光導波路および光導波路の製造方法
【課題】 絶縁物からなる断熱層パターン上に良好な結晶性の光導波路を形成する。
【解決手段】 絶縁物からなる断熱層パターン２上に、断熱層パターン２から露出した基板１上の半導体結晶面１Ａを核としたエピタキシャル成長により、埋込層３を形成する。断熱層パターン２上には、埋込層３が横方向にエピタキシャル成長し、これによって断熱層パターン２が埋め込まれる。断熱層パターン２上にエピタキシャル成長によって埋込層３が形成できるので、断熱層パターン２上に半導体結晶からなる光導波路１０を形成することができる。
【解決手段】 絶縁物からなる断熱層パターン２上に、断熱層パターン２から露出した基板１上の半導体結晶面１Ａを核としたエピタキシャル成長により、埋込層３を形成する。断熱層パターン２上には、埋込層３が横方向にエピタキシャル成長し、これによって断熱層パターン２が埋め込まれる。断熱層パターン２上にエピタキシャル成長によって埋込層３が形成できるので、断熱層パターン２上に半導体結晶からなる光導波路１０を形成することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの波長制御などに使用される光導波路およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光導波路の屈折率を制御することにより、波長特性を制御することのできる半導体レーザが知られている。このような光導波路の屈折率制御は、ヒータによる温度制御あるいは電流注入などにより実施される。特許文献１に記載されるように、光導波路の屈折率を制御する場合において、基板と光導波路の間に断熱層を設ける技術が知られている。断熱層を設けることで、基板側の温度が光導波路に伝わることを抑制している。この構造によって、光導波路の屈折率の制御性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２７３６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術では、断熱層としてＡｌＩｎＡｓＰが使用されている。これは、基板として使用されるＩｎＰ上にエピタキシャル成長が可能なためである。しかしながら、ＡｌＩｎＡｓＰの熱伝導率は０．１Ｗ／ｃｍ・Ｋ程度であり、さらなる断熱性の向上が必要である。
【０００５】
本発明は、基板と光導波路の間の断熱性をさらに向上することの可能な光導波路およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる光導波路の製造方法は、半導体基板上に、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、前記半導体基板上の半導体結晶面の一部を露出する断熱層パターンを形成する第１工程と、前記露出した半導体結晶面を核としたエピタキシャル成長により、前記断熱層パターン上面を埋め込む埋込層を形成する第２工程と、前記断熱層パターン上に位置する前記埋込層上にエピタキシャル成長により、光導波路を形成する第３工程と、前記光導波路上に前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部を形成する第４工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
また、前記露出した半導体結晶面および前記埋込層はＩｎＰであり、前記断熱層パターンは酸化シリコンよりなることを特徴とする。
【０００８】
また、前記埋込層のエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法によりなされることを特徴とする。
【０００９】
また、前記断熱層パターンから露出した半導体結晶面上に半導体レーザの利得部を構成する半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入するための電極であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる光導波路は、半導体基板と、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなる断熱層パターンと、前記断熱層パターン上面をエピタキシャル成長により埋め込んだ埋込層と、前記埋込層上にエピタキシャル成長により形成された光導波路と、前記光導波路上に設けられた、前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、前記半導体基板および前記埋込層はＩｎＰからなり、前記断熱層パターンは酸化シリコンからなることを特徴とする。
【００１３】
また、前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入する電極であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁物を断熱層として利用することができるため、基板と光導波路の間の断熱性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図２】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図３】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図４】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図５】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図６】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図７】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図８】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図９】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１０】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１１】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１２】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１３】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１４】断熱層パターンの別の態様を説明する断面図である。
【図１５】断熱層パターンの別の態様を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。図における寸法比は必ずしも実際のものと一致していない。また、同一または相当部分に対しては、同一符号を附している。
【００１７】
本実施形態は、波長可変半導体レーザの製造に本発明を適用したものである。本実施形態が対象とする波長可変半導体レーザは、光増幅器（ＳＯＡ）、ＳＧＤＦＢ（Ｓａｍｐｌｅｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ）領域、ＣＳＧＤＢＲ（Ｃｈｉｒｐｅｄ Ｓａｍｐｌｅｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）領域が連結された構造を有している。この波長可変半導体レーザは、ＣＳＧＤＢＲ領域の光導波路上にヒータが設けられており、その発熱により、ＣＳＧＢＲ領域の波長特性を変化させるものである。以下、図面を参照して製造工程を説明する。
【００１８】
図１および図２は、本実施形態の製造工程を説明する図である。図１は光軸方向に沿った断面図である。また、図２はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に対して直角方向の断面図である。図１および図２に示すように、まず、ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板上１に絶縁物からなる断熱層パターン２を形成する。
【００１９】
断熱層パターン２は、半導体基板１よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、本実施形態では酸化シリコンを採用している。半導体基板１となるＩｎＰの熱伝導率は０．７Ｗ／ｃｍ・Ｋ程度であり、酸化シリコンの熱伝導率は０．０６Ｗ／ｃｍ・Ｋ程度であることから、断熱層パターン２の断熱性は高い。ＡｌＩｎＡｓＰのような半導体からなる断熱層は、その表面にエピタキシャル成長により半導体結晶を成長することが可能であるものの、断熱効果には限界がある。いっぽう、酸化シリコンのような絶縁物の場合、その表面に直接に半導体結晶をエピタキシャル成長することはできないが、半導体からなる断熱層に比べて高い断熱性を有する材料が存在する。このような絶縁物を断熱層パターン２として利用することで、後の工程で形成される光導波路１０に対する半導体基板１からの熱の影響を効果的に抑制することができる。
【００２０】
酸化シリコンからなる断熱層パターン２を形成するためには、以下の工程が採用される。まず、半導体基板１上に酸化シリコンからなる絶縁物層を形成する。本実施形態における半導体基板は、主面が（１００）のｎ型ＩｎＰである。つぎに、断熱層パターン２の形状を持つレジストパターンを形成した後、ＣＦ４系のガスを使用したドライエッチングによって、レジストパターンから露出した絶縁物層を除去する。そして、レジストパターンを除去することで、図１に示す構造が得られる。なお、断熱層パターン２が設けられていない半導体基板１の上面には、半導体結晶面１Ａが露出している。
【００２１】
本実施形態の断熱層パターン２は、厚さ１μｍ、光軸に直角な方向における幅１０μｍ、光軸に沿った方向における長さ５００μｍのストライプ形状を備えている。このストライプは、半導体基板１の（１００）面において＜１１０＞方向に延在している。なお、半導体基板１上に複数の光導波路を並行して配置する場合、この断熱層パターン２は、各光導波路に対応して並行して配置される。この場合、隣接する断熱層パターン２同士の間隔は、２０μｍ以上とすることが好ましい。そして、断熱層パターン２に覆われない領域には、前記したように半導体基板１の半導体結晶面１Ａが露出している。なお、半導体結晶面１Ａは、半導体基板１の表面でもよいし、半導体基板１と同じ材料（ＩｎＰ）からなるバッファ層の表面であってもよい。
【００２２】
つぎに、図３および図４に示すように、断熱層パターン２をＩｎＰからなる埋込層３によって埋め込む。図３は光軸方向に沿った断面図、図４はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に対して直角方向の断面図である。断熱層パターン２は、酸化シリコンで構成されているため、その表面に直接に半導体をエピタキシャル成長することはできない。しかし、図１に示すように、断熱層パターン２が設けられない部分には、半導体結晶面１Ａが露出している。本実施例では、露出した半導体結晶面１Ａを核として、埋込層３をエピタキシャル成長し、断熱層パターン２を埋め込む。この成長においては、断熱層パターン２の表面に直接に半導体材料が析出しないように制御する必要である。また、露出した半導体結晶面１Ａを核とした埋込層３のエピタキシャル成長は、横方向への成長速度が比較的大きくなる条件を採用する必要がある。本実施形態の断熱パターン埋込層の成長は、有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ：Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）によって形成する。具体的な条件は以下のとおりである。
【００２３】
半導体結晶面１Ａ：ＩｎＰ（１００）面
埋込層３：ｎ型ＩｎＰ
原料ガス：ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＰＨ３（ホスフィン）
ドーパント：ＳｉＨ４（シラン）
キャリアガス：Ｈ２（水素）
成長温度：６５０℃
成長圧力：１５０ｍｂａｒ
【００２４】
本実施形態では、上記条件によって断熱層パターン２上に埋込層３が０．５μｍ成長するまで成長を継続した。断熱層パターン２上における埋込層３は、半導体基板１の半導体結晶面１Ａを核として横方向にエピタキシャル成長したものである。横方向のエピタキシャル成長により、断熱層パターン２は単結晶の埋込層３中に埋め込まれる。埋込層３は断熱層パターン２上においても単結晶である。このため、この後に引き続く半導体層の成長においても断熱層パターン２上には、エピタキシャル成長層が形成できる。なお、埋込層３は半導体結晶面１Ａ上にもエピタキシャル成長しているため、その表面は全体にわたってほぼ平坦である。
【００２５】
つぎに、図５に示すように、埋込層３上に回折格子層４を形成する。図５は光軸方向に沿った断面図である。回折格子層４中には回折格子パターン４ａが埋め込まれている。回折格子層４はＩｎＰで構成されており、回折格子パターン４ａはＩｎＧａＡｓＰで構成されている。回折格子パターン４ａは、ＩｎＧａＡｓＰ層を成長した後、干渉露光法や電子ビーム露光法あるいはナノインプリント法など公知の方法を利用したフォトリソグラフ法によってパターン化される。その後、回折格子層４を構成するＩｎＰ層を成長して回折格子パターン４ａを埋め込む。
これら回折格子層４および回折格子パターン４ａは、断熱層パターン２上においてもエピタキシャル成長されている。
【００２６】
つぎに、図６に示すように、回折格子層４上にｎ型クラッド層５、ｎ型ＳＣＨ層６、活性層７、ｐ型ＳＣＨ層８、ｐ型クラッド層９からなる構造を順次成長する。図６は光軸方向に沿った断面図である。各層は有機金属気相成長法によって形成され、条件は以下のとおりである。
【００２７】
ｎ型クラッド層５
材料：ｎ型ＩｎＰ
成長膜厚：０．２μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＰＨ３
ドーパントガス：ＳｉＨ４
成長温度：６７０℃
【００２８】
ｎ型ＳＣＨ層６
材料：ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
成長膜厚：０．０５μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３
ドーパントガス：ＳｉＨ４
成長温度：６７０℃
【００２９】
活性層７
材料：バリア層ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．２μｍ）／ウェル層ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．６μｍ）からなるＭＱＷ
１層あたりの成長膜厚：０．０１５μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＰＨ３、ＡｓＨ３
成長温度：６７０℃
【００３０】
ｐ型ＳＣＨ層８
材料：ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
成長膜厚：０．０５μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３、ＰＨ３
ドーパントガス：ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）
成長温度：６７０℃
【００３１】
ｐ型クラッド層９
材料：ｐ型ＩｎＰ
成長膜厚：０．２μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＰＨ３
ドーパントガス：ＤＥＺｎ
成長温度：６７０℃
【００３２】
つぎに、図７に示すように、ｐ型クラッド層９上にマスクＭ１を形成し、ＳＯＡ領域およびＣＳＧＤＢＲ領域における、ｐ型クラッド層９、ｐ型ＳＣＨ層８、活性層７、ｎ型ＳＣＨ層６を選択的にエッチングする。なお、ＳＧＤＦＢ領域に残った構造は、半導体レーザにおける利得部となる。
【００３３】
つぎに、図８に示すように、エッチング除去された領域に光導波路１０を形成した後、ＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域上にコンタクト層１１を選択的に形成する。各層の条件は以下のとおりである。
【００３４】
光導波路１０
材料：ＩｎＧａＡｓＰ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３、ＰＨ３
成長温度：６７０℃
【００３５】
コンタクト層１１
材料：ＩｎＧａＡｓ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３
ドーパントガス：ＤＥＺｎ
成長温度：６４０℃
【００３６】
なお、コンタクト層１１は、これを構成する材料を全面に成長した後、選択エッチング工程により、ＣＳＧＤＢＲ領域上およびＳＯＡ領域とＳＧＤＦＢ領域の間の部分を除去している。
【００３７】
断熱層パターン２上の埋込層３上面が半導体単結晶面であるため、この工程において成長された光導波路１０もエピタキシャル成長されている。光導波路１０がエピタキシャル成長による単結晶であることから、光導波路１０の光学特性は高い。また、温度や電気的制御による屈折率の制御性も良好である。
【００３８】
つぎに、以上の工程によって形成された半導体層構造をストライプ状にエッチングする。図９はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に直角方向の断面図である。光導波路１０上にマスクＭ２を形成し、ｎ型クラッド層５が露出するまで、マスク２の両側の領域を除去する。ＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域においても、同様に除去される。
【００３９】
つぎに、図１０に示すように、露出したｎ型クラッド層５上に高抵抗層１２を形成する。条件は以下のとおりである。
【００４０】
高抵抗層１２
材料：ＩｎＰ
原料ガス：ＴＭＩ，ＰＨ３
ドーパントガス：Ｃｐ２Ｆｅ（フェロセン）
成長温度：６５０℃
【００４１】
なお、高抵抗層１２はＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域におけるｎ型クラッド層５上にも同様に形成される。
【００４２】
つぎに、図１１に示すように、マスクＭ２を除去した後、保護膜１３および溝１４を形成する。図１１はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に直角方向の断面図である。保護膜１３は例えば酸化シリコンで構成されており、溝１４に対応する部分に窓が形成されている。この窓内に露出した領域をエッチングすることで、溝１４を形成する。溝１４により、光導波路１０の両側からの熱伝導が抑制される。本実施形態では、溝１４は断熱層パターン２２よりも深く形成されている。溝１４の深さは任意であり、断熱層パターン２よりも浅く形成することもできる。
【００４３】
つぎに、図１２に示すように、光導波路１０に対応した保護膜１３上に光導波路１０の屈折率を制御するためのヒータ１５を形成する。図１２はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に直角方向の断面図である。ヒータ１５にはヒータ電極１６が設けられている。ヒータ１５は例えばニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）が採用できる。ヒータ電極１６は例えば金（Ａｕ）が利用できる。説明は省略するが、ＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域における保護膜や電極の形成工程についても、適宜実施されている。
【００４４】
図１３は、完成した半導体レーザの光軸方向に沿った断面図である。図１３に示すように、ＣＳＧＤＢＲ領域には３つのヒータ１５が設けられており、それぞれにヒータ電極１６が配置されている。ＳＧＤＦＢ領域におけるコンタクト層１１上にはＳＧＤＦＢ電極１７が設けられている。ＳＯＡ領域におけるコンタクト層１１上にはＳＯＡ電極１８が設けられている。また、半導体基板１の裏面には裏面電極１９が設けられている。ＳＧＤＦＢ電極１７、ＳＯＡ電極１８および裏面電極１９は、その表面はたとえば金（Ａｕ）で構成される。
【００４５】
本実施形態では絶縁物からなる断熱層パターン２を設けているため、ＣＳＧＤＢＲ領域における光導波路１０と半導体基板１との間の電気抵抗は高い。しかし、図１３に示す半導体レーザでは、光導波路１０の屈折率制御をヒータ１５で行っているため、このような電気抵抗は問題にはならない。なお、光導波路１０の屈折率を電流注入によって制御する場合には、絶縁層パターン２に離散的に開口を設けて、その電気抵抗を低減することもできる。
【００４６】
以上の工程によって形成された光導波路１０は、その下部に絶縁物からなる断熱層パターン２が設けられている。このため、光導波路１０は絶縁物による高い断熱効果により、半導体基板１側からの熱伝導を抑制することができる。また、断熱層パターン２上には、半導体結晶面１Ａを核として利用したエピタキシャル成長により埋込層３が形成されている。したがって、その上の光導波路１０もエピタキシャル成長によって形成することができる。
【００４７】
なお、一実施形態では、断熱層パターン２を断熱するべき光導波路（ＣＳＧＤＢＲ領域の光導波路）の長さ全体に渡って設けていたが、それを超える長さ、あるいはそれより短い長さで設けることもできる。
【００４８】
また、図１４に示すように、断熱層パターン２を断熱するべき光導波路の長さ方向に間欠的に設けてもよい。図１４は、光軸方向に沿った断面図である。この場合、断熱層パターン２は光導波路の長さ方向において複数に分割された形態となる。断熱層パターン２が分割されることで、その間には半導体結晶面１Aが露出する。これは、埋込層３による断熱層パターン２の埋込み工程において有利である。
【００４９】
また、一実施形態では、断熱層パターン２の幅は光導波路１０の幅よりも広く形成されていた。これは、一実施形態のように光導波路の両側面を埋め込む高抵抗層１２を介した熱伝導を抑制するためである。もちろん、断熱層パターン２の幅は、光導波路１０の幅と同程度の幅で設けることもできる。
【００５０】
断熱層パターン２の幅が大きい場合、埋込層３によって断熱層パターン２を埋め込むことが困難になる可能性がある。このため、光導波路１０の幅よりも狭い幅で断熱層パターン２を設けることは有用である。断熱層パターン２を狭くしたことにより、断熱層パターン２の断熱効果の低下が懸念される場合には、図１５に示すように、幅の狭い断熱層パターン２を複数設けることもできる。図１５は光軸方向に対して直角方向の断面図である。図１５に示すように、断熱層パターン２を光導波路１０の幅Ｗよりも小さくすることで、断熱層パターン２の埋込みを容易にすることができる。また、そのような断熱層パターン２を光導波路１０の下部に複数に配置することで、断熱性の低下を抑制することもできる。また、このような断熱層パターン２は、図１５に示すように光導波路１０の幅Ｗよりも広い範囲に分布して配置することもできる。
【００５１】
また、断熱層パターン２は半導体基板１の表面にリセス（窪み）を設けて、その中に形成することができる。その場合のリセスの深さは断熱層パターン２の厚みと同程度でもよいし、浅くてもよい。また、断熱層パターン２の厚みよりも深く形成することもできる。リセス中に断熱層パターン２を設けることで、埋込層３による断熱層パターン２の埋込みが容易になる。
【００５２】
一実施形態は、波長可変半導体レーザの反射器（ＣＳＧＤＢＲ）を構成する光導波路に本発明を適用したものであるが、これに限るものではない。たとえば、半導体光波長フィルタに本発明を適用することもできる。その場合、半導体光波長フィルタの波長選択部を構成する光導波路を製造する工程において、本発明を採用すればよい。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１…半導体基板、２…断熱層パターン、３…埋込層、４…回折格子層、５…ｎ型クラッド層、６…ｎ型ＳＣＨ層、７…活性層、８…ｐ型ＳＣＨ層、９…ｐ型クラッド層、１０…光導波路１１…コンタクト層、１２…ｉ型層、１３…保護膜、１４…溝、１５…ヒータ、１６…ヒータ電極、１７…ＳＧＤＦＢ電極、１８…ＳＯＡ電極、１９…裏面電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザの波長制御などに使用される光導波路およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光導波路の屈折率を制御することにより、波長特性を制御することのできる半導体レーザが知られている。このような光導波路の屈折率制御は、ヒータによる温度制御あるいは電流注入などにより実施される。特許文献１に記載されるように、光導波路の屈折率を制御する場合において、基板と光導波路の間に断熱層を設ける技術が知られている。断熱層を設けることで、基板側の温度が光導波路に伝わることを抑制している。この構造によって、光導波路の屈折率の制御性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２７３６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の技術では、断熱層としてＡｌＩｎＡｓＰが使用されている。これは、基板として使用されるＩｎＰ上にエピタキシャル成長が可能なためである。しかしながら、ＡｌＩｎＡｓＰの熱伝導率は０．１Ｗ／ｃｍ・Ｋ程度であり、さらなる断熱性の向上が必要である。
【０００５】
本発明は、基板と光導波路の間の断熱性をさらに向上することの可能な光導波路およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる光導波路の製造方法は、半導体基板上に、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、前記半導体基板上の半導体結晶面の一部を露出する断熱層パターンを形成する第１工程と、前記露出した半導体結晶面を核としたエピタキシャル成長により、前記断熱層パターン上面を埋め込む埋込層を形成する第２工程と、前記断熱層パターン上に位置する前記埋込層上にエピタキシャル成長により、光導波路を形成する第３工程と、前記光導波路上に前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部を形成する第４工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
また、前記露出した半導体結晶面および前記埋込層はＩｎＰであり、前記断熱層パターンは酸化シリコンよりなることを特徴とする。
【０００８】
また、前記埋込層のエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法によりなされることを特徴とする。
【０００９】
また、前記断熱層パターンから露出した半導体結晶面上に半導体レーザの利得部を構成する半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入するための電極であることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる光導波路は、半導体基板と、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなる断熱層パターンと、前記断熱層パターン上面をエピタキシャル成長により埋め込んだ埋込層と、前記埋込層上にエピタキシャル成長により形成された光導波路と、前記光導波路上に設けられた、前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、前記半導体基板および前記埋込層はＩｎＰからなり、前記断熱層パターンは酸化シリコンからなることを特徴とする。
【００１３】
また、前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入する電極であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁物を断熱層として利用することができるため、基板と光導波路の間の断熱性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図２】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図３】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図４】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図５】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図６】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図７】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図８】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図９】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１０】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１１】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１２】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１３】一実施形態の半導体レーザの製造方法にかかる断面を示す図である。
【図１４】断熱層パターンの別の態様を説明する断面図である。
【図１５】断熱層パターンの別の態様を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。図における寸法比は必ずしも実際のものと一致していない。また、同一または相当部分に対しては、同一符号を附している。
【００１７】
本実施形態は、波長可変半導体レーザの製造に本発明を適用したものである。本実施形態が対象とする波長可変半導体レーザは、光増幅器（ＳＯＡ）、ＳＧＤＦＢ（Ｓａｍｐｌｅｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ）領域、ＣＳＧＤＢＲ（Ｃｈｉｒｐｅｄ Ｓａｍｐｌｅｄ Ｇｒａｔｉｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）領域が連結された構造を有している。この波長可変半導体レーザは、ＣＳＧＤＢＲ領域の光導波路上にヒータが設けられており、その発熱により、ＣＳＧＢＲ領域の波長特性を変化させるものである。以下、図面を参照して製造工程を説明する。
【００１８】
図１および図２は、本実施形態の製造工程を説明する図である。図１は光軸方向に沿った断面図である。また、図２はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に対して直角方向の断面図である。図１および図２に示すように、まず、ｎ型ＩｎＰからなる半導体基板上１に絶縁物からなる断熱層パターン２を形成する。
【００１９】
断熱層パターン２は、半導体基板１よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、本実施形態では酸化シリコンを採用している。半導体基板１となるＩｎＰの熱伝導率は０．７Ｗ／ｃｍ・Ｋ程度であり、酸化シリコンの熱伝導率は０．０６Ｗ／ｃｍ・Ｋ程度であることから、断熱層パターン２の断熱性は高い。ＡｌＩｎＡｓＰのような半導体からなる断熱層は、その表面にエピタキシャル成長により半導体結晶を成長することが可能であるものの、断熱効果には限界がある。いっぽう、酸化シリコンのような絶縁物の場合、その表面に直接に半導体結晶をエピタキシャル成長することはできないが、半導体からなる断熱層に比べて高い断熱性を有する材料が存在する。このような絶縁物を断熱層パターン２として利用することで、後の工程で形成される光導波路１０に対する半導体基板１からの熱の影響を効果的に抑制することができる。
【００２０】
酸化シリコンからなる断熱層パターン２を形成するためには、以下の工程が採用される。まず、半導体基板１上に酸化シリコンからなる絶縁物層を形成する。本実施形態における半導体基板は、主面が（１００）のｎ型ＩｎＰである。つぎに、断熱層パターン２の形状を持つレジストパターンを形成した後、ＣＦ４系のガスを使用したドライエッチングによって、レジストパターンから露出した絶縁物層を除去する。そして、レジストパターンを除去することで、図１に示す構造が得られる。なお、断熱層パターン２が設けられていない半導体基板１の上面には、半導体結晶面１Ａが露出している。
【００２１】
本実施形態の断熱層パターン２は、厚さ１μｍ、光軸に直角な方向における幅１０μｍ、光軸に沿った方向における長さ５００μｍのストライプ形状を備えている。このストライプは、半導体基板１の（１００）面において＜１１０＞方向に延在している。なお、半導体基板１上に複数の光導波路を並行して配置する場合、この断熱層パターン２は、各光導波路に対応して並行して配置される。この場合、隣接する断熱層パターン２同士の間隔は、２０μｍ以上とすることが好ましい。そして、断熱層パターン２に覆われない領域には、前記したように半導体基板１の半導体結晶面１Ａが露出している。なお、半導体結晶面１Ａは、半導体基板１の表面でもよいし、半導体基板１と同じ材料（ＩｎＰ）からなるバッファ層の表面であってもよい。
【００２２】
つぎに、図３および図４に示すように、断熱層パターン２をＩｎＰからなる埋込層３によって埋め込む。図３は光軸方向に沿った断面図、図４はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に対して直角方向の断面図である。断熱層パターン２は、酸化シリコンで構成されているため、その表面に直接に半導体をエピタキシャル成長することはできない。しかし、図１に示すように、断熱層パターン２が設けられない部分には、半導体結晶面１Ａが露出している。本実施例では、露出した半導体結晶面１Ａを核として、埋込層３をエピタキシャル成長し、断熱層パターン２を埋め込む。この成長においては、断熱層パターン２の表面に直接に半導体材料が析出しないように制御する必要である。また、露出した半導体結晶面１Ａを核とした埋込層３のエピタキシャル成長は、横方向への成長速度が比較的大きくなる条件を採用する必要がある。本実施形態の断熱パターン埋込層の成長は、有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ：Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）によって形成する。具体的な条件は以下のとおりである。
【００２３】
半導体結晶面１Ａ：ＩｎＰ（１００）面
埋込層３：ｎ型ＩｎＰ
原料ガス：ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＰＨ３（ホスフィン）
ドーパント：ＳｉＨ４（シラン）
キャリアガス：Ｈ２（水素）
成長温度：６５０℃
成長圧力：１５０ｍｂａｒ
【００２４】
本実施形態では、上記条件によって断熱層パターン２上に埋込層３が０．５μｍ成長するまで成長を継続した。断熱層パターン２上における埋込層３は、半導体基板１の半導体結晶面１Ａを核として横方向にエピタキシャル成長したものである。横方向のエピタキシャル成長により、断熱層パターン２は単結晶の埋込層３中に埋め込まれる。埋込層３は断熱層パターン２上においても単結晶である。このため、この後に引き続く半導体層の成長においても断熱層パターン２上には、エピタキシャル成長層が形成できる。なお、埋込層３は半導体結晶面１Ａ上にもエピタキシャル成長しているため、その表面は全体にわたってほぼ平坦である。
【００２５】
つぎに、図５に示すように、埋込層３上に回折格子層４を形成する。図５は光軸方向に沿った断面図である。回折格子層４中には回折格子パターン４ａが埋め込まれている。回折格子層４はＩｎＰで構成されており、回折格子パターン４ａはＩｎＧａＡｓＰで構成されている。回折格子パターン４ａは、ＩｎＧａＡｓＰ層を成長した後、干渉露光法や電子ビーム露光法あるいはナノインプリント法など公知の方法を利用したフォトリソグラフ法によってパターン化される。その後、回折格子層４を構成するＩｎＰ層を成長して回折格子パターン４ａを埋め込む。
これら回折格子層４および回折格子パターン４ａは、断熱層パターン２上においてもエピタキシャル成長されている。
【００２６】
つぎに、図６に示すように、回折格子層４上にｎ型クラッド層５、ｎ型ＳＣＨ層６、活性層７、ｐ型ＳＣＨ層８、ｐ型クラッド層９からなる構造を順次成長する。図６は光軸方向に沿った断面図である。各層は有機金属気相成長法によって形成され、条件は以下のとおりである。
【００２７】
ｎ型クラッド層５
材料：ｎ型ＩｎＰ
成長膜厚：０．２μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＰＨ３
ドーパントガス：ＳｉＨ４
成長温度：６７０℃
【００２８】
ｎ型ＳＣＨ層６
材料：ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ
成長膜厚：０．０５μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３（アルシン）、ＰＨ３
ドーパントガス：ＳｉＨ４
成長温度：６７０℃
【００２９】
活性層７
材料：バリア層ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．２μｍ）／ウェル層ＩｎＧａＡｓＰ（組成波長１．６μｍ）からなるＭＱＷ
１層あたりの成長膜厚：０．０１５μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＰＨ３、ＡｓＨ３
成長温度：６７０℃
【００３０】
ｐ型ＳＣＨ層８
材料：ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ
成長膜厚：０．０５μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３、ＰＨ３
ドーパントガス：ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）
成長温度：６７０℃
【００３１】
ｐ型クラッド層９
材料：ｐ型ＩｎＰ
成長膜厚：０．２μｍ
原料ガス：ＴＭＩ、ＰＨ３
ドーパントガス：ＤＥＺｎ
成長温度：６７０℃
【００３２】
つぎに、図７に示すように、ｐ型クラッド層９上にマスクＭ１を形成し、ＳＯＡ領域およびＣＳＧＤＢＲ領域における、ｐ型クラッド層９、ｐ型ＳＣＨ層８、活性層７、ｎ型ＳＣＨ層６を選択的にエッチングする。なお、ＳＧＤＦＢ領域に残った構造は、半導体レーザにおける利得部となる。
【００３３】
つぎに、図８に示すように、エッチング除去された領域に光導波路１０を形成した後、ＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域上にコンタクト層１１を選択的に形成する。各層の条件は以下のとおりである。
【００３４】
光導波路１０
材料：ＩｎＧａＡｓＰ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３、ＰＨ３
成長温度：６７０℃
【００３５】
コンタクト層１１
材料：ＩｎＧａＡｓ
原料ガス：ＴＭＩ、ＴＭＧ、ＡｓＨ３
ドーパントガス：ＤＥＺｎ
成長温度：６４０℃
【００３６】
なお、コンタクト層１１は、これを構成する材料を全面に成長した後、選択エッチング工程により、ＣＳＧＤＢＲ領域上およびＳＯＡ領域とＳＧＤＦＢ領域の間の部分を除去している。
【００３７】
断熱層パターン２上の埋込層３上面が半導体単結晶面であるため、この工程において成長された光導波路１０もエピタキシャル成長されている。光導波路１０がエピタキシャル成長による単結晶であることから、光導波路１０の光学特性は高い。また、温度や電気的制御による屈折率の制御性も良好である。
【００３８】
つぎに、以上の工程によって形成された半導体層構造をストライプ状にエッチングする。図９はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に直角方向の断面図である。光導波路１０上にマスクＭ２を形成し、ｎ型クラッド層５が露出するまで、マスク２の両側の領域を除去する。ＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域においても、同様に除去される。
【００３９】
つぎに、図１０に示すように、露出したｎ型クラッド層５上に高抵抗層１２を形成する。条件は以下のとおりである。
【００４０】
高抵抗層１２
材料：ＩｎＰ
原料ガス：ＴＭＩ，ＰＨ３
ドーパントガス：Ｃｐ２Ｆｅ（フェロセン）
成長温度：６５０℃
【００４１】
なお、高抵抗層１２はＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域におけるｎ型クラッド層５上にも同様に形成される。
【００４２】
つぎに、図１１に示すように、マスクＭ２を除去した後、保護膜１３および溝１４を形成する。図１１はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に直角方向の断面図である。保護膜１３は例えば酸化シリコンで構成されており、溝１４に対応する部分に窓が形成されている。この窓内に露出した領域をエッチングすることで、溝１４を形成する。溝１４により、光導波路１０の両側からの熱伝導が抑制される。本実施形態では、溝１４は断熱層パターン２２よりも深く形成されている。溝１４の深さは任意であり、断熱層パターン２よりも浅く形成することもできる。
【００４３】
つぎに、図１２に示すように、光導波路１０に対応した保護膜１３上に光導波路１０の屈折率を制御するためのヒータ１５を形成する。図１２はＣＳＧＤＢＲ領域における光軸に直角方向の断面図である。ヒータ１５にはヒータ電極１６が設けられている。ヒータ１５は例えばニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）が採用できる。ヒータ電極１６は例えば金（Ａｕ）が利用できる。説明は省略するが、ＳＯＡ領域およびＳＧＤＦＢ領域における保護膜や電極の形成工程についても、適宜実施されている。
【００４４】
図１３は、完成した半導体レーザの光軸方向に沿った断面図である。図１３に示すように、ＣＳＧＤＢＲ領域には３つのヒータ１５が設けられており、それぞれにヒータ電極１６が配置されている。ＳＧＤＦＢ領域におけるコンタクト層１１上にはＳＧＤＦＢ電極１７が設けられている。ＳＯＡ領域におけるコンタクト層１１上にはＳＯＡ電極１８が設けられている。また、半導体基板１の裏面には裏面電極１９が設けられている。ＳＧＤＦＢ電極１７、ＳＯＡ電極１８および裏面電極１９は、その表面はたとえば金（Ａｕ）で構成される。
【００４５】
本実施形態では絶縁物からなる断熱層パターン２を設けているため、ＣＳＧＤＢＲ領域における光導波路１０と半導体基板１との間の電気抵抗は高い。しかし、図１３に示す半導体レーザでは、光導波路１０の屈折率制御をヒータ１５で行っているため、このような電気抵抗は問題にはならない。なお、光導波路１０の屈折率を電流注入によって制御する場合には、絶縁層パターン２に離散的に開口を設けて、その電気抵抗を低減することもできる。
【００４６】
以上の工程によって形成された光導波路１０は、その下部に絶縁物からなる断熱層パターン２が設けられている。このため、光導波路１０は絶縁物による高い断熱効果により、半導体基板１側からの熱伝導を抑制することができる。また、断熱層パターン２上には、半導体結晶面１Ａを核として利用したエピタキシャル成長により埋込層３が形成されている。したがって、その上の光導波路１０もエピタキシャル成長によって形成することができる。
【００４７】
なお、一実施形態では、断熱層パターン２を断熱するべき光導波路（ＣＳＧＤＢＲ領域の光導波路）の長さ全体に渡って設けていたが、それを超える長さ、あるいはそれより短い長さで設けることもできる。
【００４８】
また、図１４に示すように、断熱層パターン２を断熱するべき光導波路の長さ方向に間欠的に設けてもよい。図１４は、光軸方向に沿った断面図である。この場合、断熱層パターン２は光導波路の長さ方向において複数に分割された形態となる。断熱層パターン２が分割されることで、その間には半導体結晶面１Aが露出する。これは、埋込層３による断熱層パターン２の埋込み工程において有利である。
【００４９】
また、一実施形態では、断熱層パターン２の幅は光導波路１０の幅よりも広く形成されていた。これは、一実施形態のように光導波路の両側面を埋め込む高抵抗層１２を介した熱伝導を抑制するためである。もちろん、断熱層パターン２の幅は、光導波路１０の幅と同程度の幅で設けることもできる。
【００５０】
断熱層パターン２の幅が大きい場合、埋込層３によって断熱層パターン２を埋め込むことが困難になる可能性がある。このため、光導波路１０の幅よりも狭い幅で断熱層パターン２を設けることは有用である。断熱層パターン２を狭くしたことにより、断熱層パターン２の断熱効果の低下が懸念される場合には、図１５に示すように、幅の狭い断熱層パターン２を複数設けることもできる。図１５は光軸方向に対して直角方向の断面図である。図１５に示すように、断熱層パターン２を光導波路１０の幅Ｗよりも小さくすることで、断熱層パターン２の埋込みを容易にすることができる。また、そのような断熱層パターン２を光導波路１０の下部に複数に配置することで、断熱性の低下を抑制することもできる。また、このような断熱層パターン２は、図１５に示すように光導波路１０の幅Ｗよりも広い範囲に分布して配置することもできる。
【００５１】
また、断熱層パターン２は半導体基板１の表面にリセス（窪み）を設けて、その中に形成することができる。その場合のリセスの深さは断熱層パターン２の厚みと同程度でもよいし、浅くてもよい。また、断熱層パターン２の厚みよりも深く形成することもできる。リセス中に断熱層パターン２を設けることで、埋込層３による断熱層パターン２の埋込みが容易になる。
【００５２】
一実施形態は、波長可変半導体レーザの反射器（ＣＳＧＤＢＲ）を構成する光導波路に本発明を適用したものであるが、これに限るものではない。たとえば、半導体光波長フィルタに本発明を適用することもできる。その場合、半導体光波長フィルタの波長選択部を構成する光導波路を製造する工程において、本発明を採用すればよい。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１…半導体基板、２…断熱層パターン、３…埋込層、４…回折格子層、５…ｎ型クラッド層、６…ｎ型ＳＣＨ層、７…活性層、８…ｐ型ＳＣＨ層、９…ｐ型クラッド層、１０…光導波路１１…コンタクト層、１２…ｉ型層、１３…保護膜、１４…溝、１５…ヒータ、１６…ヒータ電極、１７…ＳＧＤＦＢ電極、１８…ＳＯＡ電極、１９…裏面電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、前記半導体基板上の半導体結晶面の一部を露出する断熱層パターンを形成する第１工程と、
前記露出した半導体結晶面を核としたエピタキシャル成長により、前記断熱層パターン上面を埋め込む埋込層を形成する第２工程と、
前記断熱層パターン上に位置する前記埋込層上にエピタキシャル成長により、光導波路を形成する第３工程と、
前記光導波路上に前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部を形成する第４工程と、
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項２】
前記露出した半導体結晶面および前記埋込層はＩｎＰであり、前記断熱層パターンは酸化シリコンよりなることを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。
【請求項３】
前記埋込層のエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法によりなされることを特徴とする請求項１または２いずれか一項に記載の光導波路の製造方法。
【請求項４】
前記断熱層パターンから露出した半導体結晶面上に半導体レーザの利得部を構成する半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の光導波路の製造方法。
【請求項５】
前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入するための電極であることを特徴とする請求項１〜４いずれか一項に記載の光導波路の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなる断熱層パターンと、
前記断熱層パターン上面をエピタキシャル成長により埋め込んだ埋込層と、
前記埋込層上にエピタキシャル成長により形成された光導波路と、
前記光導波路上に設けられた、前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部と、
を有することを特徴とする光導波路。
【請求項７】
前記半導体基板および前記埋込層はＩｎＰからなり、前記断熱層パターンは酸化シリコンからなることを特徴とする請求項６記載の光導波路。
【請求項８】
前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入する電極であることを特徴とする請求項６または７いずれか一項に記載の光導波路。
【請求項１】
半導体基板上に、前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなり、前記半導体基板上の半導体結晶面の一部を露出する断熱層パターンを形成する第１工程と、
前記露出した半導体結晶面を核としたエピタキシャル成長により、前記断熱層パターン上面を埋め込む埋込層を形成する第２工程と、
前記断熱層パターン上に位置する前記埋込層上にエピタキシャル成長により、光導波路を形成する第３工程と、
前記光導波路上に前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部を形成する第４工程と、
を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
【請求項２】
前記露出した半導体結晶面および前記埋込層はＩｎＰであり、前記断熱層パターンは酸化シリコンよりなることを特徴とする請求項１記載の光導波路の製造方法。
【請求項３】
前記埋込層のエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法によりなされることを特徴とする請求項１または２いずれか一項に記載の光導波路の製造方法。
【請求項４】
前記断熱層パターンから露出した半導体結晶面上に半導体レーザの利得部を構成する半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜３いずれか一項に記載の光導波路の製造方法。
【請求項５】
前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入するための電極であることを特徴とする請求項１〜４いずれか一項に記載の光導波路の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板よりも熱伝導率の低い絶縁物からなる断熱層パターンと、
前記断熱層パターン上面をエピタキシャル成長により埋め込んだ埋込層と、
前記埋込層上にエピタキシャル成長により形成された光導波路と、
前記光導波路上に設けられた、前記光導波路の屈折率を制御するための屈折率制御部と、
を有することを特徴とする光導波路。
【請求項７】
前記半導体基板および前記埋込層はＩｎＰからなり、前記断熱層パターンは酸化シリコンからなることを特徴とする請求項６記載の光導波路。
【請求項８】
前記屈折率制御部は、ヒータあるいは前記光導波路に電流を注入する電極であることを特徴とする請求項６または７いずれか一項に記載の光導波路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１３−２６２５４（Ｐ２０１３−２６２５４Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５６２８９（Ｐ２０１１−１５６２８９）
【出願日】平成２３年７月１５日（２０１１．７．１５）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１５日（２０１１．７．１５）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
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