【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に１００μｍ×１００μｍ以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する２次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子を備えるレーザー光源装置において、電力供給回路規模が非常に大きくなってしまうことを抑制する。また、用途に応じた好ましい制御モードで駆動することが可能な技術を提供する。
【解決手段】レーザー光源装置は、供給される駆動電流に応じて第１と第２の基本波光を射出する第１と第２の基本光源と、第１と第２の基本波光を入射して波長変換を行うことによって第１と第２の変換光を生成する波長変換素子と、を有する光源部を備えており、また、各基本光源に供給される駆動電流を制御可能な駆動電流制御部と、を備えている。第１と第２の基本光源は、第１と第２の変換光が略同一色を有し、かつ、第１と第２の変換光の光量がピークとなるタイミングが互いに重ならないように基本波光を射出する。 （もっと読む）

【課題】駆動電流や光出力が経時的に変動するのを抑制することの可能な光増幅装置を提供する。
【解決手段】ステム１０上の光増幅素子２０は、透過型ＳＯＡと称されるものであり、入射側端面２０Ａに入射した短波長の光を増幅して、入射した光よりも大きな輝度の光を射出側端面２０Ｂから発するようになっている。光増幅素子２０の入射側端面２０Ａおよび射出側端面２０Ｂは共に、その表面に反射防止膜（図示せず）を有している。光増幅素子２０は、ステム１０およびキャップ３０によって封止されており、かつキャップ３０のうち入射側端面２０Ａおよび射出側端面２０Ｂのとの対向部分にそれぞれ光透過窓３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
種々のビームプロファイルをもつ光を安定にかつ低いしきい値で発振させ、または１本の高出力ビームを発振させることでき、さらに、このビームを空間的に振らせることが空間モード同期レーザを提供する。
【解決手段】
周期的に一次元配置された複数のレーザ光源１１１からなり、各レーザ光源はほぼ同一の発振波長のレーザ光を自由空間１３１に向けて出射するレーザアレイ１１と、自由空間１３１のレーザ光源１１から出射方向に向けて所定距離だけ離れ、レーザアレイ１１に対向するように周期的に一次元配置された複数の反射鏡からなる反射鏡アレイ１２とを備え、各反射鏡１２１からレーザ光が出射されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、レーザ光の光パルス及びレーザ光の変調の同期が容易に得られる記録装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１及び外部共振器を含むモードロックレーザ部２１０と、このモードロックレーザ部２１０から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段２と、マスタークロック信号を生成すると共に、このマスタークロック信号に同期した信号を半導体レーザ１のゲイン部１１６に供給する、基準信号生成部１５と、マスタークロック信号に基づいて記録信号を生成する記録信号生成部１６と、記録信号に基づいて、光変調手段２を駆動する駆動パルスを生成する駆動回路１７とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置２００を構成する。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ分極及び自発分極の影響を低減させることができる構成を有するモードロック半導体レーザ素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系化合物半導体から成る第１化合物半導体層３０、発光領域４１を有する第３化合物半導体層４０及び第２化合物半導体層５０が、順次、積層されて成る積層構造体、第２電極６２、並びに、第１電極６１を備え、積層構造体は、極性を有する化合物半導体基板２１上に形成されており、第３化合物半導体層は井戸層及び障壁層を備えた量子井戸構造を有し、井戸層の厚さは１ｎｍ乃至１０ｎｍであり、障壁層の不純物ドーピング濃度は２×１０¹⁸ｃｍ^-3乃至１×１０²⁰ｃｍ^-3であるモードロック半導体レーザ素子の駆動方法にあっては、第２電極６２から積層構造体を介して第１電極６１に電流を流すことで、発光領域４１において光パルスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】外部共振器型のレーザー光源を前提として、出力レーザー光の可干渉性を低下させることでスペックルノイズを確実に低減し得る光源装置を提供する。
【解決手段】レーザー光を射出するエミッター２２を有する第１発光素子１２と、エミッター２２から射出されたレーザー光が入射するように配置されたエミッター２３を有する第２発光素子を備え、エミッター２３は、射出されたレーザー光がエミッター２２へ入射するように配置され、エミッター２２と異なる２つのエミッター２３の間の光路上に、空間的に選択波長が異なる波長選択素子１７が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置の構成を複雑化させることなく、一方の端面から光ファイバに入射するレーザ光の結合効率を高め、光ファイバの他方の端面から出射するレーザ光の出力を向上させることができる半導体レーザ装置および光ファイバを提供する。
【解決手段】ＬＤバー２と、ＬＤバー２から出射した光５が、一方の端面１０に入射する光ファイバ９ａと、を備えた半導体レーザ装置１において、光ファイバ９ａは、一方の端面１０におけるクラッド３３の少なくとも一部に、一方の端面１０に入射した光をＬＤバー２へ反射する反射部４１を備えた。 （もっと読む）

【課題】 ジッタ特性に優れた能動モード同期動作をし得、波長確定精度の高い波長可変光源を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光増幅媒体と波長分散を有する導波路とを共振器内に備えた発振波長を変化可能な第一の光源装置と、前記導波路に接続され変調光としてパルス光を前記第一の光源装置に導入する第二の光源装置と、を具備した波長可変光源装置であって、前記変調光により前記発振波長を相互利得変調による能動モード同期によって制御するとともに、前記変調光のパルス幅が、該変調光を発生させる駆動信号の半周期の時間幅よりも狭い時間幅を持つ波長可変光源装置。 （もっと読む）

【課題】高出力なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置は、基板１１０と、基板１１０の基板面１１０ａに配置された一対の発光部と、一対の発光部の一方の発光部から射出された光を反射させる第１反射部と、第１反射部で反射した光を一対の発光部の他方の発光部に向けて反射させる第２反射部と、を備える。一対の発光部と第１反射部と第２反射部とを含んで共振器が構成される。第１反射部及び第２反射部の少なくとも一方の反射部は、光反射部材１４３と、基板面１１０ａに沿って接合された接合部１４１と、接合部１４１に接続され基板面１１０ａに平行な任意の１つの軸回りに光反射部材１４３を回動可能に保持する保持部１４２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作中の温度上昇が著しく僅かな点で優れた半導体レーザを提供する。
【解決手段】外部共振器を備えた面発光型の光ポンピング半導体レーザを構成する半導体チップ１は基板２、反射器３および活性層５を有している。反射鏡は外部反射器４とともに半導体レーザの共振器を成し、半導体レーザは主放射方向６へ放射を送出する。活性層はこの主放射方向に対し垂直な方向で構造形成されており、これによって自然放出放射１０による半導体チップ１の加熱が低減される。 （もっと読む）

【課題】部品点数の増加を抑制しながら、出力ビームの整形を可能とすると共に、共振器長を短縮可能な外部共振型半導体レーザを提供する。
【解決手段】同一端面より少なくとも２方向にレーザ光を出射する半導体レーザ素子１と、出射する該レーザ光の一部を外部共振用レーザ光５とし、その他の該レーザ光を出力用レーザ光６とする外部共振型半導体レーザにおいて、該外部共振用レーザ光と出力用レーザ光との各光路に跨って配置される少なくとも一つ以上のビーム整形素子２，３と、該ビーム整形素子を構成するシリンドリカルレンズ３の該半導体レーザ素子側の一部３０で、該外部共振用レーザ光を反射させ、反射した該レーザ光を該半導体レーザ素子に入射させる。 （もっと読む）

【課題】超小型で調節しやすい遠紫外線発光素子を提供する。
【解決手段】ポンプ光源と、半導体利得構造と、利得構造サブキャビティと、凹面出力結合反射鏡とを備え、前記ポンプ光源が前記利得構造サブキャビティに対して、前記ポンプ光源によって発せられる光が前記利得構造サブキャビティに入射して前記利得構造サブキャビティを発光させるように配置されており、さらに、前記利得構造サブキャビティが前記凹面出力結合反射鏡に対して、前記利得構造サブキャビティによって発せられる光を、前記凹面出力結合反射鏡に入射させ、前記利得構造サブキャビティの前記上端面に反射させて、前記利得構造サブキャビティをさらに発光させるように配置されていることを特徴とする発光素子、が提供される。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子の体差を吸収し歩留まりを向上させ、変換波長を効率良く射出することが可能な光源装置を提供する。
【解決手段】複数の発光部と、発光部を個別に制御する制御装置４０と、を備え、発光部は、レーザー光を射出する光源１１ａと、レーザー光を波長変換する波長変換素子２１と、波長変換素子２１の温度を調節する温度制御部３０と、を有し、温度制御部３０は、波長変換素子２１の温度を調節する温調媒体Ｗと、温調媒体Ｗの温度を調節する温度調節手段３２と、温調媒体Ｗを収容する収容空間Ｋを有し波長変換素子２１を保持する保持部材２２と、を有し、制御装置４０は、波長変換素子２１の温度に対する位相整合波長の対応関係に係る情報を、複数の波長変換素子２１について記憶する記憶部を有し、制御装置４０は、情報に基づいて、基本波長に波長変換素子２１の位相整合波長が一致するように、温度制御部３０を制御する。 （もっと読む）

【課題】第２高調波発生装置を作製する場合、共振器長の調整が難しく、しかも、共振器長調整可能範囲も非常に狭かった。
【解決手段】本発明の第２高調波発生装置によれば、半導体レーザ素子から出射される像が、結像レンズを用いて、平面ミラーに結像される構成としたので、半導体レーザ素子と基本波を反射させる平面ミラーとの間の距離を正確に設定しなくてもよくなり、共振器長の調整が簡単であり、共振器長調整可能範囲も広くできる第２高調波発生装置が提供可能となる。 （もっと読む）

周波数変換レーザ光源を制御する方法が提供され、このレーザ光源は、レーザ共振器、外部光フィードバック要素、波長選択要素、および波長変換素子を含み、かつこの方法は、変調成分を含む位相制御信号でレーザ共振器の位相部を駆動するステップであって、この変調成分が、位相制御信号が変調されるときにいくつかの異なる共振器モードでの連続した発振が確立されるように、利用可能な共振器モードをスペクトル領域内でシフトさせるのに十分な変調振幅ＭＯＤを有するものである、該ステップを含む。
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【課題】光の放射損失を抑制した波長可変光源を提供する。
【解決手段】光増幅器と、光導波路およびその両端に設けられた光共振器ミラーを含む複数の導波路型光共振器と、光導波路の途中に設けられ、導波路型光共振器に対して光を入出力する光共振器タップ構造と、を有し、光増幅器と複数の導波路型光共振器のそれぞれとが光共振器タップ構造を介して光学的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】最大位相調整量を拡大した半導体発光素子を提供する。
【解決手段】電流注入を受けて光を発しその光を活性層に沿って伝搬させる発光領域と、その発光領域からの光を導波させる導波路層の屈折率が注入電流に応じて変化する位相調整領域とを有する半導体発光素子において、特性Ｆのように位相調整領域の導波路層に接する第２ｐ型クラッド層の厚さ方向のドーピング濃度が、導波路層の上端から所定範囲、特に２５〜１５０ｎｍの範囲内で極大値をもつように形成することで、位相調整領域における注入キャリアのオーバーフローの抑制効果が高くなり、屈折率変化に寄与しない無駄な電流を流す必要がなくなり、その結果素子全体としての高効率化が実現できることがわかった。 （もっと読む）

【課題】製造条件の変動に起因して方向性結合器のギャップ変化が発生しても、光フィルタの特性が変化しないようにし、これにより歩留まりを向上させる。
【解決手段】波長可変レーザ装置１０は、ＰＬＣ１１とＳＯＡ１２とを備えている。ＰＬＣ１１は、光導波路１３，１６と、光フィルタ２０と、ループミラー２４と、薄膜ヒータ３１〜３３と、非対称ＭＺＩ４１〜４７と、を備えている。本発明によれば、ＰＬＣ１１内の光結合部を非対称ＭＺＩ４１〜４７としたことにより、製造条件の変動によって方向性結合器のギャップ変化が発生しても光フィルタ２０の特性が変化しないので、歩留まりを向上できる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザを用いた簡単な構成で高感度に音波を検出可能なレーザマイクロホンを提供する。
【解決手段】レーザマイクロホン１は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１とは音波が伝播する媒質である空気を介して離隔配置され且つ半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光を反射してその一部分を半導体レーザ素子１０内へ導入する反射板５０と、半導体レーザ素子１０内のレーザ光と反射板５０からの反射光との自己結合効果により生じた出力光を受光して電気信号に変換する受光手段としてのフォトダイオード３０とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）