【課題】活性層にダメージを与えることなく、動作電圧を低下させることを可能にする。
【解決手段】｛０００１｝面から＜１−１００＞方向への第１傾斜角度が０°以上４５°以下であってかつ＜１１−２０＞方向への第２傾斜角度が０°以上１０°以下であり、第１および第２傾斜角度の少なくとも一方が０°ではない基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｎ型層を形成する工程と、ｎ型層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、活性層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型第１層を形成する工程と、ｐ型第１層上に、少なくともＡｌを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体を備え、上面が凹凸形状を有する凹凸層を形成する工程と、凹凸層上に、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を形成する工程と、を備え、凹凸層は、ｐ型不純物濃度がｐ型コンタクト層のｐ型不純物濃度より低いこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】高効率で低動作電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｎ形半導体層、ｐ形半導体層、発光部、ｐ側電極を備えた半導体発光素子において、発光部はｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、複数の障壁層と複数の障壁層の間に設けられた井戸層とを含む。ｐ側電極はｐ形半導体層に接する。ｐ形半導体層は第１〜第４ｐ形層を含む。第１ｐ形層５１はｐ側電極に接し第１濃度でｐ形不純物を含む。第２ｐ形層５２は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。第３ｐ形層５３は第１ｐ形層５１と第２ｐ形層５２との間に設けられ、第２濃度よりも低い第３濃度でｐ形不純物を含む。第４ｐ形層５４は第２ｐ形層５２と第３ｐ形層５３との間に設けられ、ｐ形不純物の濃度はｎ形半導体層からｐ形半導体層への方向に沿って第２濃度から第３濃度に漸減する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低減すること。
【解決手段】ｐクラッド層１５は、厚さ０．５〜１０ｎｍのｐ−ＡｌＧａＮ層と、ＩｎＧａＮ層とを繰り返し成長させて積層させた超格子構造とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度は８００〜９５０℃とする。ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。ｐクラッド層１５の結晶品質を良好に保ちつつ、厚さを薄くできるため、駆動電圧を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の上昇を抑制することが可能な窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、ｎ型のエピタキシャル層と、活性層１４と、ｐ型のエピタキシャル層とを積層する工程と、ｐ型のエピタキシャル層にストライプ状のリッジ部１９による導波路構造を形成する工程と、リッジ部１９のみを被覆する形状となるようにフォトレジスト膜７０を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の井戸層がバリア層を介して積層されてなる活性層を有しつつ動作電圧を低減することが可能な窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半極性主面である表面１０ａを有する半導体基板１０と、表面１０ａ上に配置された下部光ガイド層２０ｄと、下部光ガイド層２０ｄ上に配置されると共に５１０〜５５０ｎｍの光を発生可能な量子井戸構造を有する活性層３０と、を備え、量子井戸構造が、ＩｎＧａＮからなる井戸層３０ａと、井戸層３０ａ上に配置されると共に窒化ガリウム系半導体からなるバリア層３０ｂと、バリア層３０ｂ上に配置されると共にＩｎＧａＮからなる井戸層３０ｃと、を有し、バリア層３０ｂのバンドギャップが下部光ガイド層２０ｄのバンドギャップより小さい。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体層の半極性主面とパラジウム電極との接触抵抗が増加することを抑制可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、半導体基板１０上に設けられた活性層１４と、活性層１４上に設けられると共に半極性の表面１８ｓを有するｐ型半導体層１８と、表面１８ｓに接合すると共にガリウムを含有するパラジウム電極３８と、を備え、パラジウム電極３８におけるガリウムの含有量が１ｍｏｌ％以上である。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、及びｐ型ｐ型電流分散層７を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１であって、ｐ型ｐ型電流分散層７中の水素濃度の平均値を１．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】特性が改善可能な半導体面発光素子及び製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体面発光素子は、閃亜鉛構造の第１化合物半導体からなる基本層６Ａ内に複数の穴Ｈを周期的に形成し、穴Ｈ内に、閃亜鉛構造であって第２化合物半導体からなる埋め込み層６Ｂを成長させてなるフォトニック結晶層６と、フォトニック結晶層６に対して光を供給する活性層４と、を備え、穴の側面は、｛１１０｝面を有しており、埋め込み層６Ｂは、穴の側面との界面である少なくとも１つの｛１１０｝面から突出した凸部ＨＢ１を有している。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの高温高出力動作時における動作電圧を低減する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、ｎ型ＧａＡｓ基板１１０上に、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層１１１、ｎ型第１量子井戸へテロバリア層１１２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１３、歪量子井戸活性層１１４（第１ガイド層１１４ｇ１、ＧａＩｎＰウェル層１１４ｗ１〜１１４ｗ３、ＡｌＧａＩｎＰバリア層１１４ｂ１、１１４ｂ２、第２ガイド層１１４ｇ２）、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１１５、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１１６、及び、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１１７がこの順に形成されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が低いＡｌＧａＮ層やＧａＮ層を用いた超格子歪緩衝層を平坦性良く形成すると共に、該超格子歪緩衝層上に平坦性および結晶性が良好な窒化物半導体層を形成した窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＡｌＮからなるＡｌＮ歪緩衝層と、ＡｌＮ歪緩衝層上に形成された超格子歪緩衝層と、超格子歪緩衝層上に形成された窒化物半導体層とを備える窒化物半導体素子であって、超格子歪緩衝層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．２５）よりなり、且つ、ｐ型不純物を含む第１の層と、ＡｌＮよりなる第２の層とを交互に積層して超格子構造を形成したものであることを特徴とする、窒化物半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗を低減できると共に、高電界印加時の電子のオーバーフローおよび結晶歪みによる劣化のいずれも抑制できる新規な窒化物半導体発光素子の提供。
【解決手段】所定の基板１０上に、ＡｌＧａＮからなるｎ型のクラッド層３０を有し、その上に窒化物半導体の量子井戸で構成される活性層４０を有し、その上にＡｌＧａＩｎＮからなるｐ型のクラッド層５０を有する。これによって、従来構造に比べてｐ型のクラッド層５０の電気抵抗を低減できると共に、高電界印加時の電子のオーバーフローおよび結晶歪みによる劣化のいずれも効果的に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】高い出力で単一横モード動作をさせつつ、素子抵抗を小さくすることができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。そして、射出面上に射出領域を取り囲んで設けられたｐ側電極１１３を有している。また、射出領域内に、該射出領域の中心部を取り囲んで設けられた光学的に透明な誘電体膜であるモードフィルタ１１５がλ／４の光学的厚さで形成されている。そして、ｐ側電極１１３におけるコンタクト層１０９に接触する部分の外側の外形は角を含む形状である。この場合、メサを大きくすることなく、ｐ側電極１１３とコンタクト層１０９との接触面積を従来よりも大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】動作電圧が低い窒化物半導体発光素子を提供することにある。さらには、動作電圧が低く、かつ光取り出し効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】窒化物半導体発光ダイオード素子２０は、ｎ型窒化物半導体層１２と、ｎ型窒化物半導体層１２上に形成された発光層１３と、発光層１３上に形成された第１のｐ型窒化物半導体層１４と、第１のｐ型窒化物半導体層１４の表面を被覆する部分と露出させる部分とが繰り返されるように第１のｐ型窒化物半導体層上に形成された中間層１５と、中間層１５の上に形成された第２のｐ型窒化物半導体層１６とを備え、中間層１５は、ＳｉとＮとを構成元素として含む化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】 非極性面上に低抵抗な半導体結晶が形成された半導体を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体は、基板１０１と、前記基板１０１の主面上に積層されたｐ型層１０８および１０９とを含み、前記基板主面は、非極性面であり、前記ｐ型層１０８および１０９は、ＩＩＩ族窒化物半導体およびＩＩ族酸化物半導体の少なくとも一方から形成され、且つ、前記ｐ型層１０８および１０９の上面が、前記基板主面と面方位が異なるファセット面を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子内部における光損失の発生を抑制することが可能であり、かつ、素子の電気特性を向上させることが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１０は、活性層２と凸状のリッジ３ａとを含む半導体レーザ素子層を備え、リッジ３ａの一方側面は、リッジ３ａの先端側に設けられ、活性層２の主表面に対して角度θ１で延びる側面３ｃと、リッジ３ａの根元側に設けられ、活性層２の主表面に対して角度θ１よりも小さい角度θ２で延びる側面３ｄとを有し、側面３ｄは、半導体レーザ素子層の結晶方位面からなる。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置の量子効率を改善する。
【解決手段】本発明では、ウェル層を成長させる際に、少なくとも１つのウェル層のインジウム含量を増大させる。また、本発明の光半導体装置は、窒化物半導体材料をベースとした第１の組成のウェル層は第１の電子エネルギを有しており、窒化物半導体材料の第２の組成のバリア層は第１の電子エネルギよりも高い第２の電子エネルギを有しており、バリア層の上にビーム活性の量子井戸層が成長されており、発光しないウェル層とバリア層とがビーム活性の量子井戸層に対して超格子を形成しており、ビーム活性の量子井戸層の層厚さは超格子のウェル層の層厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】半極性面を主面とするＧａＮ基板を用いた窒化物系半導体発光素子であって、井戸層とバリア層のバンドギャップの差が大きくても、発光効率の低下と駆動電圧の上昇を抑制することが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系半導体発光素子ＬＥ１、ＬＤ１は、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して４０度以上５０度以下及び９０度より大きく１３０度以下の範囲の角度αをなす主面１１ａを有する窒化ガリウム基板１１と、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３と、第２の窒化ガリウム系半導体領域１７と、複数のＩｎＧａＮからなる井戸層２１及び複数のＧａＮ系半導体からなるバリア層２３を含む発光層１５とを備え、複数の井戸層２１のピエゾ分極の方向は、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１３から第２の窒化ガリウム系半導体領域１７へ向かう方向であることを特徴とする。 （もっと読む）