【課題】 絶縁物からなる断熱層パターン上に良好な結晶性の光導波路を形成する。
【解決手段】 絶縁物からなる断熱層パターン２上に、断熱層パターン２から露出した基板１上の半導体結晶面１Ａを核としたエピタキシャル成長により、埋込層３を形成する。断熱層パターン２上には、埋込層３が横方向にエピタキシャル成長し、これによって断熱層パターン２が埋め込まれる。断熱層パターン２上にエピタキシャル成長によって埋込層３が形成できるので、断熱層パターン２上に半導体結晶からなる光導波路１０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】各レーザ素子のサーマルクロストーク特性を均一なものにし、レーザ素子間のレーザ光出力差を低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】ストライプ状のリッジ部を有するレーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４が、並列配置されている。素子間分離溝配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの各領域における斜線部が、配線層２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと各レーザ発光部ＬＤ１〜ＬＤ４のリッジ部上のリッジ電極とが電気的に接続される。内側レーザ発光部ＬＤ２、ＬＤ３よりも、外側レーザ発光部ＬＤ１、ＬＤ４の両側に形成される２つの素子分離溝間の幅を狭くしていくことにより、サーマルクロストークの差を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 ヒータによって出力された熱を光導波路層に効率よく供給することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置（１００）は、半導体基板（１０１）と、半導体基板上において上面および側面を備えて画定され光導波路層（１０６）を備えたストライプ状の半導体領域（１０２）と、半導体領域の光導波路層より上部に設けられたヒータ（１０４）と、を備え、半導体領域の幅は、ヒータが設けられた全ての領域に渡って半導体基板の幅より狭く画定され、光導波路層は、半導体領域の側面の下端より上側に設けられ、半導体領域の側面の下端の位置から光導波路層の位置までの距離は、半導体領域の幅の０．５倍以上である。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化や構造上の問題に起因するビームの長波長化を抑制し、各発光部において所望の発振波長を得ることのできる半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】リッジ部１１Ａ〜１１Ｈにはそれぞれ帯状の上部電極１３が設けられ、これら上部電極１３は絶縁膜１５により覆われている。絶縁膜１５には上部電極１３毎に配線層１８と上部電極１３との電気的接続のためのコンタクト用開口１と共に、放熱用の窓領域１９（１９Ａ〜１９Ｈ）が設けられている。中央のリッジ部１１Ｄ，１１Ｅの窓領域１９Ｄ，１９Ｅが相対的に狭く、両端側のリッジ部１１Ａ，１１Ｈの窓領域１９Ａ，１９Ｈが相対的に広くなっている。窓領域１９Ａ〜１９Ｈの面積に変化を持たせて放熱機能を制御することにより、ビームの長波長化が抑制され、発振波長が均一化される。 （もっと読む）

【課題】回折格子の温度依存性を低減し、半導体レーザの性能向上を図ることができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板１と、基板１の上に積層される下部クラッド層４と、下部クラッド層４の上に積層される活性層２と、活性層２の上に積層される上部クラッド層３とを備える光半導体装置において、上部クラッド層３には光を導波する光導波層３ａを形成し、上部クラッド層３の光導波層３ａの両脇には列状に孔５を形成した。 （もっと読む）

【課題】 活性層の禁制帯幅の温度変化を小さくした発光装置を提供すること。
【解決手段】
温度が上昇すると禁制帯の幅が広くなる第１の材料で形成された量子ドットと、温度が上昇すると禁制帯の幅が狭くなる第２の材料で形成され、前記量子ドットを埋め込む障壁層とを有する活性層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】半導体発光装置を構成する一の半導体発光素子から他の半導体発光素子に対する断熱性や遮光性を高めることにより、発振特性の安定性を高めた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置１００において、複数個の半導体発光素子５０は、溝９７を介して個々に分離されている。また、溝９７の内側の側面上には、半導体発光素子５０から漏れ出す光を反射するための反射膜２１が配置されている。 （もっと読む）

【課題】端面窓構造を極めて簡単に形成することができ、光導波損失やレーザ動作時の光吸収・局所的な発熱を抑えることができる、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法を提供する。
【解決手段】低欠陥密度の第１の領域１１ａ中に高欠陥密度の直線状に延在する複数の第２の領域１１ｂが互いに平行に周期的に配列したｎ型ＧａＮ基板１１上の、少なくとも端面窓構造の形成位置の近傍でかつ二つの第２の領域１１ｂ間の第１の領域１１ａの中心線に関して線対称な二つのレーザストライプ形成位置１６の一方の側または両側に、絶縁膜マスク１６を形成する。絶縁膜マスク１６の幅、間隔、形状、位置などは設計により決める。この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】温度調節手段を用いることなく比較的長波長帯でも長距離伝送が可能な半導体レーザモジュールを提供すること。
【解決手段】半導体レーザ部と、該半導体レーザ部の出力側に配置される電界吸収型変調部と、が形成されるレーザ素子と、該レーザ素子を内部に収容する筒状の筐体と、を含む半導体光モジュールであって、前記電界吸収型変調部は、光導波路層を含むとともに上下に電極が配置されるメサ構造と、該光導波路の両側部に隣接して配置される半絶縁半導体からなる埋め込み層と、を含み、前記埋め込み層は、鉄が不純物として添加されたインジウム燐により構成され、リン酸トリブチルを燐の原料とした埋め込み成長法により形成されたり、不純物としてルテニウムが添加されたりする。或いは、前記メサ構造の最上層は、炭素が不純物として添加された半導体により構成され、上側の前記電極に接触する。 （もっと読む）

【課題】光出力の温度依存性を低減することの可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲ層１８と下部クラッド層１１との間、すなわち、キャビティ内に基板１０が設けられている。これにより、半導体レーザ１の実効的な共振器長が基板１０の厚さの分だけ長くなり、複数の軸モードで発振が生じるので、温度変化により発振波長がシフトした場合であっても、いずれかの軸モードにおいて、シフトした後の発振波長における波長オフセット量が、光出力が最大となるときの波長オフセット量と等しいか、それに近い値になる。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減、結晶歪みの抑制およびサイドリーク電流の発生抑制を実現し得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０Ａは、下部電極層１１と、下部電極層１１上に形成された下部クラッド層２３と、下部クラッド層２３上に形成された発光層２４，２５，２７と、電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂと、これら電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂ上に形成された上部クラッド層２８と、上部クラッド層２８上に形成された上部電極層１２Ａとを備える。上部クラッド層２８は、方向１３の分極電界を有する第１電界層２８６と、逆方向１４の分極電界を有する第２電界層２８５とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の発光チャネルを有する半導体レーザ（ＬＤ）において、個別の発光チャネルの温度制御をする方法は実用化されていない。温度センサをＬＤ基板に設けて温度制御をする場合、全体の平均的な温度は制御できるが、個別の発光チャネルに対しては制御ができない。特に、画像形成装置などに用いる高密度のＬＤアレイの場合は、発光チャネルの駆動負荷が一様に生ずるとは限らず、個別の発熱ばらつきが大きくなりやすい。
【解決手段】ピラー型の発光チャネルの近傍に温度調整部としてのピラーを設け、温度上昇した発光チャネルからの輻射熱を吸収させる。温度調整部が吸収した熱は温度調整部からの輻射熱をして放散される。発光チャネルの温度が下がりすぎて光量ムラが問題になる構成の場合は、温度調整部自身も電流注入による発熱可能な構成にし、常時ほぼ一定の温度に制御することもできる。温度調整部を発光チャネルと同様構成にすることもできる。 （もっと読む）

【課題】赤外レーザの温度特性を高め、低電圧動作が可能な赤外レーザを有する二波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０と、基板１０上に形成された第１の半導体レーザと、第１の半導体レーザよりも短い波長の光を出力し、基板上に形成された第２の半導体レーザとを備えている。第１の半導体レーザは、基板１０の上方に形成された第１導電型の第１のクラッド層１２と、第１のクラッド層１２上に形成された第１導電型の第１のガイド層１３と、第１のガイド層１３上に形成されＡｌＧａＡｓを含む第１の活性層１４と、活性層１４上に形成され、活性層１４との界面部のＡｌ組成が上面部のＡｌ組成より小さい第２導電型の第２のガイド層１５ｇ２、１５ｇ１と、第２のガイド層１５ｇ１上に形成された第２導電型のクラッド層１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】キンクレベル、動作電圧、温度特性及び水平広がり角が最適化された２波長半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、第１発光部１及びそれより発光波長の長い第２発光部２を有する。第１発光部１及び第２発光部２は各々キャリア注入に用いるストライプ状リッジ構造を有する。第１発光部１のリッジ構造４０は、幅Ｗｆ１で前端面５から長さＬ３の第１前端領域４０ｃ、幅Ｗｒ１で後端面６から長さＬ１の第１後端領域４０ａ及びこれらの間の長さＬ２の第１テーパ領域４０ｂを備え、Ｗｆ１＞Ｗｒ１である。第２発光部２のリッジ構造４１は、幅Ｗｆ２で前端面５から長さＬ６の第２前端領域４１ｃ、幅Ｗｒ２で後端面６から長さＬ４の第２後端領域４１ａ及びこれらの間の長さＬ５の第２テーパ領域４１ｂを備え、Ｗｆ２＞Ｗｒ２である。更にＬ１＋Ｌ２＋Ｌ３＝Ｌ４＋Ｌ５＋Ｌ６、Ｗｆ１＜Ｗｆ２及びＬ１＞Ｌ４である。 （もっと読む）

【課題】隣接した半導体レーザ素子間の電気的干渉又は熱的干渉を低減した信頼性の高い半導体レーザアレイ素子を提供する。
【解決手段】少なくとも、ｎ型半導体基板１上に形成されたｎ型クラッド層２と、前記ｎ型クラッド層２の上に量子井戸構造からなる活性層３と、前記活性層３の上にリッジ部１６と当該リッジ部１６の両側にストライプ溝部１５とを有するｐ型クラッド層４ａ、４ｂとを積層して構成された半導体レーザアレイ素子であって、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａ内にｎ型半導体領域７を有し、前記ｎ型半導体領域７の積層方向の厚さは、前記ストライプ溝部１５より下方に存在する前記ｐ型クラッド層４ａの積層方向の厚さの５０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光出力の安定した光素子を提供する。
【解決手段】
本発明の第１の形態に係る光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、面発光型半導体レーザの出射面の上方に形成された光検出素子１２０と、面発光型半導体レーザと前記光検出素子との間に形成された分離層２０と、を含み、光検出素子は、光吸収層１１２と、当該光吸収層と面発光型半導体レーザとの間に形成された第１コンタクト層１１１と、を有し、前記第１コンタクト層は、吸収端波長が面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなり、かつ前記光吸収層より低い屈折率を有し、前記分離層は、吸収端波長が面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなり、第１コンタクト層と分離層の総膜厚ｄは、下記式（１）を満たす。
ｍλ／２ｎ−λ／１６ｎ＜ｄ＜（２ｍ＋１）λ／４ｎ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】混晶基板上の歪量子井戸構造のポテンシャル分布を深くし、温度特性を向上した光半導体装置を提供する。
【解決手段】３元の混晶の半導体結晶からなる基板１と、この基板１の上に形成された、活性部である歪量子井戸層２とバリア層３，４とからなる歪量子井戸構造およびクラッド部であるＩｎＧａＰクラッド層５，６とを有する光半導体装置において、基板１の半導体結晶はＩｎ_xＧａ_1-xＡｓであり、その組成比ｘを０．１から０．２の範囲とする。また、バリア層のＩｎＡｌＧａＡｓのＡｌの組成比を０．１５から０．３の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】導波方向の設計の自由度を向上させることを可能としつつ、屈折率が互いに異なる導波路間における反射および屈折による導波路損失を低減する。
【解決手段】第１導波路１２０１と第２導波領域１２０２との境界面１２０４を第１導波路１２０１の光の伝播方向に対して傾くように配置し、第２導波領域１２０２と第３導波路１２０３との境界面１２０５を第１導波路１２０１と第２導波領域１２０２との境界面１２０４における光の屈折方向の延長線上に対して傾くように配置し、第２導波領域１２０２と第３導波路１２０３との境界面１２０５における光の屈折方向が第３導波路１２０３の光の伝播方向に一致するように設定する。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で（広い温度範囲で）動作し、且つ、長距離伝送が可能な電界吸収型光変調器と、これを備えた半導体光集積素子及びこれらの制御方法を提供する。
【解決手段】ＩｎとＧａとＡｓを有する井戸層と、ＡｌとＩｎとＧａとＡｓを有する障壁層とからなる量子井戸構造３を有し、この量子井戸構造３の伝導帯オフセット値を、電界吸収型光変調器を高温で動作させるために１２０ｍｅＶ以上とし、電界吸収型光変調器により変調された光信号を長距離伝送させるために２５０ｍｅＶ以下とする。 （もっと読む）

【課題】大型化を招くことなく、各面発光レーザの独立配線が容易であり、かつ熱干渉の影響を小さくする。
【解決手段】１６個の面発光レーザ（ｖ１〜ｖ１６）が、Ｓ方向に関して等間隔ｄ１、Ｓ方向に対して角度θだけ傾斜したＴ方向に関して等間隔ｄ２で配列された面発光レーザ群１００Ａと、１６個の面発光レーザ（ｖ１７〜ｖ３２）が、Ｓ方向に関して等間隔ｄ１、Ｔ方向に関して等間隔ｄ２で配列された面発光レーザ群１００Ｂとを有している。そして、面発光レーザ群１００Ｂは、面発光レーザ群１００Ａに対して、Ｓ方向にｄ１／２だけずらし、そして、Ｔ方向にｄ２／２だけすらした位置に配置されている。さらに、２つの面発光レーザ群を構成する３２個の面発光レーザは、Ｓ方向に延びる仮想線上に正射影したときの間隔が等間隔ｄ３である。 （もっと読む）