【課題】リーク電流の増加を縮小可能な、窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】誘電体マスク３５ａを用いて犠牲膜３３から金属膜３１を介して窒化物半導体領域３９までのエッチングを行って、リフトオフ層３３ａ、電極３１ａ及びエッチングされた窒化物半導体領域４１を形成すると共に、窒化物半導体領域３９の半極性主面３９ａをエッチングして半導体リッジ４１ａを形成する。このエッチング中に、リッジ部４１ａの形成のためにエッチングされるIII族窒化物半導体表面の面方位に依存して、エッチングされた表面４１ｂにはピラー状の微小突起４３が形成される。半極性面では、微小突起の生成がｃ面に比べて生成されやすい。エッチングにおける基板温度が摂氏６０度以上摂氏２００度以下の範囲にあるとき、微小突起の面密度の増大を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部Ａを有する出射側電極であり、他方は、コンタクト部１７ａを有する非出射側電極であり、前記活性層１１と前記出射側電極との間に、前記コンタクト部１７ａよりも小さい開口部２１ａを有する電流狭窄層２１を備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】逆方向の静電耐圧の向上を可能な構造を有するリッジ型III−Ｖ化合物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体リッジ１５の第１及び第２部分１５ａ、１５ｂは、それぞれ、半導体リッジ１５の一端面１５ｄ及び他端面１５ｅを含む。III−Ｖ化合物半導体層２５は活性層２３と接合を成すと共に第２のクラッド層２９と接合を成す。一端面１５ｄ及び他端面１５ｅの近傍は、第２のクラッド層２７のキャリア濃度より低くキャリア濃度１×１０^１７ｃｍ^−３以下の領域を含むIII−Ｖ化合物半導体層２５を備え、このIII−Ｖ化合物半導体層２５は半導体リッジ１５の第１及び第２部分１５ａ、１５ｂに設けられる。第１のクラッド層２１と第２のクラッド層２７との間に逆方向の静電放電電圧が印加されるとき、III−Ｖ化合物半導体層２５に空乏層が生成されて、半導体リッジ１５における最大電界を低減できる。 （もっと読む）

【課題】逆方向のＥＳＤに対する耐性を十分に向上させる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、基準軸Ａに沿って延在する活性領域１３と主面Ｐ１とを有する半導体積層１０と、基準軸Ａに交差する第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２と、主面Ｐ１に設けられた第１の溝２４及び第２の溝２５とを備える。第１の溝２４及び第２の溝２５は、基準軸Ａに沿って延在している。活性領域１３は、基準軸Ａの方向から見て第１の溝２４と第２の溝２５との間に設けられている。第１の溝２４の一の端面Ｅ３と他の端面Ｅ４とは第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。第２の溝２５の一の端面Ｅ５と他の端面Ｅ６とは第１の端面Ｅ１及び第２の端面Ｅ２の間にある。 （もっと読む）

【課題】２つの変調器集積レーザを集積したレーザアレイにおいて、変調器間で発生する高周波信号のクロストークを軽減する。
【解決手段】ワイヤ（２１）は、一端がＥＡ変調部（１０ａ）の電極（１６ａ）に接続され他端が高周波信号ライン（１７ａ）に接続され、ワイヤ（２２）は、一端がＥＡ変調部（１０ｂ）の電極（１６ｂ）に接続され他端が高周波信号ライン（１７ｂ）に接続されている。ここにおいて、ワイヤ（２１）とワイヤ（２２）とは、ワイヤ（２１）の上記一端の位置（Ｐ３）とワイヤ（２１）の上記他端の位置（Ｐ４）とを通る直線（Ｌ１）が、ワイヤ（２２）の上記一端の位置（Ｑ３）とワイヤ（２２）の上記他端の位置（Ｑ４）とを通る直線（Ｌ２）と交差するように、設置されている。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりで製造することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１、下部半導体ＤＢＲ１０３、共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。メサの上面における辺縁部は、最外周部に向かって厚さが小さくなるテーパ面を有する誘電体層１１１ａで被覆され、該テーパ面の基板面に対するテーパ角δは、メサにおける側面の基板面に対する傾斜角θよりも小さい。この場合は、カバレージ良く配線を形成することが可能となり、製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】素子特性を低下させることなく、長寿命化を図ることができる面発光レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に下部反射鏡、活性層を含む共振器構造体、及び被選択酸化層を含む上部反射鏡が積層された積層体にメサ構造体を形成し（Ｓ４０３）、被選択酸化層の一部を酸化してメサ構造体に電流通過領域を形成し（Ｓ４０５）、電流通過領域を介して活性層に電流を供給するための電極を形成し（Ｓ４１３）、通常のＥＳＤ試験装置と同等の構成を持つ装置を用いて、ｐ側電極とｎ側電極との間に静電耐圧以下の電圧を印加する（Ｓ４２１）。 （もっと読む）

【課題】変調器集積型半導体レーザを用いた半導体レーザ装置に関し、従来に比べて低消費電力及び低コストで高速変調可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】温度により抵抗値の変化する温度依存終端抵抗４を、変調器集積型半導体レーザ３の変調器部３ｂに並列に接続し、温度依存終端抵抗４を介して変調器部３ｂへ変調信号を入力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】反射端面側の電極端部に電流を供給することができ、電極全域の電流ムラを抑制することを可能にする半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子は、出射端面及び反射端面を有する半導体部と、半導体部上に設けられた電極と、を有する半導体レーザ素子であって、平面視において、電極は、出射端面と反射端面との間に設けられた第１領域と、第１領域から半導体部の側面側に延伸する第２領域と、第２領域よりも反射端面側に設けられ第１領域から半導体部の側面側に延伸する第３領域と、を有し、第２領域及び第３領域のそれぞれは、第１領域に連結する連結部及びワイヤを接続するためのワイヤ接続部を有し、第３領域の連結部は、第３領域のワイヤ接続部より反射端面側に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ジャンクションダウンで実装する場合であっても電流のリークを抑えることができるレーザダイオードを提供する。
【解決手段】レーザダイオード１０は、半導体基板１２の主面１２ａ上に設けられ、該主面１２ａに沿って延びる光共振器を含む半導体積層構造１４と、半導体積層構造１４の上に設けられたアノード電極１６とを備える。光共振器の一対の端面をそれぞれ含む半導体積層構造１４の一対の側面１４ａ，１４ｂには、誘電体膜６２，６４が形成されている。半導体積層構造１４の積層方向における誘電体膜６２，６４の上縁部６２ｃ，６４ｃは、アノード電極１６上にわたって延びており、該上縁部６２ｃ，６４ｃの平均粗さは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 光導波層の断熱性を効率よく高めることができる光半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体素子の製造方法は、半導体基板上に、半導体中間層を形成する工程と、半導体中間層上に光導波層を含む半導体積層体を形成する工程と、その内面に半導体中間層が露出する溝を半導体積層体に形成する工程と、溝の内面に露出した半導体中間層を選択的ウェットエッチングによって除去することで、空隙を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合時の加熱プロセスに起因して電極層が有するオーミック性が劣化するのを抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（窒化物系半導体発光素子）は、ｎ型ＧａＮ基板１と、ｎ型ＧａＮ基板１の下面上に形成され、非晶質ＳｉからなるＳｉ層３１とＡｌ層３３とを有するオーミック電極層３０と、オーミック電極層３０のｎ型ＧａＮ基板１とは反対側に形成されたＡｕ層４１を有するパッド電極層４０と、オーミック電極層３０とパッド電極層４０との間に形成されたＰｄからなるバリア層３５とを含むｎ側電極２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体成長膜と支持体との間に高い絶縁性及び熱伝導性を有する絶縁膜を形成することによって半導体発光装置の耐電圧性及び放熱性の向上を図ることができる半導体発光装置の製造方法及びこれによって製造される半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】成長用基板上に半導体成長膜を形成する工程と、半導体成長膜上に金属膜を形成する工程と、金属膜上に少なくとも互いに隣接する第１絶縁層及び第２絶縁層を有する多層絶縁膜を形成する工程と、多層絶縁膜上に支持体を形成する工程と、を有し、第１絶縁層及び第２絶縁層のそれぞれに内在するピンホールは、第１絶縁層と第２絶縁層との界面において不連続であること。 （もっと読む）

【課題】断線等の発生が少ない信頼性の高い面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に順次積層形成された下部半導体ＤＢＲ、活性層及び上部半導体ＤＢＲと、前記活性層及び前記上部半導体ＤＢＲに形成されたメサと、前記メサの上面から側面に形成される電極と、を有し、前記メサの上面は多角形状に形成されており、前記電極は前記メサの側面のうち２面以上に各々形成されており、前記メサ側面に形成された２以上の前記電極同士は接続されており、前記電極の形成される前記側面においては、前記電極の形成されない領域を有していることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を低減することができる構成を備えた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体レーザが、Ｐ型ＩｎＰ基板１と、Ｐ型ＩｎＰ基板１に、Ｐ型ＩｎＰクラッド層２と、ＡｌＧａＩｎＡｓ歪量子井戸活性層３と、Ｎ型ＩｎＰクラッド層４と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層５と、Ｎ型ＩｎＰ埋込み層６と、Ｐ型ＩｎＰ埋込み層７と、Ｎ型ＩｎＰ層８と、Ｎ型ＩｎＰコンタクト層９と、ＳｉＯ_２絶縁膜１０と、Ｎ型電極１１と、Ｐ型電極１２とを備えている。半導体レーザが、Ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１を備える。 （もっと読む）

【課題】所望の出射ビーム形状が得られ、電流注入効率が悪くなることが抑制できる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側電極１１３と、ｎ側電極１１７と、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６と、下部ＤＢＲミラー１０２と、活性層１０５を有する共振器１１０と、を備え、上部ＢＤＲミラー１１６と、ｐ側電極１１３と、共振器１１０と、下部ＤＢＲミラー１０２はこの順に配置され、誘電体上部ＢＤＲミラー１１６の上面にフレネルゾーンを形成する同心円状の溝１２１、１２２、１２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】高い放熱性を確保しつつ、歩留まりを向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】サブマウント１２上に半田１１を介してジャンクションダウンで半導体レーザ１が実装されている。半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＮ基板２と、ｎ型ＧａＮ基板２上に形成されｐｎ接合を含む半導体積層構造３と、半導体積層構造３上に形成された電極８とを有する。電極８は、半田１１を介してサブマウント１２に接合されている。サブマウント１２と半導体積層構造３との間において電極８の周りを囲むように高融点金属膜１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制することが可能な埋め込みヘテロ構造の半導体レーザ等を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１Ａは、ｎ型半導体領域３ａとｐ型半導体領域７ａと半導体メサ５Ａと深部埋め込み層２０Ａを有する半導体埋め込み領域１９Ａとを備える。深部埋め込み層２０Ａは、第１高抵抗深部埋め込み層２１Ａを有し、ｐ型半導体領域７ａ及び半導体埋め込み領域１９Ａにはトレンチ３１ａ、３１ｂが形成されている。第１高抵抗深部埋め込み層２１Ａの伝導帯Ｅｃの下端のエネルギーレベルＥｃ２１は、ｎ型半導体領域３ａの伝導帯Ｅｃの下端のエネルギーレベルＥｃ３及び半絶縁性半導体埋め込み層２３の伝導帯Ｅｃの下端のエネルギーレベルＥｃ２３よりも低い、又は、エネルギーレベルＥｃ３及びエネルギーレベルＥｃ２３よりも高い。 （もっと読む）