半導体層に空洞を形成し、空洞を用いて第２の半導体層から基板を剥離することを含む。これによって、レーザを使用して成長基板を分離する必要がないので、基板製造コストを減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】静電容量を減らして応答性を良くした窒化物半導体レーザ素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子１０は、活性層１６と、活性層１６の上方に積層された上部クラッド層１９と、上部クラッド層１９の上方に積層された低誘電率絶縁膜２２と、低誘電率絶縁膜２２の上方に積層されたパッド電極２３と、を備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成されたエピタキシャル成長層に直接かつ全面にわたって安定的に密着される接着型半導体基板および半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１２上に組成式Ｉｎ_x（Ｇａ_1-yＡｌ_y）_1-xＰで表される化合物半導体の混晶をエピタキシャル成長させ、Ｎ型クラッド層１４（０．４５＜ｘ＜０．５０，０≦ｙ≦１）と活性層１５とＰ型クラッド層１６とカバー層１７とを有するエピウェーハを形成する工程と、カバー層１７をエッチングにて除去してＰ型クラッド層１６の表面を露出させる工程と、Ｐ型クラッド層１６の上に、鏡面加工されたＧａＰ基板１１を、被鏡面加工面がＰ型クラッド層１６に接するように載置して室温にて一体的に接合させる工程と、熱処理をする工程と、ＧａＡｓ基板１２側からエッチング処理を行いＮ型クラッド層１４を露出させる工程と、Ｎ型クラッド層１４の表面とＧａＰ基板１１の裏面に電極１９をそれぞれ形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電場に起因する悪影響を抑制し、欠陥集中領域に起因する電気抵抗の増加を抑制した窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体素子は、窒化物系半導体からなる基板１０と、基板１０上に形成される窒化物系半導体からなる半導体素子層２０と、基板１０の半導体素子層２０とは反対側の面に形成されるｎ側電極４５からなり、基板１０は、非極性面からなる上面１５と、上面１５の側端部側に形成される凹部６０、６１と、上面１５の反対側の面である下面１６と、上面１５の法線方向に対して傾いた方向に延びるとともに、凹部６０から下面１６へ貫通する欠陥集中領域１２と、半導体素子層２０が形成された上面１５と下面１６を含み、欠陥集中領域１２を境界として非電流通路領域７１と分離されている電流通路領域７０とを備え、ｎ側電極４５は、電流通路領域７０における下面１６上に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】発光点相互の間隔を狭くしてもチップ分離の際にチップが欠けたりクラックが発生したりして歩留まりを低下させることがなく、放熱が悪くなることもなく、複数のレーザビームの相対角度ずれが生ずることを抑えることができる半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置の製造方法において、へき開端面に垂直な方向の長さが異なる複数個の半導体レーザバーを、上下に重ね、上下に重ねられた複数個の半導体レーザバーの各へき開端面を、所定の位置にずらす。ここで、上下に重ねられる半導体レーザバーのうち、下側の半導体レーザバーのへき開端面に垂直な方向の長さは、上側の半導体レーザバーのへき開端面に垂直な方向の長さより長いものとする。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、切断予定ラインに沿って半導体層１７ａ，１７ｂに基板１まで達しない溝２５を形成し、溝２５に臨む基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより多光子吸収による改質領域７を基板１にのみ形成し、基板１に力を印加することのみにより、改質領域７から発生した割れを基板１の厚さ方向に成長させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを切断する。 （もっと読む）

【課題】安定した水平横モードを有する窒化物系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子３０は、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面上に形成され、発光層を有する発光素子層１５を備えている。発光素子層１５は、（０００−１）面からなる第１側面１５ａと、第１側面１５ａに対して傾斜した第２側面１５ｂとを含み、第１側面１５ａと第２側面１５ｂとに囲まれた領域によって、[０００１]方向と垂直で、かつ、ｎ型ＧａＮ基板１１の主表面の面内方向に延びるリッジ３５およびダミーリッジ３６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】分割工程における歩留まりを向上させることが可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子（半導体素子）の製造方法では、サファイア基板１１を含む選択成長下地１５上に、複数の半導体レーザ素子領域となる部分を有する半導体レーザ素子部５０を形成する工程と、半導体レーザ素子部５０の少なくとも一部の領域上に、サファイア基板１１（選択成長下地１５）よりも平面的な大きさが小さい支持基板３１を接合する工程と、支持基板３１と接合された半導体レーザ素子部５０を選択成長下地１５から除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制することが可能であり、かつ、製造歩留を向上させることが可能なキャップ部材を提供する。
【解決手段】このキャップ部材１００は、円筒状の側壁部１０１と、側壁部１０１の一端を閉じるとともに半導体レーザ素子３０からのレーザ光を外部に取り出す出射孔１０２ａが形成された天面部１０２と、この出射孔１０２ａを塞ぐように天面部１０２に取り付けられた光透過窓１０４と、側壁部１０１に接着することなく天面部１０２に接着するとともに、光透過窓１０４を天面部１０２に取り付ける低融点ガラス１０５と、側壁部１０１の他端に配設され、半導体レーザ素子３０が設置されたステム１の上面に溶接されるフランジ部１０３とを備えている。そして、天面部１０２の低融点ガラス１０５が接着される領域の内面には、段差形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングの際にレーザ共振器が受けるダメージを抑制でき、また、組立工程における歩留まりの改善にも寄与することができる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子３３は、基板１上にIII族窒化物半導体積層構造２を成長させて構成されている。III族窒化物半導体積層構造２は、ｎ型半導体層１１と、ｐ型半導体層１２と、これらに挟まれた発光層１０とを含み、リッジストライプ２０の部分にレーザ共振器が形成されている。リッジストライプ２０は、共振器方向に直交する素子幅方向に関する中央に対して、当該素子の一側縁３３ａ寄りにオフセットされて配置されている。これにより、リッジストライプ２０と当該素子の他の側縁３３ｂとの間に、電極ワイヤの直径の２倍以上の幅のワイヤ接合領域５５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】工程途中での基板の破損を抑制または防止しつつ、基板を薄型化して分割することができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイアウエハ２０上に、複数の個別素子２１に対応したIII族窒化物半導体層３が成長させられる。次に、サファイアウエハ２０の内部に、たとえば波長３５５ｎｍのレーザ光によって、切断予定ライン２５に沿う加工領域３５が形成される。その後、サファイアウエハ２０が薄型化され、その過程で、サファイアウエハ２０自身の持つ応力によって、加工領域３５を起点として、サファイアウエハ２０が自発的に分割され、複数の個別素子２１に対応した複数の個別チップ１が得られる。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを十分に向上させることができる窒化物系半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、塩酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりＧａＮ基板１の欠陥集中領域１ｂをエッチングし、底面１２に突起１３を有するストライプ状の溝１０を形成する。次に、ＧａＮ基板１上に窒化物系半導体層２０，２０ａを形成するとともに、低欠陥領域１ａ上の窒化物系半導体層２０に素子構造部２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】歪みが抑制されることにより特性の低下が防止された半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１００においては、リッジ部Ｒｉの上方の活性層５周辺の領域が光導波領域ＬＰとなる。光導波領域ＬＰ上には、突起部２１が形成されている。突起部２１はＧａＮを主成分とする。そのため突起部２１の熱膨張係数とＧａＮ半導体層２０の熱膨張係数とはほぼ等しい。この場合、突起部２１の存在により、半導体レーザ素子１００の熱膨張時に光導波領域ＬＰの周辺部分に発生する単位体積当りの応力が低減される。 （もっと読む）

【課題】光デバイスウエーハに反りを発生させることなく加工することができるウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】サファイヤ基板２０の表面に光半導体層２１が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハ２を、複数の光デバイスを区画するストリート２３に沿って分割するウエーハ２の加工方法であって、ウエーハ２の表面に形成された該ストリート２３に沿って光半導体層２１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しストリート２３に沿って光半導体層２１を分離する光半導体層分離工程と、光半導体層分離工程が実施されたウエーハ２の表面に保護部材を貼着する保護部材装着工程と、保護部材が貼着されたウエーハ２の裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程とを含む。 （もっと読む）