【課題】結晶性が損なわれることなく比較的小さい接触抵抗と比較的高いキャリア濃度とを有するｐ型のコンタクト層を有するＩＩＩ族窒化物半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層１７の上に設けられたコンタクト層２５ａとコンタクト層２５ａの上に設けられコンタクト層２５ａに直接接するコンタクト層２５ｂとコンタクト層２５ｂの上に設けられコンタクト層２５ｂに直接接する電極３７とを備える。コンタクト層２５ａ及びコンタクト層２５ｂはｐ型の同一の窒化ガリウム系半導体から成り、コンタクト層２５ａのｐ型ドーパントの濃度はコンタクト層２５ｂのｐ型ドーパントの濃度よりも低く、コンタクト層２５ａとコンタクト層２５ｂとの界面Ｊ１はｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面Ｓｃから５０度以上１３０未満の角度で傾斜しており、コンタクト層２５ｂの膜厚は２０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】回折格子とその上に形成された半導体層の間に空洞が形成されることなく、その上面が平坦になるように再成長させることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】基板１１と窒化物半導体層とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、第１及び／又は第２窒化物半導体層１２，１４内に凹凸が形成され、凹凸が形成された半導体層上に、凹凸を埋める半導体層が形成され、凹凸が形成された半導体層は、基板の法線方向に延びる側面と、側面から連続してさらに下方向に延び側面よりも基板の法線方向に対する傾斜が大きい傾斜面と、傾斜面から延び基板表面に水平な底面とを有する凹部を備え、凹部深さが５０〜３００ｎｍである窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物のパイルアップによるｐ型キャリア濃度の低減を抑制したIII−Ｖ族化合物半導体結晶、光半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】大気中に暴露されたｐ−ＩｎＰ層１３ａ上に、Ｚｎ及びＳｂを含むｐ−ＩｎＰ層１４ａと、Ｚｎを含むｐ−ＩｎＰ層１４ｂとを順次積層して、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体結晶を再成長させると共に、ｐ−ＩｎＰ層１４ａ中におけるＺｎの濃度をｐ−ＩｎＰ層１４ｂ中におけるＺｎの濃度より高くした。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型結晶層をＶ／ＩＩＩ比が小さいエピタキシャル条件で形成するとともにｐ型結晶層の電気抵抗を低減する。
【解決手段】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、半導体基板はコンタクト層として機能するｐ型結晶層を有し、ｐ型結晶層が、３−５族化合物半導体からなり、２×１０^１８ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。ｐ型結晶層として、ｐ型ＧａＡｓ層が挙げられる。ｐ型結晶層が、ｐ型不純物原子として炭素原子を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ｎ形半導体層と、電極と、ｐ形半導体層と、発光層と、を備えた半導体発光素子が提供される。ｐ形半導体層は、ｎ形半導体層と電極との間に設けられる。ｐ形半導体層は、電極に接するｐ側コンタクト層を含む。発光層は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられる。ｐ形半導体層は、ｐ側コンタクト層と発光層との間に設けられ、ｐ形不純物濃度がｐ形コンタクト層のｐ形不純物濃度よりも低いｐ形層を含む。ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。複数の突起部の第１方向に対して垂直な平面内における密度は、５×１０^７個／ｃｍ^２以上、２×１０^８個／ｃｍ^２以下である。複数の突起部に含まれるＭｇの濃度は、突起部以外の部分に含まれるＭｇの濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体の電気特性を向上できるIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体領域１５及び窒化ガリウム系半導体領域１９は、基板１３の主面１３ａ上に設けられる。窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の酸素濃度は、１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。また、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．０×１０^１７ｃｍ^−３以上の範囲にあり、III族窒化物半導体膜２１の水素濃度は１．５×１０^１８ｃｍ^−３以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ界面近傍の領域におけるドーパントの偏析を抑制して素子抵抗の上昇を抑制し、高温での安定動作と高出力化を両立可能とする半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。ｐ型キャップ層１１はｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層とｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層とが交互に積層されている。ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。各ｐ型ＧａＡｓ層の厚さはそれぞれ１０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】よりいっそうの低消費電力化が可能な面発光レーザ、光源、及び光モジュールを提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を挟むように形成され、第２導電型コンタクト層側に配置された第１組成傾斜層および活性層側に配置された第２組成傾斜層を備え、第１組成傾斜層および第２組成傾斜層は、積層方向において電流狭窄層からそれぞれ反対側の隣接する層に近づくにつれてそのバンドギャップエネルギーが単調減少し、隣接する層のバンドギャップエネルギーに近づくように構成され、第２導電型クラッド層はキャリアの移動度を低下させる材料を含み、第２組成傾斜層のキャリア濃度が、電流狭窄層の電流注入部のキャリア濃度以上である。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減を図る。
【解決手段】ＶＣＳＥＬのＤＢＲ層２５において、屈折率及びバンドギャップが異なるナローバンド層２５ｂ及びワイドバンド層２５ａを交互に積層し、ナローバンド層２５ｂとワイドバンド層との間にグレーデッド層２５ｃを配置し構成するとともに、ワイドバンド層２５ａはナローバンド層２５ｂに比べて大きいバンドギャップ及び高い不純物濃度とし、グレーデッド層２５ｃは、ナローバンド層２５ｂと隣接する一端面側からワイドバンド層２５ａと隣接する他端面側に向かってナローバンド層２５ｂの組成で始まってワイドバンド層２５ａの組成で終わるように連続的に組成変化させて形成するとともに、ナローバンド層２５ｂと隣接する一端面側からワイドバンド層２５ａと隣接する他端面側に向かってナローバンド層２５ｂの不純物濃度で始まってワイドバンド層２５ａの不純物濃度で終わるように傾斜的に変化させて形成する。 （もっと読む）

【課題】活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】活性層７と、前記活性層７を挟んで配置される出射側ＤＢＲ５及び非出射側ＤＢＲ９と、前記出射側ＤＢＲ５側に設けられ、開口部１５ａを有する出射側電極１５と、前記非出射側ＤＢＲ９側に設けられた非出射側電極１３と、を備えた面発光型半導体レーザ素子１であって、前記非出射側ＤＢＲ９の膜厚方向における抵抗が、前記出射側ＤＢＲ５の膜厚方向における抵抗よりも高いことを特徴とする面発光型半導体レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】低消費電力化が可能な面発光レーザを提供すること。
【解決手段】基板上に形成された下部多層膜反射鏡と、下部多層膜反射鏡上に形成された第１導電型コンタクト層と、第１導電型コンタクト層上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層と、活性層上に形成された第２導電型クラッド層と、第２導電型クラッド層上に形成された電流狭窄部を有する電流狭窄層と、第２導電型高導電率層上に形成された第２導電型コンタクト層と、第２導電型コンタクト層上に形成された上部多層膜反射鏡と、第２導電型コンタクト層上に形成された第２導電型側電極と、第１導電型コンタクト層上に形成された第１導電型側電極と、を備え、２５℃〜９０℃の環境温度の変化に対して、４ｄＢ以上の消光比を取る為の変調時のバイアス電流を中心とする変調領域での微分抵抗の変動量が１５Ω以下である。 （もっと読む）

【課題】 低い動作電流または動作電圧で動作可能な窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光素子の製造方法および電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体発光素子は、
非極性面を主面とする基板１０１の前記主面上に、ｎ型層１、ｐ型層２および活性層１０５が積層され、活性層１０５は、ｎ型層１とｐ型層２とに挟まれており、
活性層１０５は、Ｎ＋１層の障壁層と、前記各障壁層に挟まれたＮ層の量子井戸層とからなり、Ｎは２以上の整数であり、
基板１０１に最も近い前記障壁層は、アンドープ層であり、その他の前記障壁層のうち少なくとも一層はｎドープ層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】無極性窒化物半導体基板上に成長された窒化物半導体積層体において、活性層の発光強度が劣化することなく、ｐ型窒化物半導体層を低抵抗にすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法は、無極性窒化物半導体基板上に窒化物半導体層を複数積層した窒化物半導体積層体を形成する工程と、該窒化物半導体積層体をアニールする工程とを含み、該アニールする工程は、５００度以上７００度以下で行なうことを特徴とする。 （もっと読む）

１つ以上の選択された波長の発光を行うために構成された活性領域を有する低電圧レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化されたｐ型窒化ガリウム系半導体層を含むIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】支持体１３の主面１３ａは、基準平面Ｓｃに対して４０度以上１４０度以下の角度ＡＬＰＨＡを成しており、基準平面Ｓｃは該III族窒化物半導体のｃ軸の方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する。主面１３ａは半極性及び無極性のいずれか一方を示す。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５は支持体１３の主面１３ａ上に設けられる。ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７にはｐ型ドーパントしてマグネシウムが添加されており、ｐ型ＧａＮ系半導体層１７はｐ型ドーパントとして炭素を含む。ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型半導体層の数を減らした窒化物系半導体レーザ構造体の提供。
【解決手段】 ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。このｐ−ｎトンネル接合２２０により、窒化物系半導体レーザ構造２００におけるｐ型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体層の製造方法、不純物の不活性化が抑制された半導体層、簡易な方法で不純物の不活性化を抑制することの可能な半導体レーザの製造方法、および不純物の不活性化が抑制された半導体層を備えた半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層を形成したのち、結晶成長を完了した段階（時刻ｔ₁）で、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＤＭＺの供給を停止すると共に、プロセス温度の降下を開始する。ＡｓＨ₃については、プロセス温度が５００℃以上となっている時に供給を停止する。このとき、ＡｓＨ₃に代わる新たなガス、例えば、有機Ａｓや窒素などを別途供給しない。 （もっと読む）

【課題】低熱抵抗かつ低転位の面発光レーザ素子、面発光レーザアレイ素子、面発光レーザ装置、光源装置、および光導波路モジュールを提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓからなる基板と、前記基板上に形成された、Ａｌ_xＧａ_1−xＡｓ（０．８≦ｘ≦１）からなる低屈折率層とＡｌ_yＧａ_1−yＡｓ（０≦ｙ＜ｘ）からなる高屈折率層との周期構造から形成され、かつ該低屈折率層および高屈折率層の少なくとも１層がｎ型である下部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡の上側に設けられた、低屈折率層と高屈折率層との周期構造から形成される上部多層膜反射鏡と、前記下部多層膜反射鏡と前記上部多層膜反射鏡との間に設けられた活性層と、少なくとも前記下部多層膜反射鏡と前記活性層との間に設けられた、前記活性層に電流を注入するための下部電極と、を備える。 （もっと読む）