【課題】半導体レーザ装置の高温特性を向上させる。
【解決手段】活性層３の上部には、光を活性層３に閉じ込めるための光ガイド層４が形成されており、光ガイド層４の上部には、ＭｇやＺｎをドーパントとして含むｐ型クラッド層５が形成されている。光ガイド層４は、アンドープＡｌＧａＩｎＰからなる第１光ガイド層４ａと、ＳｉドープＡｌＧａＩｎＰからなるＳｉドープ層４ｂと、アンドープＡｌＧａＩｎＰからなる第２光ガイド層４ｃとをこの順に積層した３層構造で構成されている。Ｓｉドープ層４ｂは、ｐ型クラッド層５内のｐ型ドーパント（Ｍｇ、Ｚｎ）が活性層３に拡散するのを抑える拡散防止層であり、その膜厚は２ｎｍ〜２０ｎｍ、Ｓｉ濃度は２×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ装置の高温・高出力特性を改善する。
【解決手段】ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。また、リッジ部５Ａの側壁下部、およびリッジ部５Ａの側壁近傍のｐ型第２クラッド層５の上面には、第１パッシベーション膜８を覆うように第２パッシベーション膜９が形成されている。リッジ部５Ａの側壁底部における２層のパッシベーション膜の合計の膜厚は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ界面近傍の領域におけるドーパントの偏析を抑制して素子抵抗の上昇を抑制し、高温での安定動作と高出力化を両立可能とする半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１にはｎ型半導体基板２上にｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、及びリッジ１２が形成されている。リッジ１２は第２のｐ型クラッド層９、ｐ型バンド不連続緩和層１０、ｐ型キャップ層１１が積層されている。ｐ型キャップ層１１はｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層とｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層とが交互に積層されている。ｐ型ＧａＡｓ層は１層目がｐ型バンド不連続緩和層１０に、ｍ＋１層目が第１電極１４に接している。第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。各ｐ型ＧａＡｓ層の厚さはそれぞれ１０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１の導波路コア１７及び第２の導波路コア１９は、第１導電型クラッド領域１３と第２導電型クラッド領域１５との間に設けられる。伝搬定数同調コア２３は活性導波路コア２５に中間半導体層２１を介して光学的に結合される。第１の導波路コア１７は例えば伝搬定数同調コア２３を含み、第２の導波路コア１９は活性導波路コア２５を含む。伝搬定数同調コア２３に係るフォトルミネセンス波長は活性層２７に係るフォトルミネセンス波長より短い。活性導波路コア２５に係る分散特性は伝搬定数同調コア２３に係る分散特性と異なる。活性導波路コア２５における光伝搬に係る位相速度は、ある波長で、伝搬定数同調コア２３における光伝搬に係る位相速度に等しくなる。活性導波路コア２５及び伝搬定数同調コア２３における位相速度に等しくなる波長でレーザ発振が生じる。 （もっと読む）

【課題】温度特性に優れた長波長半導体レーザを提供する。
【解決手段】ｐ型ＩｎＰ基板上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層、ｎ型ＩｎＰクラッド層が順次積層されている。ＩｎＧａＡｓＰ歪量子井戸活性層は、ＩｎＧａＡｓＰバリア層４０及びＩｎＧａＡｓＰウェル層４２が交互に積層された多重量子井戸構造と、多重量子井戸構造を挟むＩｎＧａＡｓＰガイド層４４，４６とを有する。発振時のＩｎＧａＡｓＰバリア層及びＩｎＧａＡｓＰガイド層のキャリア密度を２×１０^１７／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】幅広い温度範囲において、縦モードがマルチモード発振特性及び温度特性を安定に維持し且つ温度特性が良好な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、基板１０１上に、第１のクラッド層１０３と、第１のクラッド層１０３上に形成された活性層１０４と、活性層１０４上に形成され、活性層１０４に電流を注入するためのリッジストライプ１１１を有する第２のクラッド層１０５と、リッジストライプ１１１の両側に形成され、電流がリッジストライプ１１１に狭窄されるようにするための電流狭窄層１０９とを有する発光部を備える。ここで、電流狭窄層１０９の下面から活性層１０４の上面までの距離ｄ１が所定の範囲の値である。また、電流は、リッジストライプ１１１を通過した後、活性層１０４に到達するまでにリッジストライプ１１１の幅以上に広がっている。 （もっと読む）

【課題】 赤色半導体レーザにおいて出力向上，特性の安定化を図る。
【解決手段】 共振器の少なくとも一端にコーティング膜が設けられ、前記コーティング膜は、前記共振器端面に形成される第１層と、該第１層上に形成される第２層とを有する半導体レーザ素子の製造方法において、前記第１層の光学厚さｄ１と前記第２層の光学厚さｄ２の和がレーザ光の波長の０．４５倍から０．５５倍の厚さであり、前記第１層と前記第２層の光学膜厚比ｄ１／ｄ２は、０．５４≦ｄ１／ｄ２≦０．９５、または１．０５≦ｄ１／ｄ２≦１．８６の関係となる設計値で、前記第１層と前記第２層とを成膜する。 （もっと読む）

【課題】低い閾値で高温状態においても高出力が可能な面発光型レーザ等に用いられるｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、ｐ型不純物元素としてＭｇまたはＺｎを含む、III−Ｖ族の化合物半導体材料により形成される低屈折率層と高屈折率層とが積層されたｐ型半導体ＤＢＲ構造体において、前記低屈折率層には、一部に不純物拡散防止層が設けられており、前記不純物拡散防止層におけるＡｌ組成比は、前記低屈折率層における不純物拡散防止層以外の領域におけるＡｌ組成比よりも高いことを特徴するｐ型半導体ＤＢＲ構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高出力で温度特性の良好な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 反射層１０２Ａは、反射層１１２と反射層１１３からなる。反射層１１２は、基板上に形成され、反射層１１３は、反射層１１２上に形成される。反射層１１２は、低屈折率層１１２１と高屈折率層１１２２とが積層された構造からなる。低屈折率層１１２１は、ｎ−ＡｌＡｓからなり、高屈折率層１１２２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。反射層１１３は、低屈折率層１１３１と、高屈折率層１１３２とが積層された構造からなる。低屈折率層１１３１は、ｎ−Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓからなり、高屈折率層１１３２は、ｎ−Ｇａ_０．５Ｉｎ_０．５Ｐからなる。 （もっと読む）

【課題】発振波長が1.290〜1.350μmの分布帰還型半導体レーザあるいはファブリペロー・レーザにおいて、高温下においても高出力を実現可能な素子を実現する。
【解決手段】半導体レーザの活性層2に、高温下高出力に優れたInP基板上のInGaAlAs系材料の多重量子井戸構造の障壁層最適値 (In_(1-x-y) Ga_(x) Al_(y) Asのx値及びy値)として、0.19 < x < 0.27、0.31 < y < 0.39、の範囲の数字を同時に持つようにした。 （もっと読む）

【課題】発振波長が1.530〜1.565μmの分布帰還型半導体レーザあるいはファブリペロー・レーザにおいて、高温下においても高出力を実現可能な素子を実現する。
【解決手段】半導体レーザの活性層2に、高温下高出力に優れたInP基板上のInGaAlAs系材料の多重量子井戸構造の障壁層最適値 (In_(1-x-y) Ga_(x) Al_(y) Asのx値及びy値)として、0.25 < x < 0.32、0.24 < y < 0.31、の範囲の数字を同時に持つようにした。 （もっと読む）

【課題】活性領域に少なくとも１つのｐ型層を有するＩＩＩ族窒化物発光装置を提供する。
【解決手段】ｎ型層、ｐ型層、及び、ｐ型層とｎ型層との間で発光することができる活性領域を含むＩＩＩ族窒化物発光装置。活性領域は、少なくとも１つの付加的なｐ型層を含む。活性領域のｐ型層は、量子井戸層又はバリア層とすることができる。いくつかの実施形態では、活性領域の量子井戸層及びバリア層の両方ともｐ型である。いくつかの実施形態では、活性領域のｐ型層の平均転位密度は、約５×１０⁸ｃｍ^-2よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い使用温度範囲まで１０Ｇｂｐｓ以上の高速変調特性と高い単一モード発振特性を併せ持つ半導体レーザを実現することにある。
【解決手段】本発明に係る分布帰還形半導体レーザは、活性層５０４と、活性層５０４の上側に配置されたガイド層５０５と、一方の端面に形成された低反射率端面５０３と、他方の端面に形成された高反射率端面５０２と、一方の端面側に形成された回折格子１０と、を有し、両端面間の長さＬが１７０μｍ以上２８０μｍ以下であり、回折格子１０は、一定の周期でガイド層５０５の全てが除去され、ガイド層５０５の除去された部位がクラッド層５０８に埋め込まれることにより形成され、他方の高反射率端面５０２側において、ガイド層５０５の全てが除去されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力、かつ真円状のビームを得ることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】上部ＤＢＲ層１５内に、電流狭窄層１８および横モード調整層１９が設けられている。電流狭窄層１８は、横モード調整層１９よりも活性層１３寄りに形成され、横モード調整層１９は、電流狭窄層１８よりも活性層１３から離れて形成されている。電流狭窄層１８の中央領域に、直径の大きな電流注入領域１９Ｂが形成され、横モード調整層１９の中央領域に、直径の小さな光透過領域１９Ａが形成されている。横モード調整層１９のうち中央領域以外の領域に電流注入領域１９Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】一定の動作電流において、動作温度の変化に伴う光出力の変動を抑制することが可能な半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の量子ドット３６を有する量子ドット活性層１４と量子ドット活性層１４を挟む下部クラッド層１２、上部クラッド層１６とを含む半導体層１８と、量子ドット活性層１４から出射されるレーザ光の出射端面３５を覆うように半導体層１８の端面２８に設けられた反射膜３２ａと、を具備し、反射膜３２ａは、動作電流を一定にした場合におけるレーザ光の光出力の温度依存を打ち消すように変化する反射率を有する半導体レーザである。 （もっと読む）

【課題】高出力・高温動作時の消費電力を抑制し、信頼性の高い二波長レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、共に基板１０１上に形成された第１の半導体レーザ素子１０２と、第１の半導体レーザ素子１０２と発振波長が異なり、第２の半導体レーザ素子１０３とを備える。第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３の共振器長は１５００μｍ以上であり、第１の半導体レーザ素子１０２及び第２の半導体レーザ素子１０３は、それぞれＩｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ１Ａｌ_ｘ１）_１−ｙＰ （０＜ｘ１＜１、０＜ｙ＜１）からなるｎ型クラッド層と、Ｉｎ_ｙ（Ｇａ_１−ｘ２Ａｌ_ｘ２）_１−ｙＰ （０＜ｘ２＜１、０＜ｙ＜１）からなるｐ型クラッド層とを有している。活性層３０３は、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０≦ｚ＜１）からなり、１層のみの井戸層を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ部や電界吸収型光変調器部の活性層のΔＥ_Cを大きくしてこれらの性能向上を図ることができ、更には適切な活性層パラメータを用いることで変調器の性能を大幅に向上させることにより、２５〜８５℃の範囲において、テレコミュニケーション用やデータ通信用の高速変調器集積光源としても利用できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１上に半導体レーザ部１０と電界吸収型光変調器部３０とパッシブ層２０とが形成された構成の光半導体装置において、基板１の半導体混晶はInP、半導体レーザ部の活性部２の量子井戸層及びバリア層をIn_1-x-yAl_xGa_yAs、回折格子形成層をIn_1-xGa_xAs_yP_1-y、電界吸収型光変調器部の活性部５の量子井戸層及びバリア層をIn_1-x-yAl_xGa_yAsとする。また、電界吸収型光変調器部の活性部５は、量子井戸数を２〜２０、量子井戸層の歪量を−０．６〜１％、バリア層のバンドギャップ波長を０．９〜１．０５μｍとする。 （もっと読む）

【課題】高出力のシングルモード発振を簡易な構成かつ低閾値電流で実現することの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】メサ部１７内には、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＰ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ＜１）系の材料（赤色系の材料）からなる活性層１３と、面内の中央領域に未酸化領域１８Ｂを有すると共に、未酸化領域１８Ｂの周縁に環状の酸化領域１８Ａを有する電流狭窄層１８とが設けられている。メサ部１７の上面には、未酸化領域１８Ｂに対応して高反射領域２３Ａを有すると共に、高反射領域２３Ａの周縁に環状の低反射領域２３Ｂを有する横モード調整層３０が設けられている。酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_oxおよび未酸化領域１８Ｂの直径Ｄ_hrは０．８＜Ｄ_hr／Ｄ_ox＜１．５を満たしている。 （もっと読む）

【課題】 寄生キャパシタンスの低減及び高温特性の劣化の抑制が可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】 半導体光素子１は、第１導電型の第１半導体層３と、第１半導体層３上に設けられた活性層５と、活性層５上に設けられた第１半導体部１９ａと、側面２５ａ，２５ｂを有する第２半導体部１９ｂとを含む第２導電型半導体領域１９と、側面２５ａ及び第１半導体部１９ａ上に設けられた樹脂体９ａと、樹脂体９ａ及び第２半導体部１９ｂの上面上に設けられており、第２半導体部１９ｂと電気的に接続された電極１１と、側面２５ｂ上に設けられており、電極１１に接続された第１金属層１３とを備える。 （もっと読む）