【課題】半極性面上に良好な物理的接触を成す電極の形成とリッジ構造の形成との両方を可能にする、窒化物半導体発光素子を作製する方法が提供される。
【解決手段】エッチング装置１０ｆにおいて、リッジ形状を規定するパターンを有するハードマスク４３を形成する。このエッチングは、ＩＣＰ−ＲＩＥ法で行われる。エッチングは摂氏３００度以下の基板温度で行われる。ハードマスク４３を形成した後に、マスク４１を除去することができる。基板主面１１ａ及び半極性主面１３ａは基準軸Ｃｘに直交する面から６３度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜することができる。この傾斜の角度範囲では、半極性主面１３ａは酸化されやすいステップを有する。ハードマスク４３を用いて半導体積層１３及び金属膜３３のエッチングを行って、金属層４５と窒化物半導体領域４７とを形成する。窒化物半導体領域４７は半導体リッジ４９を含む。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗が低い半導体レーザの製造方法及び半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、活性層１０４を、ｎ型ＧａＮ基板の上方に堆積する。ＧａＮからなるｐ型ガイド層１０５を活性層１０４の上方に堆積する。低温ＡｌＮ層１１２を、ｐ型ガイド層１０５上に堆積する。開口部１０６ａをＡｌＮ層１１２に形成する。ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１０７を、低温ＡｌＮ層１１２及び開口部１０６ａを介して露出したｐ型ガイド層１０５上に、開口部１０６ａを介して露出したｐ型ガイド層１０５上における成長開始時の成長レートが低温ＡｌＮ層１１２上における成長開始時の成長レートよりも大きくなるように形成する。そして、ｐ型コンタクト層１０８をｐ型クラッド層１０７上に形成する。 （もっと読む）

【課題】半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体素子４１は、半極性主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａ上に設けられた窒化ガリウム系半導体層５１と、窒化ガリウム系半導体層５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。窒化ガリウム系半導体層５１はその表面が半極性を示すように成長されるけれども、高真空中で窒素ラジカル又はガリウムフラックスを照射しながらの熱処理によりその表面が改質される。改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。基板５５の主面５５ａは、該III族窒化物半導体のｃ軸方向に延びる基準軸ＶＣ５５に直交する基準平面を基準にして６１度より大きい角度を成す。 （もっと読む）

【課題】凸状のリッジ部を有する窒化物半導体レーザ装置において、リッジ部とそれに接続される電極とのコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】リッジ部１６Ａの上方に厚い膜厚の酸化シリコン膜１８を堆積し、リッジ部１６Ａが形成された領域とその周囲との実効的な段差を大きくする。これにより、リッジ部１６Ａの両側に塗布されたフォトレジスト膜２２の膜厚を厚くすることができるので、フォトレジスト膜２２を露光する際の露光光量を調節することによって、リッジ部１６Ａの両側にフォトレジスト膜２２の未露光部分を残す際、その上面の高さ（未露光部分の膜厚）を高い寸法精度で制御することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極との抵抗を低減でき、かつ、キンクレベル低下及び絶縁膜剥がれを抑制できる形状のリッジ構造を有する半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体発光素子の製造方法は、基板上の半導体層にパターニングされたレジストを形成する工程と、該基板を６０℃から７０℃のいずれかの温度とした上で、該レジストをマスクとして、Ｃｌ_２とＳｉＣｌ_４との混合ガスにより該半導体層をエッチングし、リッジトップの幅が１．２μｍ以上であり、リッジボトムの幅が１．４５μｍ以下であるリッジ構造を形成する工程と、該リッジ構造の側面に絶縁膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１に設けられており発光層１１を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域５と、窒化ガリウム系半導体領域５上に設けられており金属からなるｐ電極２１とを備える窒化物系半導体発光素子のＬＤ１を提供する。窒化ガリウム系半導体領域５は、歪みを内包する接触層１７を含み、接触層１７はｐ電極と接しており、主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３のｃ軸方向に直交する面から所定の傾斜角度θで傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びており、傾斜角度θは、４０度より大きく９０度より小さい範囲、又は、１５０度以上１８０度未満の範囲、の何れかに含まれている。窒化ガリウム系半導体領域５はＧａＮ基板３に格子整合している。 （もっと読む）

【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層と反射層との間に亜鉛、インジウム、スズのうち少なくとも一つの金属又は合金で形成された金属層が介在しており、金属層及び反射層形成以後に熱処理工程を経て製作される窒化物系発光素子及びその製造方法である。これにより、ｐ型クラッド層とのオーミック接触特性が改善され、発光素子のパッケージング時にワイヤボンディング効率及び収率を高めることができ、低い非接触抵抗と優秀な電流−電圧特性とにより素子の発光効率及び素子寿命を向上させうる。 （もっと読む）

【課題】活性層における電力変換効率を悪化させることなく、かつ電極とキャップ層との接触抵抗を低減可能とする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、互いに対向する第１の面１ａ及び第２の面１ｂを有する第１導電型の半導体基板１と、第１の面１ａの上方に形成された第１導電型のクラッド層４と、クラッド層４上に形成された活性層５と、活性層４上に形成された第２導電型のクラッド層６と、クラッド層６の上方に形成された第２導電型のリッジ１２と、リッジ１２上に形成された第１の電極１４と、第２の面１ｂに形成された第２の電極１５と、を備えている。リッジ１２は、多結晶膜又は結晶粒子の集合体膜であり、かつ第１の電極１４に接続する第２導電型の接触抵抗低減化膜１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】高出力、長寿命及び低動作電圧を可能とする半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】基板１上に第一半導体層２、活性層４、第二半導体層６及びコンタクト層７が順次積層されている。第二半導体層６及びコンタクト層７には、共振器端面間に延在するストライプ状のリッジ部６ａが設けられている。リッジ部６ａと接するように、誘電体膜８よりなる電流狭窄層８ａが形成されている。誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。共振器端面近傍のリッジ部６ａの上面において、コンタクト層７と誘電体膜８とが接する電流非注入領域が設けられ、第一電極９及び第二電極１０は、前記電流非注入領域における前記開口部の側壁面を除く誘電体膜８の上面領域から離間して設けられている。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の増加を抑制した半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００ａは、エピタキシャル層形成装置１１０と、電極形成装置１５０と、接続部１２０とを備えている。エピタキシャル層形成装置１１０は、基板上にエピタキシャル層を形成する。電極形成装置１５０は、エピタキシャル層に電極を形成する。接続部１２０は、エピタキシャル層形成装置１１０と電極形成装置１５０とを接続し、かつ大気を遮断した雰囲気である。 （もっと読む）

【課題】実装の際にワイヤボンディングが不要で、かつ、オーミック抵抗が低い半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】メサ基板の第１主表面上の、活性層の両側に電流ブロック部を形成する。活性層及び電流ブロック部上に第２クラッド層及びコンタクト層を順に形成する。ウェットエッチングにより、コンタクト層、第２クラッド層及び電流ブロック部を貫通してメサ基板に至る開口を形成する。コンタクト層上に第１オーミック電極を形成する。メサ基板を裏面研磨を行うことにより第１クラッド層を形成する。第１クラッド層の第２主表面上に第２オーミック電極を形成する。開口の内壁面上に形成された絶縁膜上に、第２オーミック電極と電気的に接続される側面電極を形成すると共に、コンタクト層上に形成された絶縁膜上に、第１オーミック電極と電気的に接続される第１コンタクト電極、及び、側面電極と電気的に接続される第２コンタクト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１に設けられており発光層１１を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域５と、窒化ガリウム系半導体領域５上に設けられており金属からなるｐ電極２１とを備える窒化物系半導体発光素子のＬＤ１を提供する。窒化ガリウム系半導体領域５は、歪みを内包する接触層１７を含み、接触層１７はｐ電極と接しており、主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３のｃ軸方向に直交する面から所定の傾斜角度θで傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びており、傾斜角度θは、４０度より大きく９０度より小さい範囲、又は、１５０度以上１８０度未満の範囲、の何れかに含まれている。窒化ガリウム系半導体領域５はＧａＮ基板３に格子整合している。 （もっと読む）

【課題】III-Ｖ族窒化物半導体に設けるオーミック電極のコンタクト抵抗を低減しながらデバイスの特性を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置（ＨＦＥＴ）は、ＳｉＣ基板１１上にバッファ層１２を介在させて形成された第１の窒化物半導体層１３と、該第１の窒化物半導体層１３の上に形成され、該第１の窒化物半導体層１３の上部に２次元電子ガス層を生成する第２の窒化物半導体層１４と、該第２の窒化物半導体層１４の上に選択的に形成されたオーム性を持つ電極１６、１７とを有している。第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ｐ型電極のコンタクト抵抗を低減することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板上に、Ｖ族原料としてアンモニアとヒドラジン誘導体を用いて、ｐ型ＧａＮ層（ｐ型窒化物半導体層）を形成する。次に、ｐ型ＧａＮ層にオーミック接触するｐ側電極を形成する。ｐ型ＧａＮ層を形成した後に４５０℃より高い温度で熱処理を行わない。これにより、ｐ側電極５８のコンタクト抵抗を低減することができる。従って、動作電圧を低くすることができるため、発熱による電力消費を低減することができ、高出力でも劣化の少ない長寿命の半導体レーザーを得ることができる。また、コンタクト抵抗が低いため、高速の応答が可能になる。さらに、高温の熱処理を必要としないため、プロセス変動の影響を受けにくく、歩留まりを向上させることができ、低コスト化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体のｐ型層の結晶成長にヒドラジン誘導体を含む窒素原料ガスを用いたレーザプロセスに於いてコンタクト抵抗を劣化させること無く窓領域を形成して、信頼性の高い高出力の窒化物半導体系レーザを得る。
【解決手段】ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。同層５の上に不純物供給源としてＳｉＯ₂膜１５を形成し、保護膜１６で全面を被覆する。約１１００℃以上の高温熱処理を実施してｎ型不純物固相拡散領域１１をＳｉの拡散により形成し、レーザ端面形成予定部１４近傍領域の活性層４内に選択的に窓領域１２を形成する。両膜１５，１６の除去後、積層されたガイド層５上に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｍｇをドーパントとし且つアンモニア及びヒトラジン誘電体を窒素供給源として、ｐ型層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板裏面に形成された電極と基板とのコンタクト抵抗を低減しつつ、信頼性の高い窒化物半導体発光素子を実現する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体基板１０と、窒化物半導体基板１０の第１の主面上に形成され、光を生成する活性層１３を有する窒化物半導体層と、窒化物半導体基板１０の第２の主面上に形成された電極２０とを備えている。窒化物半導体基板１０と電極２０との界面部分における酸素ピーク濃度が２９原子％以上で、且つ炭素ピーク濃度が１１原子％以下である。 （もっと読む）